11月13日，據“揚州經開區(qū)發(fā)布”官微消息，揚州2024（北京）經濟社會發(fā)展匯報會于11月12日舉行。揚州經開區(qū)現場簽約央企合作項目2個，總投資36億元，其中之一為中國電子科技集團與綠投集團國宇電子功率芯片項目。
source：揚州經開區(qū)發(fā)布
該項目總投資11億元，其中一期項目投資5.8億元，設備投資3億元，計劃利用現有國宇電子廠區(qū)內土地擴建分立器件功率芯片生產線，建設6英寸功率FRED芯片生產線，規(guī)劃年產能48萬片，達產后預計年開票10億元，年凈利潤1.4億元，納稅5000萬元；項目二期規(guī)劃生產IGBT、硅基GaN等高功率半導體芯片。
公開資料顯示，國宇電子主要從事半導體器件芯片的研發(fā)生產。其主要產品有電源、節(jié)能燈、鎮(zhèn)流器、電機驅動、變壓器等用VDMOS場效應功率晶體管、肖特基二極管、快恢復二極管等產品，廣泛應用于家電、綠色照明、計算機、汽車電子、網絡通訊、工業(yè)控制等領域。
近期，除國宇電子項目外，還有多個氮化鎵相關項目披露了最新進展。
11月4日，美國半導體企業(yè)MACOM宣布，將引領一個碳化硅基氮化鎵（GaN-on-SiC）技術開發(fā)項目，主要針對于射頻（RF）和微波應用領域。項目專注于開發(fā)氮化鎵基材料和單片微波集成電路（MMIC）的半導體制造工藝，以實現在高壓和毫米波（mmW）頻率下的高效運行。
9月29日，據武漢鑫威源電子科技有限公司（以下簡稱：鑫威源電子）官微消息，鑫威源電子在高性能氮化鎵半導體激光器芯片方面取得重大技術突破，同時氮化鎵半導體激光器芯片產線完成通線試產。
9月9日，廣東省江門市生態(tài)環(huán)境局新會分局發(fā)布了“冠鼎半導體氮化鎵功率半導體生產新建項目”的環(huán)評文件受理公告。公告顯示，冠鼎半導體氮化鎵功率半導體生產項目總投資1.055億元，計劃年加工氮化鎵功率半導體1500萬件。（集邦化合物半導體Zac整理）
更多SiC和GaN的市場資訊，請關注微信公眾賬號：集邦化合物半導體。