2025年9月10日，備受矚目的SEMI-e深圳國際半導(dǎo)體展暨2025集成電路產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新展在深圳國際會(huì)展中心（寶安新館）盛大開幕。
本次展會(huì)匯聚了半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈的核心代表力量，涵蓋芯片設(shè)計(jì)、制造、封測、材料、設(shè)備等多個(gè)關(guān)鍵領(lǐng)域。
其中，化合物半導(dǎo)體作為重要展區(qū)之一，天科合達(dá)、爍科晶體、瑞能半導(dǎo)體、深圳平湖實(shí)驗(yàn)室、納微半導(dǎo)體、等多家廠商展出精彩產(chǎn)品，吸引眾多觀眾駐足。
天科合達(dá)
天科合達(dá)作為碳化硅材料領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)，在本次展會(huì)上帶來了其主推碳化硅襯底片和外延片，包括導(dǎo)電型、半絕緣型以及6、8英寸等豐富產(chǎn)品。
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其中，天科合達(dá)展示的8英寸導(dǎo)電型襯底代表了其在大尺寸襯底技術(shù)上的突破。公司通過自主研發(fā)的長晶技術(shù)，實(shí)現(xiàn)8英寸晶體的穩(wěn)定生長，并解決了多型缺陷、平面六方空洞等難題，提升了襯底質(zhì)量。相較于6英寸產(chǎn)品，8英寸導(dǎo)電型襯底在規(guī)?；a(chǎn)時(shí)可有效降低單位成本，提高生產(chǎn)效率。
此外，據(jù)了解，天科合達(dá)目前已成功實(shí)現(xiàn)6英寸650V、1200V及1700V等多電壓等級碳化硅外延片的規(guī)模化供應(yīng)，并已獲得多家國內(nèi)外頭部企業(yè)8英寸外延中小批量訂單。
爍科晶體
爍科晶體作為第三代半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的前沿企業(yè)，本次主要展示了其6/8/12寸碳化硅單晶襯底。
其中包括去年12月全球首發(fā)的12英寸高純半絕緣碳化硅單晶襯底與12 英寸N型碳化硅單晶襯底。12 英寸高純半絕緣襯底憑借其出色的光學(xué)性能優(yōu)勢，成為下一代 “AR+AI” 智能眼鏡的核心材料，有望推動(dòng) AR 眼鏡在輕量化、高清顯示以及成本控制等方面實(shí)現(xiàn)質(zhì)的飛躍。
此外，爍科晶體還展示了其量產(chǎn)的8 英寸碳化硅襯底，據(jù)介紹，其導(dǎo)電型襯底已通過了全球主要功率半導(dǎo)體廠商的驗(yàn)證，并完成了批量銷售。
納微半導(dǎo)體
納微半導(dǎo)體主要專注于氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）功率器件研發(fā)、生產(chǎn)及應(yīng)用。
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本次展會(huì)納微半導(dǎo)體主要展示了最新采用納微氮化鎵和碳化硅技術(shù)所打造的最新demo，覆蓋AI數(shù)據(jù)中心、太陽能儲能以及移動(dòng)快充等熱點(diǎn)場景。其中包括OCP ORV3 12kW 97.8% PSU、OCP ORV3 8.5kW 97.5% PSU、Bi-Di 500W Micro Inverter等。
據(jù)介紹，OCP ORV3 12kW 97.8% PSU采用OCP ORV3架構(gòu)，功率為12kW，輸入電壓 50V 時(shí)最大電流240A。一次側(cè)采用三相交錯(cuò)式連續(xù)導(dǎo)通模式（CCM）圖騰柱（TPPFC）電路 ，二次側(cè)采用三相交錯(cuò)式LLC電路，具有高功率密度和高效率，能夠在相對緊湊的空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)12kW的功率輸出，并且效率達(dá)到97.8% ，可以減少能量損耗，提高能源利用效率，適用于對電源功率和效率要求較高的數(shù)據(jù)中心、服務(wù)器等場景。
