11月22日，日本芯片材料制造商Resonac宣布，將在美國(guó)硅谷設(shè)立一個(gè)先進(jìn)半導(dǎo)體封裝和材料研發(fā)中心。Resonac已開(kāi)始就新研發(fā)中心開(kāi)展設(shè)備引進(jìn)等工作，計(jì)劃在無(wú)塵室和設(shè)備準(zhǔn)備就緒后于2025年開(kāi)始運(yùn)營(yíng)。
同日Resonac宣布作為日本首家戰(zhàn)略材料制造合作伙伴加入位于美國(guó)得克薩斯州的半導(dǎo)體相關(guān)制造商聯(lián)盟“得克薩斯電子研究所”（TIE），后者的成員還包括AMD、美光科技、英特爾、應(yīng)用材料等公司。
資料顯示，Resonac前身為昭和電工（Showa Denko），是一家先進(jìn)的薄膜等封裝材料制造商。
作為一家先進(jìn)半導(dǎo)體材料廠商，發(fā)力以SiC、GaN為代表的第三代半導(dǎo)體材料是其必由之路?，F(xiàn)實(shí)也確實(shí)如此，Resonac正聚焦SiC材料。
事實(shí)上，Resonac早在2010年就開(kāi)始研發(fā)SiC外延技術(shù)，并在2015年推出第一代SiC外延技術(shù)，隨后在2019年推出每平方厘米SiC外延膜缺陷低于0.1個(gè)的第二代SiC外延技術(shù)。在這近十年時(shí)間內(nèi)，Resonac深耕技術(shù)研發(fā)，積蓄力量，等待爆發(fā)。
圖片來(lái)源：拍信網(wǎng)正版圖庫(kù)
近年來(lái)，Resonac加快了研發(fā)腳步，也迎來(lái)了收獲時(shí)刻。從2022年3月以6英寸線(xiàn)進(jìn)行第二代SiC外延片量產(chǎn)出貨，到Resonac從2022年9月起提供8英寸SiC外延片樣品，再到2023年3月開(kāi)始提供第三代SiC外延片樣品，Resonac都是在短短半年時(shí)間實(shí)現(xiàn)了技術(shù)迭代升級(jí)，進(jìn)展迅速。
值得一提的是，Resonac的SiC材料業(yè)務(wù)，只提供襯底與外延產(chǎn)品，最終零件由客戶(hù)制造，因此Resonac和英飛凌、羅姆等半導(dǎo)體巨頭更多的是協(xié)同而非競(jìng)爭(zhēng)關(guān)系，攜手合作順理成章。
今年初，英飛凌擴(kuò)大與Resonac公司的合作。根據(jù)新協(xié)議，Resonac將為英飛凌提供用于生產(chǎn)SiC半導(dǎo)體的SiC材料，預(yù)計(jì)占其未來(lái)十年需求量的兩位數(shù)份額。作為合作的一部分，英飛凌將向Resonac提供與SiC材料技術(shù)相關(guān)的知識(shí)產(chǎn)權(quán)，這在一定程度上有助于Resonac提升SiC外延片技術(shù)和產(chǎn)品質(zhì)量。
或許是受供貨需求的刺激，Resonac推出了規(guī)模龐大的擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃。Resonac將使SiC外延片的產(chǎn)量在2026年之前增至月產(chǎn)5萬(wàn)片（按直徑6英寸換算），增至今年初產(chǎn)能的約5倍，到2025年還將開(kāi)始量產(chǎn)8英寸SiC襯底。
如果說(shuō)Resonac之前的客戶(hù)大多集中在歐亞，那么此次在硅谷設(shè)立研發(fā)中心，則吹響了大規(guī)模進(jìn)軍美國(guó)市場(chǎng)的號(hào)角。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）
更多SiC和GaN的市場(chǎng)資訊，請(qǐng)關(guān)注微信公眾賬號(hào)：集邦化合物半導(dǎo)體。