近日，國內氮化鎵（GaN）產業(yè)迎來新突破。鎵奧科技成功點亮國內首個5000W-7000W級負壓直驅GaN封裝樣機，填補國內千瓦級高壓直驅技術空白；南芯科技推出700V高壓GaN半橋功率芯片SC3610，以高集成、高精度驅動性能適配高端電源場景。
兩項成果分別聚焦大功率工業(yè)級應用與高壓芯片產品落地，標志著我國第三代半導體技術在高功率、高壓領域的研發(fā)與產業(yè)化進程全面提速。
鎵奧科技打造中國首個“負壓直驅”千瓦級GaN器件
11月24日，#鎵奧科技 宣布成功實現(xiàn)國內首個5000W-7000W級負壓直驅GaN封裝樣機的點亮，標志著中國GaN技術正式進入千瓦級高可靠性應用的新階段。
圖片來源：鎵奧科技
作為第三代半導體核心材料，氮化鎵憑借高耐壓、低寄生參數(shù)、耐高溫等優(yōu)勢，成為高功率密度電源的理想選擇。但長期以來，柵極脆弱、失效率高、電磁干擾（EMI）嚴重等問題，制約了其向千瓦級大功率場景的突破，當前市場主流產品仍集中于百瓦級消費電子快充領域。而負壓直驅技術作為解決這一痛點的關鍵方案，國內長期處于技術遲滯狀態(tài)。
根據(jù)鎵奧科技介紹，鎵奧科技自2021年起啟動相關研發(fā)項目，歷經四年技術攻堅完成多代柵驅系統(tǒng)迭代，通過全鏈路協(xié)同設計與數(shù)十輪關鍵環(huán)節(jié)優(yōu)化，構建了可重構雙模式D-GaN負壓直驅芯片架構。
該架構實現(xiàn)了負壓生成與柵極能量回收的單芯片集成，將外部驅動電感大幅縮減，并使柵極充電功率損耗降低40%，有效解決了傳統(tǒng)氮化鎵器件在高功率下的誤導通、開關失控等難題，同時顯著提升了系統(tǒng)抗干擾能力與集成度。
值得關注的是，該樣機嚴格遵循工業(yè)級標準，已完成高壓高溫老化、功率循環(huán)、柵壓沖擊等多維度可靠性測試，確保在復雜工況下的穩(wěn)定運行。
其應用場景覆蓋數(shù)據(jù)中心電源、車載充電器（OBC）、新能源儲能逆變器、低空經濟設備電控等多個高價值領域，可通過提升功率密度與效率，幫助下游場景降低熱管理成本、縮小設備體積，為人工智能、新能源汽車、工業(yè)自動化等產業(yè)升級提供核心支撐。
據(jù)了解，鎵奧科技總部位于浙江湖州，在深圳、香港設有全資子公司，專注于中大功率氮化鎵器件與模組的研發(fā)銷售。此次樣機點亮后，相關產品預計2026年正式向客戶提供樣品，將助力國內產業(yè)鏈在第三代半導體高功率領域搶占市場先機，推動我國氮化鎵技術從消費電子向工業(yè)級、車規(guī)級等高價值賽道全面延伸。
南芯科技推出700V高壓GaN半橋功率芯片
11月25日，#南芯科技?宣布推出700V高壓GaN半橋功率芯片SC3610，可實現(xiàn)高精度電壓驅動、更優(yōu)的通道延時匹配和更好的EMI性能。SC3610特別適用于高頻軟開關電路應用，如LLC、AHB（不對稱半橋反激）等拓撲，為AI服務器電源、大功率工業(yè)電源、電機驅動等應用提供更加高效可靠的電力支持。
圖片來源：南芯科技
據(jù)介紹，SC3610集成高壓半橋隔離驅動和兩顆700V增強型GaNFET，可大幅降低系統(tǒng)成本和PCB占位面積。SC3610為每個GaNFET提供穩(wěn)定的差分驅動電壓，極大減少了驅動回路的寄生參數(shù)，既簡化了外圍元件，還能大幅提升GaN器件的可靠性。
資料顯示，南芯科技成立于2015年，2023年在科創(chuàng)板上市，主營業(yè)務是模擬與嵌入式芯片的研發(fā)、設計和銷售，專注為消費電子、工業(yè)和汽車電子領域提供高性能電源及電池管理完整解決方案。
根據(jù)企業(yè)2025年三季度財報數(shù)據(jù)，南芯科技經營表現(xiàn)穩(wěn)健，累計前三季度實現(xiàn)營業(yè)收入23.8億元，凈利潤1.88億元。其中Q3單季度營收9.10億元，同比增長40.26%，增長勢頭顯著。
南芯科技在氮化鎵（GaN）領域以高集成合封技術為核心，形成了覆蓋消費電子快充、逐步拓展至車規(guī)級場景的完善布局，憑借持續(xù)的研發(fā)投入和產品落地，逐漸成為氮化鎵快充領域的核心方案供應商之一。
公開資料顯示，目前南芯的氮化鎵合封芯片已獲得眾多頭部消費電子品牌認可并批量出貨。在消費電子領域，紫米30W氮化鎵充電器、倍思30WGaN3充電器、威源新能30W1A1C氮化鎵充電器等均采用其氮化鎵芯片；小米、OPPO、vivo、榮耀等大廠也已深度導入其POWERQUARK?全集成反激方案（含氮化鎵技術）。
此外，南芯科技并未局限于消費電子快充領域，正積極向高價值的車規(guī)級氮化鎵市場拓展。其首批車規(guī)GaNPFC芯片已進入車企驗證階段，預計2026年實現(xiàn)放量。
南芯科技緊跟氮化鎵（GaN）等第三代半導體材料應用趨勢，是順應行業(yè)技術迭代、契合自身業(yè)務布局且搶抓市場機遇的必然選擇。而氮化鎵憑借諸多性能優(yōu)勢，在多個高價值領域擁有廣泛應用場景。
（集邦化合物半導體整理）
更多SiC和GaN的市場資訊，請關注微信公眾賬號：集邦化合物半導體。