11月15日，深重投集團投建的國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心深圳綜合平臺在中國國際高新技術(shù)成果交易會（簡稱：高交會）上，召開建成發(fā)布會。
source：高交會
據(jù)介紹，建成發(fā)布的深圳綜合平臺具備碳化硅、氮化鎵及超寬禁帶功率材料與器件研發(fā)、集成設(shè)計及試制能力。
深圳綜合平臺主要由三部分組成：
一、8英寸中試工藝平臺，可覆蓋第三代功率半導(dǎo)體襯底、外延、器件制備、封裝測試、失效分析、可靠性驗證全鏈條，具備研發(fā)、中試與產(chǎn)業(yè)化能力；
二、功率半導(dǎo)體分析檢測中心，將為產(chǎn)業(yè)提供全面、細(xì)致且高效的服務(wù)和解決方案，幫助合作伙伴加速技術(shù)創(chuàng)新；
三、自主可控的第三代半導(dǎo)體工程服務(wù)平臺，提供復(fù)雜的計算機仿真、驗證、培訓(xùn)、成果轉(zhuǎn)化服務(wù)。
除了新平臺建成發(fā)布，深重投集團今年還在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域開展相應(yīng)動作。
今年2月，由深重投集團控股企業(yè)深圳市重投天科半導(dǎo)體有限公司（以下簡稱：重投天科）建設(shè)運營的第三代半導(dǎo)體碳化硅材料生產(chǎn)基地在深圳啟動。
項目總投資32.7億元，重點布局6英寸碳化硅單晶襯底和外延生產(chǎn)線，是廣東省和深圳市重點項目、深圳全球招商大會重點簽約項目，預(yù)計今年襯底和外延產(chǎn)能達(dá)25萬片。
10月16日，深重投旗下深圳方正微電子有限公司（下文簡稱“方正微電子”）發(fā)布了車規(guī)/工規(guī)碳化硅MOS 1200V全系產(chǎn)品碳化硅新品，并宣布其8英寸碳化硅產(chǎn)線將于2024年年底通線。
目前，方正微電子旗下有2個Fab。其中，F(xiàn)ab2負(fù)責(zé)8英寸碳化硅晶圓的生產(chǎn)，長遠(yuǎn)規(guī)劃產(chǎn)能為6萬片/每月。
隨著深圳綜合平臺的建成，深重投在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域內(nèi)的影響力有望再加強。（來源：高交會、集邦化合物半導(dǎo)體整理）
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