美國功率半導體企業(yè)iDEAL Semiconductor宣布，其超高效率SuperQ?硅功率元件已正式在Polar Semiconductor投產，為美國本土供應鏈注入新動能。
SuperQ是硅MOSFET架構的重大突破，首次采用專利不對稱RESURF結構，這種設計能讓MOSFET在高電壓下均勻分散電場，避免能量集中造成損耗，因此能在保持高耐壓的同時，大幅降低導通電阻與切換損耗。
根據官方新聞稿，導通電阻相較傳統(tǒng)硅降低最高2.7倍，切換損耗減少2.1倍。目前，首批150V與200V產品已進入量產，后續(xù)將擴展至300V與400V應用。Polar也正擴建明尼蘇達州的200mm晶圓廠，以支援美國本土需求。
公開資料顯示，iDEAL Semiconductor Devices, Inc.總部位于美國賓夕法尼亞州里海谷是一家行業(yè)領先的下一代硅功率器件開發(fā)商。公司成立的使命是將硅推向其感知極限。其專利SuperQ技術使用常規(guī)CMOS工藝實現(xiàn)突破性能效，而不偏離硅的可靠優(yōu)勢。該平臺技術適用于廣泛的產品、應用和半導體材料，專為減輕每個應用的功率損耗而設計，并將為下一代提供更環(huán)保的能源使用。
功率半導體是支撐電動車馬達、AI資料中心服務器、再生能源電網的關鍵元件，因具備承受高電壓與大電流的特性，能有效控制與轉換電能。
（集邦化合物半導體整理）
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