投資15億,吉盛微SiC項目在武漢啟動

作者 | 發(fā)布日期 2023 年 12 月 11 日 17:40 | 分類 企業(yè)

12月8日上午,吉盛微(武漢)新材料科技有限公司(以下簡稱吉盛微)武漢碳化硅(SiC)制造基地啟用儀式在武漢經(jīng)開區(qū)綜保區(qū)工業(yè)園舉行。

資料顯示,吉盛微成立于2023年3月,為盛吉盛(寧波)半導體科技有限公司(以下簡稱盛吉盛半導體)在武漢投資成立,公司主要從事半導體及泛半導體設備用CVD SiC原材料及 SiC部件、SiC Epi Wafer、CVD SiC設備的研發(fā)及生產(chǎn)制造。

盛吉盛半導體成立于2018年3月,是中芯國際牽頭,聯(lián)合韓國Triplecores、芯空間、芯鑫租賃等股東共同發(fā)起成立的半導體設備和關鍵零部件研發(fā)、生產(chǎn)和服務企業(yè),公司致力于推進關鍵半導體設備的國產(chǎn)化,核心業(yè)務包括半導體設備研發(fā)生產(chǎn)、半導體智能化與服務、半導體設備升級優(yōu)化三大板塊。

截至目前,盛吉盛已完成5輪融資,投資方包括定航資本、中青芯鑫、中芯熙誠、輕舟資本、融晗私募基金、中芯聚源、上海新陽等。其中,中芯聚源還曾投資SiC長晶設備企業(yè)晶升裝備以及氮化鎵(GaN)器件企業(yè)晶通半導體等企業(yè)。

圖片來源:拍信網(wǎng)正版圖庫

據(jù)悉,今年2月,盛吉盛半導體武漢SiC項目簽約落地武漢經(jīng)開區(qū),總投資約15億元,3月,吉盛微在武漢經(jīng)開區(qū)注冊成立,6月啟動生產(chǎn)線設計施工,8月入駐試生產(chǎn),項目預計2027年達產(chǎn),可實現(xiàn)年銷售收入10億元。

據(jù)介紹,目前,吉盛微已經(jīng)完成了刻蝕、擴散、外延、快速熱處理等多個工藝的零部件、耗材開發(fā)工作,部分產(chǎn)品填補了國內(nèi)空白,初步具備穩(wěn)定的生產(chǎn)供貨能力。

值得一提的是,8月25日,長飛先進與武漢東湖高新區(qū)簽約半導體合作項目,該項目總投資預計超過200億元,項目建設內(nèi)容包括第三代半導體外延、晶圓制造、封測等產(chǎn)線,建設完畢后將形成年產(chǎn)36萬片6英寸SiC襯底及外延、年產(chǎn)6100萬個功率器件模塊的能力,該項目預計2025年建設完成,或?qū)⒊蔀閲鴥?nèi)最大的SiC功率半導體制造基地。(集邦化合物半導體Zac整理)

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