近日，硅來半導體（武漢）有限公司（以下簡稱“硅來”）第三批兼容12英寸碳化硅襯底激光剝離量產(chǎn)設備順利交付客戶。本次交付標志著硅來超大尺寸碳化硅襯底激光剝離技術(shù)已經(jīng)成功通過產(chǎn)業(yè)化檢驗，將為碳化硅產(chǎn)業(yè)發(fā)展注入新的動能。
圖片來源：硅來半導體
01、自主創(chuàng)新工藝領(lǐng)先，解決超大尺寸碳化硅加工難題
硅來核心研發(fā)團隊來自華中科技大學激光學科，技術(shù)創(chuàng)新能力強，且深耕激光產(chǎn)業(yè)多年。團隊針對莫氏硬度高達9.5、接近于金剛石的SiC單晶，自主創(chuàng)新激光剝離技術(shù)，先后推出6英寸、8英寸和12英寸碳化硅襯底激光剝離量產(chǎn)設備。
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與行業(yè)現(xiàn)有技術(shù)路線相比，硅來設備具備明顯的差異化技術(shù)優(yōu)勢。
在硬件設計上，公司獨創(chuàng)性采用SOC組合光源，相比多臺獨立光源方案具備更高集成度和穩(wěn)定性；同時搭載自由曲面光路整形技術(shù)，并配備“白光干涉面形檢測+反演算法補償”技術(shù)，可靠性突出。該設備支持不同電阻率碳化硅晶體工藝定制，可承載更高能量，且具備無老化、無壽命限制、強抗干擾等特性。此外，設備同時支持6、8、12英寸規(guī)格，定位精度與非標尺寸兼容性滿足生產(chǎn)要求。單臺1.2m*1.4m的設備即可完成切割全工序與自動上下料，在保證全自動化高性能運行的前提下，大幅節(jié)省車間布局空間。
圖片來源：硅來半導體
在關(guān)鍵加工指標上，其激光剝離工藝顯著優(yōu)于傳統(tǒng)線切割工藝。在加工效率方面，8英寸單片激光剝離時間小于15分鐘，較傳統(tǒng)線切工藝提升20-30倍；在原料損耗方面，8英寸單片加工損耗僅為60-80μm，較傳統(tǒng)線切降低60%，且加工過程中不使用任何耗材及化學試劑；在產(chǎn)出效益方面，相較傳統(tǒng)線切工藝，出片量提升30%，單片加工成本降低50%。
02、把握碳化硅產(chǎn)業(yè)風口，硅來獲市場與資本高度認可
作為第三代半導體代表材料，碳化硅具有禁帶寬度大、熔點高、熱導率高等性能優(yōu)勢，廣泛應用于新能源汽車、智能電網(wǎng)、5G通信等領(lǐng)域。目前，8英寸和12英寸碳化硅襯底能夠進一步擴大單片晶圓上的芯片制造面積，在同等生產(chǎn)條件下可顯著提升產(chǎn)量、降低成本。
憑借領(lǐng)先的技術(shù)實力，硅來激光剝離設備獲得了市場的高度認可。在不到半年時間內(nèi)，硅來累計出貨數(shù)十套設備，廣泛覆蓋國內(nèi)多家頭部碳化硅企業(yè)。得益于模塊化的設計和產(chǎn)業(yè)協(xié)同，公司已實現(xiàn)規(guī)?；慨a(chǎn)，設備的批量交付周期為28天，未來有望縮短至14天。
在資本層面，硅來已經(jīng)成功引入武漢帝爾激光科技股份有限公司等戰(zhàn)略投資者。作為全球領(lǐng)先的激光精密微納加工裝備制造企業(yè)，帝爾激光在半導體領(lǐng)域已推出多款領(lǐng)先設備，雙方的協(xié)同創(chuàng)新將進一步鞏固硅來在核心賽道的競爭力。此外，公司同步布局硅光芯片核心裝備領(lǐng)域，自主研發(fā)的硅光芯片激光隱切設備已成功出口海外，將成為未來主要主力機型之一。
03、結(jié)語
未來，硅來將聚焦半導體激光裝備核心賽道，持續(xù)優(yōu)化SoC光源、自由曲面光路等核心技術(shù)，深化與帝爾激光的協(xié)同創(chuàng)新。公司將繼續(xù)以更先進的技術(shù)、更優(yōu)質(zhì)的服務賦能碳化硅襯底產(chǎn)業(yè)發(fā)展，推動多個領(lǐng)域的技術(shù)變革。
（集邦化合物半導體整理）
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