三家企業(yè)推進(jìn) GaN/SiC 技術(shù)新進(jìn)展

作者 | 發(fā)布日期 2025 年 11 月 18 日 14:33 | 分類 企業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC

近期,功率半導(dǎo)體行業(yè)迎來重要技術(shù)進(jìn)展,英飛凌、GE Aerospace和SemiQ Inc三家企業(yè)分別在氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)領(lǐng)域取得新進(jìn)展。

01、英飛凌推出首款100V車規(guī)級GaN晶體管

11月6日,英飛凌科技股份公司宣布推出其首款符合汽車電子委員會(AEC)汽車應(yīng)用標(biāo)準(zhǔn)的氮化鎵(GaN)晶體管系列,正式進(jìn)軍車規(guī)級GaN市場。該系列命名為CoolGaN? 100V G1,已開始提供符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的預(yù)量產(chǎn)樣品,包括CoolGaN?高壓(HV)車規(guī)級晶體管及多種雙向開關(guān)。

圖片來源:英飛凌

英飛凌科技GaN業(yè)務(wù)線負(fù)責(zé)人Johannes Schoiswohl表示:”通過將GaN功率技術(shù)引入快速發(fā)展的軟件定義汽車和電動汽車市場,英飛凌將進(jìn)一步鞏固其在汽車半導(dǎo)體解決方案領(lǐng)域的全球領(lǐng)先優(yōu)勢。此次推出100V GaN車規(guī)級晶體管解決方案和即將擴(kuò)展的高壓產(chǎn)品組合,是我們開發(fā)高能效、高可靠性的車規(guī)級功率晶體管進(jìn)程中的重要里程碑。”

相比傳統(tǒng)硅基器件,GaN功率器件能實(shí)現(xiàn)更小的尺寸、提供更高的能效,同時降低系統(tǒng)成本。在軟件定義汽車從12V向48V系統(tǒng)轉(zhuǎn)型的過程中,基于GaN的功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)不僅能提升性能,還可支持線控轉(zhuǎn)向、實(shí)時底盤控制等先進(jìn)功能,極大改善駕乘舒適性與操控性。

CoolGaN? 100V G1車規(guī)級晶體管主要適用于區(qū)域控制和主DC-DC轉(zhuǎn)換器、高性能輔助系統(tǒng)及D類音頻放大器等應(yīng)用場景,為車載信息娛樂系統(tǒng)、高級駕駛輔助系統(tǒng)(ADAS)和新型氣候控制系統(tǒng)提供高效電源解決方案。

02、GE Aerospace發(fā)布第4代碳化硅MOSFET器件

11月12日,GE Aerospace宣布在紐約尼斯卡尤納的研究中心成功演示了第四代碳化硅(SiC)功率MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)芯片,這將提升切換速度、效率和耐用性。

圖片來源:GE Aerospace官網(wǎng)

據(jù)了解,這款最新一代的SiC功率器件芯片尺寸為5毫米×5毫米,提供1200V和11mΩ的電壓,擁有業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的200°C溫度額定。 隨著各行業(yè)在混合動力和純電動車(HEV和BEV)平臺中采用先進(jìn)半導(dǎo)體技術(shù),以及更高效的電力解決方案,這些先進(jìn)電力設(shè)備將在效率和功率密度上帶來重大突破,以滿足日益增長的能源和電力需求。

GE Aerospace 總裁兼總經(jīng)理Kris Shepherd表示:“我們最新的第四代SiC MOSFET在性能上帶來了飛躍性的變化,使其在汽車、可再生能源、人工智能數(shù)據(jù)中心和工業(yè)電力行業(yè)等多個行業(yè)中極具吸引力?!边@些行業(yè)有機(jī)會在所有這些應(yīng)用領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)效率、可靠性和功率密度的顯著提升?!?/p>

03、SemiQ推出新型SOT-227封裝高性能碳化硅模塊

11月13日,SemiQ Inc宣布推出了五款提供R功能的SOT-227模塊DSon(DSon)分別是7.4、14.5和34 mΩ。SemiQ的GCMS模塊采用肖特基勢場二極管(SBD),在高溫下開關(guān)損耗更低,尤其與非SBD的GCMX模塊相比。

圖片來源:SemiQ Inc官網(wǎng)

該設(shè)備面向中壓高功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用,包括電池充電器、光伏逆變器、服務(wù)器電源和儲能系統(tǒng)。所有模塊均通過晶圓級柵極氧化層燒入測試進(jìn)行篩查,電壓超過1400伏,并進(jìn)行了800 mJ的雪崩測試(34 mΩ模塊為330 mJ),它們專為堅固、易于安裝和熱性能而設(shè)計,具有隔離背板和直接安裝到散熱器的能力。

7.4mΩ GCMX007C120S1-E1模塊實(shí)現(xiàn)了4.66mJ(3.72mJ導(dǎo)通,0.94mJ關(guān)斷)的低開關(guān)損耗和593nC的體二極管反向恢復(fù)電荷。結(jié)到殼的熱阻范圍為0.23°C/W至0.70°C/W,具體取決于模塊。

資料顯示,SemiQ Inc是一家總部位于美國的碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體專業(yè)企業(yè),專注為高壓場景提供高性能碳化硅解決方案,產(chǎn)品包括分立、模塊和裸芯片格式的MOSFET和二極管等。

(集邦化合物半導(dǎo)體 金水 整理)

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