近日，國內(nèi)氮化鎵（GaN）產(chǎn)業(yè)迎來新突破。鎵奧科技成功點(diǎn)亮國內(nèi)首個(gè)5000W-7000W級負(fù)壓直驅(qū)GaN封裝樣機(jī)，填補(bǔ)國內(nèi)千瓦級高壓直驅(qū)技術(shù)空白；南芯科技推出700V高壓GaN半橋功率芯片SC3610，以高集成、高精度驅(qū)動性能適配高端電源場景。
兩項(xiàng)成果分別聚焦大功率工業(yè)級應(yīng)用與高壓芯片產(chǎn)品落地，標(biāo)志著我國第三代半導(dǎo)體技術(shù)在高功率、高壓領(lǐng)域的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程全面提速。
鎵奧科技打造中國首個(gè)“負(fù)壓直驅(qū)”千瓦級GaN器件
11月24日，#鎵奧科技 宣布成功實(shí)現(xiàn)國內(nèi)首個(gè)5000W-7000W級負(fù)壓直驅(qū)GaN封裝樣機(jī)的點(diǎn)亮，標(biāo)志著中國GaN技術(shù)正式進(jìn)入千瓦級高可靠性應(yīng)用的新階段。
圖片來源：鎵奧科技
作為第三代半導(dǎo)體核心材料，氮化鎵憑借高耐壓、低寄生參數(shù)、耐高溫等優(yōu)勢，成為高功率密度電源的理想選擇。但長期以來，柵極脆弱、失效率高、電磁干擾（EMI）嚴(yán)重等問題，制約了其向千瓦級大功率場景的突破，當(dāng)前市場主流產(chǎn)品仍集中于百瓦級消費(fèi)電子快充領(lǐng)域。而負(fù)壓直驅(qū)技術(shù)作為解決這一痛點(diǎn)的關(guān)鍵方案，國內(nèi)長期處于技術(shù)遲滯狀態(tài)。
根據(jù)鎵奧科技介紹，鎵奧科技自2021年起啟動相關(guān)研發(fā)項(xiàng)目，歷經(jīng)四年技術(shù)攻堅(jiān)完成多代柵驅(qū)系統(tǒng)迭代，通過全鏈路協(xié)同設(shè)計(jì)與數(shù)十輪關(guān)鍵環(huán)節(jié)優(yōu)化，構(gòu)建了可重構(gòu)雙模式D-GaN負(fù)壓直驅(qū)芯片架構(gòu)。
該架構(gòu)實(shí)現(xiàn)了負(fù)壓生成與柵極能量回收的單芯片集成，將外部驅(qū)動電感大幅縮減，并使柵極充電功率損耗降低40%，有效解決了傳統(tǒng)氮化鎵器件在高功率下的誤導(dǎo)通、開關(guān)失控等難題，同時(shí)顯著提升了系統(tǒng)抗干擾能力與集成度。
值得關(guān)注的是，該樣機(jī)嚴(yán)格遵循工業(yè)級標(biāo)準(zhǔn)，已完成高壓高溫老化、功率循環(huán)、柵壓沖擊等多維度可靠性測試，確保在復(fù)雜工況下的穩(wěn)定運(yùn)行。
其應(yīng)用場景覆蓋數(shù)據(jù)中心電源、車載充電器（OBC）、新能源儲能逆變器、低空經(jīng)濟(jì)設(shè)備電控等多個(gè)高價(jià)值領(lǐng)域，可通過提升功率密度與效率，幫助下游場景降低熱管理成本、縮小設(shè)備體積，為人工智能、新能源汽車、工業(yè)自動化等產(chǎn)業(yè)升級提供核心支撐。
