近日，國家第三代半導體技術創(chuàng)新中心深圳平臺（深圳平湖實驗室）宣布在碳化硅襯底加工領域取得里程碑式進展。該團隊自主研發(fā)的全自動化激光剝離系統(tǒng)，成功將碳化硅襯底單片切割損耗從傳統(tǒng)工藝的280-300微米降至75微米以下，單片成本降低26%，技術水平達到國際先進。
在第三代半導體材料產業(yè)化進程中，碳化硅（SiC）襯底加工技術長期受制于高損耗、低效率的瓶頸。深圳平湖實驗室聚焦SiC激光剝離新技術的研究與開發(fā)，旨在大幅降低碳化硅襯底的切割損耗，從而降低碳化硅襯底的成本，促進大尺寸SiC襯底規(guī)模化產業(yè)應用。
2024年12月，深圳平湖實驗室新技術研究部實現(xiàn)了激光剝離單片總損耗≤120μm，單片切割時間30min，達到國內領先水平。
圖片來源：深圳平湖實驗室
通過進一步進行激光剝離的機理研究和優(yōu)化激光剝離的工藝參數(shù)，2025年6月實現(xiàn)激光剝離的單片總損耗≤75μm，單片切割時間20min，單片成本降低約26%，單臺設備切割時間從60分鐘/片縮短至20分鐘/片，結合智能化產線，產能提升3倍，為規(guī)?；a奠定基礎。并且已完成三批次的小批量驗證，良率100%。
隨著新能源汽車、光伏等領域對碳化硅需求激增，國產激光剝離技術的成熟將為產業(yè)鏈自主化注入強勁動力。
（集邦化合物半導體整理）
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