OCP ORV3 8.5kW 97.5%PSU也采用OCP ORV3架構(gòu)，其功率 8.5kW，輸入電流 576A/172A 。一次側(cè)采用三相交錯(cuò)式連續(xù)導(dǎo)通模式（CCM）圖騰柱（TPPFC）電路 ，二次側(cè)采用三相delta到delta LLC電路。具備高功率密度和高效率的特性，尺寸為560mm x 73.5mmx42mm ，在半載（230Vac）情況下效率達(dá)到97.5% 。適用于對功率需求稍低，但同樣追求高效、緊湊電源解決方案的設(shè)備，如一些中大型工業(yè)控制設(shè)備、通信基站的供電系統(tǒng)等。
深圳平湖實(shí)驗(yàn)室
深圳平湖實(shí)驗(yàn)室本次展會(huì)主要展示了其不久前宣布的SiC激光剝離技術(shù)新突破。
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據(jù)悉，深圳平湖實(shí)驗(yàn)室于今年6月實(shí)現(xiàn)SiC激光剝離的單片總損耗≤75μm，單片成本降低約26%，達(dá)到國際先進(jìn)水平，已完成三批次的小批量驗(yàn)證，良率100%。
此外，深圳平湖實(shí)驗(yàn)室還展示了100μm級別的碳化硅外延片，主要應(yīng)用于電網(wǎng)等高壓、特高壓場景下。
深圳平湖實(shí)驗(yàn)室構(gòu)建了完善的半導(dǎo)體研發(fā)與中試體系，設(shè)有材料制備、芯片設(shè)計(jì)、晶圓制造、封裝測試等多個(gè)專業(yè)平臺。
科友半導(dǎo)體
科友半導(dǎo)體主要展示了6/8英寸碳化硅單晶襯底、6/8英寸碳化硅感應(yīng)長晶爐、6/8英寸碳化硅電阻長晶爐等。
稍早之前，科友半導(dǎo)體宣布依托自主研發(fā)的12英寸碳化硅長晶爐及熱場技術(shù)，成功制備出12英寸碳化硅晶錠。大尺寸的襯底面積能顯著減少長晶、加工、拋光等環(huán)節(jié)的單位成本。
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派恩斯半導(dǎo)體
蘇州派恩斯半導(dǎo)體科技有限公司是一家于2025年新成立的企業(yè)，由蘇州博宏源設(shè)備股份有限公司控股，并與韓國PNS INTERNATIONAL CO.LTD合資成立。
派恩斯半導(dǎo)體主要專注于半導(dǎo)體芯片制程中的減薄、研磨、拋光、貼蠟等核心環(huán)節(jié)，技術(shù)覆蓋鍵合、外延、MEMS、精密陶瓷、納米拋光等前沿領(lǐng)域。
本次主要展示了其半導(dǎo)體單面研磨機(jī)設(shè)備，可對半導(dǎo)體晶圓（如硅片、碳化硅片、氮化鎵片等）的單一表面進(jìn)行研磨處理，是半導(dǎo)體制造流程中用于 “晶圓表面精密加工” 的核心設(shè)備。
宇環(huán)精研
宇環(huán)精研隸屬宇環(huán)數(shù)控機(jī)床股份有限公司，在精密高效磨削拋光領(lǐng)域形成了完整的研發(fā)體系和工藝特色。
本次展會(huì)主要展示了針對半導(dǎo)體行業(yè)的精密加工設(shè)備，如YHM7425立式單面磨床 、YHMGK1720精密數(shù)控多功能外圓磨床、YH2MG8436立式高精度雙面研磨拋光機(jī)、YH2MG81系列-單面研磨拋光機(jī)等。晶體材質(zhì)涵蓋藍(lán)寶石、單晶硅、碳化硅、砷化鎵、磷化銦、碲鋅鎘、氮化鎵、氧化鎵、銻化鎵、銻化銦等，涉及工序包括平面磨削、滾圓加工、單面/雙面研磨拋光、單工位減薄等。
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具體參展產(chǎn)品包括適用于碳化硅晶體平面加工的YHM7425立式單面磨床，該設(shè)備Z軸進(jìn)給采用“伺服電機(jī)+絲桿導(dǎo)軌+直線光柵”驅(qū)動(dòng)閉環(huán)控制，實(shí)現(xiàn)高精度連續(xù)微進(jìn)給；主軸采用電主軸結(jié)構(gòu)，更高的磨削力矩，運(yùn)行平穩(wěn)，振動(dòng)小，噪音低。
以及YHMGK1720精密數(shù)控多功能外圓磨床，該設(shè)備可對碳化硅、藍(lán)寶石等硬脆性晶錠進(jìn)行外圓磨削、晶向檢測、參考邊（OF）面磨削和V-NOTCH槽磨削；YH2MG8436立式高精度雙面研磨拋光機(jī)，該設(shè)備主要用于碳化硅、藍(lán)寶石、氮化鎵、氮化硅、氧化鋁、氮化鋁陶瓷等材料制作的薄片零件的高精密雙面研磨拋光。
瑞能半導(dǎo)體
瑞能半導(dǎo)體本次主要展示了TSPAK封裝、TOLL封裝超結(jié)MOSFET、2000V整流管。
