11月8日，廣東致能科技有限公司首發(fā)1200V 耗盡型（D-Mode）高可靠性氮化鎵（GaN）器件平臺。在滿足1200V系統可靠性條件下，本征擊穿已經達到2400V，可用于工業(yè)、新能源、汽車等領域。
資料顯示，致能科技成立于2018年12月，公司總部位于廣州，在徐州、深圳、上海等地設有生產研發(fā)基地和市場銷售中心。公司致力于氮化鎵功率半導體器件的研發(fā)與生產，已建成外延、器件、封裝、系統的全鏈條研發(fā)及生產能力。
值得一提的是，致能科技已量產的第一代橫向氮化鎵功率器件產品在生產良率、工藝水平、系統效率及可靠性試驗等方面已做到業(yè)內領先。
據悉，氮化鎵作為新興的寬禁帶半導體材料，以其為基礎的氮化鎵功率器件已成為第三代功率半導體的主要發(fā)展方向之一。氮化鎵功率器件具有速度快、能耗低、應用范圍廣等優(yōu)點，可大幅降低應用系統的體積與成本，是支撐儲能、電動汽車、5G通信等產業(yè)未來發(fā)展的核心基礎部件。
圖片來源：拍信網正版圖庫
目前，氮化鎵功率器件主要有增強型（E-Mode）和耗盡型兩大技術路線，增強型是常關器件，耗盡型則是常開器件。從主流玩家方面來看，納微半導體、英飛凌、GaN Systems、EPC、英諾賽科以及氮矽科技等企業(yè)采用增強型設計路線；Transphorm、PI、TI、Nexperia、鎵未來以及華潤微等公司則采用耗盡型設計路線。
今年10月，PI推出了1250V D-Mode氮化鎵產品，這是全球首顆額定耐壓最高的單管氮化鎵功率IC，采用了PI自有PowiGaN?開關技術，強化了公司在高壓GaN技術領域的持續(xù)領先地位，具有里程碑意義。
致能科技本次發(fā)布1200V D-Mode氮化鎵器件平臺，同樣創(chuàng)造了國內氮化鎵產業(yè)發(fā)展的新歷史。（化合物半導體市場Zac整理）
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