6000萬元,氮化鎵相關(guān)廠商布局光刻機賽道

作者 | 發(fā)布日期 2025 年 11 月 20 日 13:57 | 分類 企業(yè) , 氮化鎵GaN

11月18日,北京賽微電子股份有限公司(簡稱“賽微電子”)發(fā)布公告,計劃以不超過6000萬元的交易總價收購北京芯東來半導(dǎo)體科技有限公司的部分股權(quán)。

賽微電子擬分別購買芯東來原股東海南依邁、智能傳感產(chǎn)業(yè)基金、潯元投資、海創(chuàng)智能裝備持有的4.11%、3.00%、2.80%和1.09%股權(quán),合計不超過公司總股本的11%。此次收購估值約5.20億元,屬于關(guān)聯(lián)交易但不構(gòu)成重大資產(chǎn)重組,已通過董事會審議,無需提交股東大會。

圖片來源:賽微電子公告截圖

資料顯示,芯東來是一家專注于光刻機整機研發(fā)、生產(chǎn)與服務(wù)的企業(yè),成立于2023年,業(yè)務(wù)涵蓋光刻機再造、新機安裝調(diào)試及零配件供應(yīng),能夠提供完整的光刻機解決方案。

此次收購后,芯東來將成為賽微電子的參股子公司。賽微電子表示,此舉旨在完善半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈布局、降低關(guān)鍵設(shè)備供應(yīng)風(fēng)險、提升國產(chǎn)光刻機的應(yīng)用比例,從而加強公司在半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域的競爭力。

賽微電子成立于2008年,2015年在創(chuàng)業(yè)板掛牌上市,是國內(nèi)領(lǐng)先的MEMS芯片制造商,同時涉足GaN外延材料、半導(dǎo)體設(shè)備銷售以及晶圓級封裝測試等業(yè)務(wù)。

在氮化鎵領(lǐng)域,賽微電子已具備6?8英寸GaN?on?Si(硅基)以及GaN?on?SiC(碳化硅基)外延材料的成熟生長工藝,并在青島擁有8英寸GaN外延晶圓產(chǎn)線。

此外,賽微電子自2018年起,持續(xù)參股聚能創(chuàng)芯。聚能創(chuàng)芯擁有6?8英寸硅基GaN外延材料、功率器件和芯片設(shè)計全鏈路技術(shù),是賽微電子實現(xiàn)國產(chǎn)化、降低對國外光刻機/外延材料依賴的重要布局。

在今年6月,賽微電子宣布將其全資子公司——瑞典Silex Micro systems AB的45.24%控股股權(quán)轉(zhuǎn)讓給包括Bure、Creades在內(nèi)的七位交易方,交易對價為23.75億瑞典克朗,約合人民幣17.83億元。此舉有利于其優(yōu)化資源配置、聚焦國內(nèi)半導(dǎo)體業(yè)務(wù)。

 

(集邦化合物半導(dǎo)體 Niko 整理)

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