近日，硅來(lái)半導(dǎo)體（武漢）有限公司（以下簡(jiǎn)稱“硅來(lái)”）第三批兼容12英寸碳化硅襯底激光剝離量產(chǎn)設(shè)備順利交付客戶。本次交付標(biāo)志著硅來(lái)超大尺寸碳化硅襯底激光剝離技術(shù)已經(jīng)成功通過(guò)產(chǎn)業(yè)化檢驗(yàn)，將為碳化硅產(chǎn)業(yè)發(fā)展注入新的動(dòng)能。
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圖片來(lái)源：硅來(lái)半導(dǎo)體
01、自主創(chuàng)新工藝領(lǐng)先，解決超大尺寸碳化硅加工難題
硅來(lái)核心研發(fā)團(tuán)隊(duì)來(lái)自華中科技大學(xué)激光學(xué)科，技術(shù)創(chuàng)新能力強(qiáng)，且深耕激光產(chǎn)業(yè)多年。團(tuán)隊(duì)針對(duì)莫氏硬度高達(dá)9.5、接近于金剛石的SiC單晶，自主創(chuàng)新激光剝離技術(shù)，先后推出6英寸、8英寸和12英寸碳化硅襯底激光剝離量產(chǎn)設(shè)備。
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與行業(yè)現(xiàn)有技術(shù)路線相比，硅來(lái)設(shè)備具備明顯的差異化技術(shù)優(yōu)勢(shì)。
在硬件設(shè)計(jì)上，公司獨(dú)創(chuàng)性采用SOC組合光源，相比多臺(tái)獨(dú)立光源方案具備更高集成度和穩(wěn)定性；同時(shí)搭載自由曲面光路整形技術(shù)，并配備“白光干涉面形檢測(cè)+反演算法補(bǔ)償”技術(shù)，可靠性突出。該設(shè)備支持不同電阻率碳化硅晶體工藝定制，可承載更高能量，且具備無(wú)老化、無(wú)壽命限制、強(qiáng)抗干擾等特性。此外，設(shè)備同時(shí)支持6、8、12英寸規(guī)格，定位精度與非標(biāo)尺寸兼容性滿足生產(chǎn)要求。單臺(tái)1.2m*1.4m的設(shè)備即可完成切割全工序與自動(dòng)上下料，在保證全自動(dòng)化高性能運(yùn)行的前提下，大幅節(jié)省車間布局空間。
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在關(guān)鍵加工指標(biāo)上，其激光剝離工藝顯著優(yōu)于傳統(tǒng)線切割工藝。在加工效率方面，8英寸單片激光剝離時(shí)間小于15分鐘，較傳統(tǒng)線切工藝提升20-30倍；在原料損耗方面，8英寸單片加工損耗僅為60-80μm，較傳統(tǒng)線切降低60%，且加工過(guò)程中不使用任何耗材及化學(xué)試劑；在產(chǎn)出效益方面，相較傳統(tǒng)線切工藝，出片量提升30%，單片加工成本降低50%。
02、把握碳化硅產(chǎn)業(yè)風(fēng)口，硅來(lái)獲市場(chǎng)與資本高度認(rèn)可
作為第三代半導(dǎo)體代表材料，碳化硅具有禁帶寬度大、熔點(diǎn)高、熱導(dǎo)率高等性能優(yōu)勢(shì)，廣泛應(yīng)用于新能源汽車、智能電網(wǎng)、5G通信等領(lǐng)域。目前，8英寸和12英寸碳化硅襯底能夠進(jìn)一步擴(kuò)大單片晶圓上的芯片制造面積，在同等生產(chǎn)條件下可顯著提升產(chǎn)量、降低成本。
憑借領(lǐng)先的技術(shù)實(shí)力，硅來(lái)激光剝離設(shè)備獲得了市場(chǎng)的高度認(rèn)可。在不到半年時(shí)間內(nèi)，硅來(lái)累計(jì)出貨數(shù)十套設(shè)備，廣泛覆蓋國(guó)內(nèi)多家頭部碳化硅企業(yè)。得益于模塊化的設(shè)計(jì)和產(chǎn)業(yè)協(xié)同，公司已實(shí)現(xiàn)規(guī)?；慨a(chǎn)，設(shè)備的批量交付周期為28天，未來(lái)有望縮短至14天。
在資本層面，硅來(lái)已經(jīng)成功引入武漢帝爾激光科技股份有限公司等戰(zhàn)略投資者。作為全球領(lǐng)先的激光精密微納加工裝備制造企業(yè)，帝爾激光在半導(dǎo)體領(lǐng)域已推出多款領(lǐng)先設(shè)備，雙方的協(xié)同創(chuàng)新將進(jìn)一步鞏固硅來(lái)在核心賽道的競(jìng)爭(zhēng)力。此外，公司同步布局硅光芯片核心裝備領(lǐng)域，自主研發(fā)的硅光芯片激光隱切設(shè)備已成功出口海外，將成為未來(lái)主要主力機(jī)型之一。
03、結(jié)語(yǔ)
未來(lái)，硅來(lái)將聚焦半導(dǎo)體激光裝備核心賽道，持續(xù)優(yōu)化SoC光源、自由曲面光路等核心技術(shù)，深化與帝爾激光的協(xié)同創(chuàng)新。公司將繼續(xù)以更先進(jìn)的技術(shù)、更優(yōu)質(zhì)的服務(wù)賦能碳化硅襯底產(chǎn)業(yè)發(fā)展，推動(dòng)多個(gè)領(lǐng)域的技術(shù)變革。
（集邦化合物半導(dǎo)體整理）
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