近日，由#江蘇第三代半導(dǎo)體研究院有限公司、國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（蘇州）聯(lián)合承擔(dān)的江蘇省集萃研究員項目——“六英寸碳化硅晶錠激光隱形切割技術(shù)研發(fā)”取得重大技術(shù)突破，相關(guān)成果已由項目承擔(dān)單位官方披露，核心技術(shù)指標(biāo)達(dá)到行業(yè)先進水平，為我國碳化硅產(chǎn)業(yè)自主化發(fā)展提供重要支撐。
圖片來源：江蘇第三代半導(dǎo)體研究院
據(jù)悉，江蘇省集萃研究員計劃是江蘇省產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院啟動實施的重點人才與技術(shù)研發(fā)項目，旨在集聚優(yōu)質(zhì)創(chuàng)新資源，攻克產(chǎn)業(yè)關(guān)鍵核心技術(shù)，截至目前已啟動超100項高水平技術(shù)研發(fā)項目，成為推動產(chǎn)業(yè)技術(shù)升級的重要力量。本次取得突破的項目正是該計劃扶持的重點項目之一。
作為第三代半導(dǎo)體核心材料，碳化硅（SiC）硬度高、脆性大，其晶錠切割一直是產(chǎn)業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵瓶頸，傳統(tǒng)切割工藝存在效率低、損耗高、良率不足等問題，嚴(yán)重制約碳化硅襯底及后續(xù)器件的產(chǎn)業(yè)化進程。此次突破的激光隱形切割技術(shù)，在核心性能上實現(xiàn)全方位提升。
據(jù)項目承擔(dān)單位官方披露，該技術(shù)在碳化硅晶錠切割效率、良率、損傷控制及減薄精度等方面實現(xiàn)多項關(guān)鍵突破，有效解決了傳統(tǒng)工藝的痛點。其切割效率較傳統(tǒng)線切割工藝大幅提升，單片切割耗時顯著縮短，同時晶錠損耗率大幅降低，切割良率穩(wěn)步提升，遠(yuǎn)超行業(yè)平均水平。
國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（蘇州）作為項目核心承擔(dān)單位之一，長期聚焦第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)關(guān)鍵共性技術(shù)攻關(guān)，搭建了產(chǎn)學(xué)研協(xié)同、開放共享的創(chuàng)新平臺，目前已集聚多種創(chuàng)新要素，服務(wù)企業(yè)和科研機構(gòu)超500家，攻克多項“卡脖子”技術(shù)。江蘇第三代半導(dǎo)體研究院有限公司則依托自身研發(fā)優(yōu)勢，與該中心形成協(xié)同創(chuàng)新合力，加速技術(shù)研發(fā)與成果轉(zhuǎn)化。
此次技術(shù)突破，不僅填補了國內(nèi)六英寸碳化硅晶錠激光隱形切割領(lǐng)域的技術(shù)空白，打破了國外技術(shù)壟斷，還將大幅降低碳化硅襯底生產(chǎn)成本，提升我國碳化硅產(chǎn)業(yè)的核心競爭力，為新能源汽車、智能電網(wǎng)、5G通信等領(lǐng)域的半導(dǎo)體器件國產(chǎn)化提供重要技術(shù)保障，助力我國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展。
（集邦化合物半導(dǎo)體整理）
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