其中，瑞能半導(dǎo)體的TSPAK系列碳化硅產(chǎn)品，采用頂部散熱封裝，產(chǎn)品包括瑞能領(lǐng)先工藝的SiC MOSFET與SiC肖特基二極管。采用頂部散熱封裝，不僅熱性能可媲美廣泛使用的、熱性能穩(wěn)定的TO-247等傳統(tǒng)直插型封裝，還具有基于SMD的PCB組裝方式，同時(shí)避免依次安裝絕緣襯套緊固螺絲，實(shí)現(xiàn)高效制造流程的額外優(yōu)勢。同時(shí)，由于無需設(shè)置熱過孔，可最小化電流環(huán)路面積，減小EMI輻射。
TOLL封裝超結(jié)MOSFET是一款新推出的產(chǎn)品，新一代芯片技術(shù)平臺，可大幅提升FOM優(yōu)值，賦能高效系統(tǒng)，并采用創(chuàng)新的TOLL封裝，較低的封裝電阻、寄生電感、優(yōu)秀的散熱性能，提升系統(tǒng)熱管理性能。并具有行業(yè)領(lǐng)先的功率密度、覆蓋高低壓單元等的特點(diǎn)。
譽(yù)鴻錦
譽(yù)鴻錦本次展會(huì)主要展出了4”/6”/8”英寸硅基/碳化硅基/藍(lán)寶石基外延片及晶圓。
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譽(yù)鴻錦成立于2021年，在半導(dǎo)體領(lǐng)域尤其是氮化鎵（GaN）材料及相關(guān)器件研發(fā)生產(chǎn)方面發(fā)展迅速，譽(yù)鴻錦以GaN芯片研發(fā)與制造為核心，集成半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈上游設(shè)備材料、下游終端應(yīng)用，打造IDM產(chǎn)業(yè)模式。
據(jù)介紹，譽(yù)鴻錦可提供多種規(guī)格外延片，包括650V/900V/1200V各種擊穿電壓規(guī)格，以及5G/6G射頻外延片、耗盡型、pGaN增強(qiáng)型及各種定制結(jié)構(gòu)外延片。外延片厚度2-6微米，不均勻性<±3%；外延片翹曲<30微米；外延片2DEG電子濃度>8E12cm-2；外延片電子遷移率>1800cm2/V·s。
眾途復(fù)材
眾途復(fù)材本次展會(huì)主要帶來了其核心產(chǎn)品碳纖維隔熱材，具有優(yōu)異的隔熱性能、超高的純度、出色的抗氧化性能等多重優(yōu)勢。此外，產(chǎn)品不單在粉末冶金熱處理、高性能陶瓷燒結(jié)、光通訊、藍(lán)寶石晶體等行業(yè)里得到廣泛的應(yīng)用，在芯片行業(yè)里也得到用戶青睞。
眾途復(fù)材展會(huì)現(xiàn)場搭建了一個(gè)船型模型，主要是針對第三代半導(dǎo)體的長晶和外延兩部分，模型中的碳纖維桶是量身為碳化硅定制的，既能實(shí)現(xiàn)低能損耗，又能達(dá)到較長壽命，并且能保證碳化硅晶體質(zhì)量穩(wěn)定。
結(jié)語
本屆SEMI-e深圳國際半導(dǎo)體展的化合物半導(dǎo)體展區(qū)精彩紛呈，各家廠商的展品不僅展現(xiàn)了國內(nèi)化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)從 “單點(diǎn)突破” 向 “協(xié)同共進(jìn)” 的轉(zhuǎn)變，更印證了產(chǎn)業(yè)在新能源汽車、5G/6G通信、AI數(shù)據(jù)中心、電網(wǎng)等核心場景的深度滲透。
此外，展會(huì)期間還舉辦了《第三代半導(dǎo)體設(shè)備與核心零部件產(chǎn)業(yè)鏈合作發(fā)展論壇》，清華大學(xué)集成電路學(xué)院、盛美上海、星奇半導(dǎo)體、松諾盟科技從不同角度展開討論，如電鍍設(shè)備技術(shù)突破、液體汽化系統(tǒng)原理、壓力傳感器創(chuàng)新應(yīng)用等方面。北方華創(chuàng)、華工激光、杭州智谷精工、上海優(yōu)園科技等企業(yè)也分別就裝備技術(shù)創(chuàng)新、激光技術(shù)應(yīng)用、碳化硅襯底材料加工工藝、設(shè)備發(fā)展趨勢等話題展開交流。
隨著技術(shù)持續(xù)迭代、成本逐步下探，相信會(huì)在全球化合物半導(dǎo)體競爭中構(gòu)建更具韌性的 “中國生態(tài)”，為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展注入持久動(dòng)力。
（集邦化合物半導(dǎo)體 金水 整理）
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