美國功率半導(dǎo)體企業(yè)iDEAL Semiconductor宣布，其超高效率SuperQ?硅功率元件已正式在Polar Semiconductor投產(chǎn)，為美國本土供應(yīng)鏈注入新動(dòng)能。
SuperQ是硅MOSFET架構(gòu)的重大突破，首次采用專利不對(duì)稱RESURF結(jié)構(gòu)，這種設(shè)計(jì)能讓MOSFET在高電壓下均勻分散電場(chǎng)，避免能量集中造成損耗，因此能在保持高耐壓的同時(shí)，大幅降低導(dǎo)通電阻與切換損耗。
根據(jù)官方新聞稿，導(dǎo)通電阻相較傳統(tǒng)硅降低最高2.7倍，切換損耗減少2.1倍。目前，首批150V與200V產(chǎn)品已進(jìn)入量產(chǎn)，后續(xù)將擴(kuò)展至300V與400V應(yīng)用。Polar也正擴(kuò)建明尼蘇達(dá)州的200mm晶圓廠，以支援美國本土需求。
公開資料顯示，iDEAL Semiconductor Devices, Inc.總部位于美國賓夕法尼亞州里海谷是一家行業(yè)領(lǐng)先的下一代硅功率器件開發(fā)商。公司成立的使命是將硅推向其感知極限。其專利SuperQ技術(shù)使用常規(guī)CMOS工藝實(shí)現(xiàn)突破性能效，而不偏離硅的可靠優(yōu)勢(shì)。該平臺(tái)技術(shù)適用于廣泛的產(chǎn)品、應(yīng)用和半導(dǎo)體材料，專為減輕每個(gè)應(yīng)用的功率損耗而設(shè)計(jì)，并將為下一代提供更環(huán)保的能源使用。
功率半導(dǎo)體是支撐電動(dòng)車馬達(dá)、AI資料中心服務(wù)器、再生能源電網(wǎng)的關(guān)鍵元件，因具備承受高電壓與大電流的特性，能有效控制與轉(zhuǎn)換電能。
（集邦化合物半導(dǎo)體整理）
更多SiC和GaN的市場(chǎng)資訊，請(qǐng)關(guān)注微信公眾賬號(hào)：集邦化合物半導(dǎo)體。