據(jù)了解，鎵奧科技總部位于浙江湖州，在深圳、香港設(shè)有全資子公司，專注于中大功率氮化鎵器件與模組的研發(fā)銷售。此次樣機(jī)點(diǎn)亮后，相關(guān)產(chǎn)品預(yù)計(jì)2026年正式向客戶提供樣品，將助力國內(nèi)產(chǎn)業(yè)鏈在第三代半導(dǎo)體高功率領(lǐng)域搶占市場先機(jī)，推動我國氮化鎵技術(shù)從消費(fèi)電子向工業(yè)級、車規(guī)級等高價(jià)值賽道全面延伸。
南芯科技推出700V高壓GaN半橋功率芯片
11月25日，#南芯科技?宣布推出700V高壓GaN半橋功率芯片SC3610，可實(shí)現(xiàn)高精度電壓驅(qū)動、更優(yōu)的通道延時(shí)匹配和更好的EMI性能。SC3610特別適用于高頻軟開關(guān)電路應(yīng)用，如LLC、AHB（不對稱半橋反激）等拓?fù)?，為AI服務(wù)器電源、大功率工業(yè)電源、電機(jī)驅(qū)動等應(yīng)用提供更加高效可靠的電力支持。
圖片來源：南芯科技
據(jù)介紹，SC3610集成高壓半橋隔離驅(qū)動和兩顆700V增強(qiáng)型GaNFET，可大幅降低系統(tǒng)成本和PCB占位面積。SC3610為每個(gè)GaNFET提供穩(wěn)定的差分驅(qū)動電壓，極大減少了驅(qū)動回路的寄生參數(shù)，既簡化了外圍元件，還能大幅提升GaN器件的可靠性。
資料顯示，南芯科技成立于2015年，2023年在科創(chuàng)板上市，主營業(yè)務(wù)是模擬與嵌入式芯片的研發(fā)、設(shè)計(jì)和銷售，專注為消費(fèi)電子、工業(yè)和汽車電子領(lǐng)域提供高性能電源及電池管理完整解決方案。
根據(jù)企業(yè)2025年三季度財(cái)報(bào)數(shù)據(jù)，南芯科技經(jīng)營表現(xiàn)穩(wěn)健，累計(jì)前三季度實(shí)現(xiàn)營業(yè)收入23.8億元，凈利潤1.88億元。其中Q3單季度營收9.10億元，同比增長40.26%，增長勢頭顯著。
南芯科技在氮化鎵（GaN）領(lǐng)域以高集成合封技術(shù)為核心，形成了覆蓋消費(fèi)電子快充、逐步拓展至車規(guī)級場景的完善布局，憑借持續(xù)的研發(fā)投入和產(chǎn)品落地，逐漸成為氮化鎵快充領(lǐng)域的核心方案供應(yīng)商之一。
公開資料顯示，目前南芯的氮化鎵合封芯片已獲得眾多頭部消費(fèi)電子品牌認(rèn)可并批量出貨。在消費(fèi)電子領(lǐng)域，紫米30W氮化鎵充電器、倍思30WGaN3充電器、威源新能30W1A1C氮化鎵充電器等均采用其氮化鎵芯片；小米、OPPO、vivo、榮耀等大廠也已深度導(dǎo)入其POWERQUARK?全集成反激方案（含氮化鎵技術(shù)）。
此外，南芯科技并未局限于消費(fèi)電子快充領(lǐng)域，正積極向高價(jià)值的車規(guī)級氮化鎵市場拓展。其首批車規(guī)GaNPFC芯片已進(jìn)入車企驗(yàn)證階段，預(yù)計(jì)2026年實(shí)現(xiàn)放量。
南芯科技緊跟氮化鎵（GaN）等第三代半導(dǎo)體材料應(yīng)用趨勢，是順應(yīng)行業(yè)技術(shù)迭代、契合自身業(yè)務(wù)布局且搶抓市場機(jī)遇的必然選擇。而氮化鎵憑借諸多性能優(yōu)勢，在多個(gè)高價(jià)值領(lǐng)域擁有廣泛應(yīng)用場景。
（集邦化合物半導(dǎo)體整理）
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