近日，芯塔電子與中科海奧簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議，雙方將加深在光伏發(fā)電、儲能及微電網(wǎng)系統(tǒng)、節(jié)能服務(wù)等領(lǐng)域的功率器件供應(yīng)、應(yīng)用開發(fā)、技術(shù)創(chuàng)新等多方面合作。
source:芯塔電子
據(jù)介紹，芯塔電子已經(jīng)批量生產(chǎn)的第二代SiC MOSFET在器件優(yōu)值因子和柵極抗串擾性能方面實現(xiàn)了業(yè)界領(lǐng)先，即將發(fā)布的第三代SiC MOSFET在元胞層面實現(xiàn)了重大技術(shù)創(chuàng)新及整體性能提升。截至目前，芯塔電子SiC產(chǎn)品已經(jīng)在包括中科海奧在內(nèi)的數(shù)十家光儲頭部客戶批量導入。
中科海奧致力于電動汽車能源產(chǎn)品和節(jié)能環(huán)保電源產(chǎn)品的產(chǎn)業(yè)化，與中科海奧合作，有助于芯塔電子SiC器件產(chǎn)品加速進入新能源汽車以及光儲充等領(lǐng)域。
資料顯示，芯塔電子成立于2020年10月，是一家專注于提供第三代半導體功率器件和模塊整體解決方案的芯片公司，主要產(chǎn)品包括SiC SBD、SiC MOSFET、GaN HEMT等第三代半導體功率器件和模塊、驅(qū)動等。
SiC器件方面，2023年9月，芯塔電子發(fā)布自主研發(fā)的1700V/5Ω SiC MOSFET產(chǎn)品。該產(chǎn)品針對高端汽車級應(yīng)用開發(fā)，擊穿電壓達到2300V。據(jù)悉，芯塔電子1700V/5Ω SiC MOSFET的高耐壓簡化了應(yīng)用電路，提升了應(yīng)用方案可靠性，降低了系統(tǒng)成本。
值得一提的是，同在2023年9月，芯塔電子參與編寫的SiC半導體外延晶片全球首個SEMI國際標準——《4H-SiC同質(zhì)外延片標準》正式發(fā)布。
2023年12月，芯塔電子自主研發(fā)的120OV/80mΩ TO-2563-7封裝SiC MOSFET器件獲得第三方權(quán)威檢測機構(gòu)（廣電計量）全套AEC-Q101車規(guī)級可靠性認證。包括之前通過測試認證的650V/20A T0-252-3封裝SiC SBD產(chǎn)品在內(nèi)，芯塔電子已有兩款核心產(chǎn)品通過此項認證。AEC-Q101車規(guī)級可靠性認證通過，有助于芯塔電子拓展新能源車用市場。目前，芯塔電子1200V/80mΩ SiC MOSFET在頭部OBC企業(yè)通過測試，已進入批量導入階段。
成立至今，芯塔電子共完成兩輪融資，分別為2022年6月的數(shù)千萬人民幣天使輪和2023年6月的近億元人民幣Pre-A輪融資，投資方包括財通資本、禾創(chuàng)致遠、叢蓉投資、納川資本、方德信基金、蕪湖高新投等機構(gòu)，其中，禾創(chuàng)致遠已參與芯塔電子全部融資輪次。（集邦化合物半導體Zac整理）
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