11月8日，廣東致能科技有限公司首發(fā)1200V 耗盡型（D-Mode）高可靠性氮化鎵（GaN）器件平臺。在滿足1200V系統(tǒng)可靠性條件下，本征擊穿已經(jīng)達(dá)到2400V，可用于工業(yè)、新能源、汽車等領(lǐng)域。
資料顯示，致能科技成立于2018年12月，公司總部位于廣州，在徐州、深圳、上海等地設(shè)有生產(chǎn)研發(fā)基地和市場銷售中心。公司致力于氮化鎵功率半導(dǎo)體器件的研發(fā)與生產(chǎn)，已建成外延、器件、封裝、系統(tǒng)的全鏈條研發(fā)及生產(chǎn)能力。
值得一提的是，致能科技已量產(chǎn)的第一代橫向氮化鎵功率器件產(chǎn)品在生產(chǎn)良率、工藝水平、系統(tǒng)效率及可靠性試驗等方面已做到業(yè)內(nèi)領(lǐng)先。
據(jù)悉，氮化鎵作為新興的寬禁帶半導(dǎo)體材料，以其為基礎(chǔ)的氮化鎵功率器件已成為第三代功率半導(dǎo)體的主要發(fā)展方向之一。氮化鎵功率器件具有速度快、能耗低、應(yīng)用范圍廣等優(yōu)點，可大幅降低應(yīng)用系統(tǒng)的體積與成本，是支撐儲能、電動汽車、5G通信等產(chǎn)業(yè)未來發(fā)展的核心基礎(chǔ)部件。
圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫
目前，氮化鎵功率器件主要有增強(qiáng)型（E-Mode）和耗盡型兩大技術(shù)路線，增強(qiáng)型是常關(guān)器件，耗盡型則是常開器件。從主流玩家方面來看，納微半導(dǎo)體、英飛凌、GaN Systems、EPC、英諾賽科以及氮矽科技等企業(yè)采用增強(qiáng)型設(shè)計路線；Transphorm、PI、TI、Nexperia、鎵未來以及華潤微等公司則采用耗盡型設(shè)計路線。
今年10月，PI推出了1250V D-Mode氮化鎵產(chǎn)品，這是全球首顆額定耐壓最高的單管氮化鎵功率IC，采用了PI自有PowiGaN?開關(guān)技術(shù)，強(qiáng)化了公司在高壓GaN技術(shù)領(lǐng)域的持續(xù)領(lǐng)先地位，具有里程碑意義。
致能科技本次發(fā)布1200V D-Mode氮化鎵器件平臺，同樣創(chuàng)造了國內(nèi)氮化鎵產(chǎn)業(yè)發(fā)展的新歷史。（化合物半導(dǎo)體市場Zac整理）
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