我國碳化硅激光剝離技術實現重大突破,單片切割損耗降至75微米以下

作者 | 發(fā)布日期 2025 年 07 月 10 日 14:14 | 分類 碳化硅SiC

近日,國家第三代半導體技術創(chuàng)新中心深圳平臺(深圳平湖實驗室)宣布在碳化硅襯底加工領域取得里程碑式進展。該團隊自主研發(fā)的全自動化激光剝離系統(tǒng),成功將碳化硅襯底單片切割損耗從傳統(tǒng)工藝的280-300微米降至75微米以下,單片成本降低26%,技術水平達到國際先進。

在第三代半導體材料產業(yè)化進程中,碳化硅(SiC)襯底加工技術長期受制于高損耗、低效率的瓶頸。深圳平湖實驗室聚焦SiC激光剝離新技術的研究與開發(fā),旨在大幅降低碳化硅襯底的切割損耗,從而降低碳化硅襯底的成本,促進大尺寸SiC襯底規(guī)模化產業(yè)應用。

2024年12月,深圳平湖實驗室新技術研究部實現了激光剝離單片總損耗≤120μm,單片切割時間30min,達到國內領先水平。

圖片來源:深圳平湖實驗室

通過進一步進行激光剝離的機理研究和優(yōu)化激光剝離的工藝參數,2025年6月實現激光剝離的單片總損耗≤75μm,單片切割時間20min,單片成本降低約26%,單臺設備切割時間從60分鐘/片縮短至20分鐘/片,結合智能化產線,產能提升3倍,為規(guī)?;a奠定基礎。并且已完成三批次的小批量驗證,良率100%。

隨著新能源汽車、光伏等領域對碳化硅需求激增,國產激光剝離技術的成熟將為產業(yè)鏈自主化注入強勁動力。

 

(集邦化合物半導體整理)

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