出于對技術(shù)和市場的考量，不少企業(yè)將目光瞄準了近年來大火的第三代半導體。近日，日本Central Glass（中央玻璃）和美國Guerrilla RF公司分別就SiC和GaN領域展開新動作。
日本Central Glass液相法8英寸SiC晶圓項目新進展
近日，Central Glass（中央玻璃公司）宣布公司“高質(zhì)量8英寸SiC單晶/晶片制造技術(shù)開發(fā)”項目通過審查，被日本新能源和工業(yè)技術(shù)開發(fā)組織（NEDO）的視為綠色創(chuàng)新基金項目（項目期限為2022財年至2029財年）。
據(jù)了解，自2022年4月起，中央玻璃有限公司就已經(jīng)開始使用液相法研究和開發(fā)SiC晶圓。
此次該項目轉(zhuǎn)變?yōu)镹EDO綠色創(chuàng)新基金資助項目預計將加速公司使用液相法開發(fā)高質(zhì)量、成本競爭力的8英寸SiC單晶晶圓的研發(fā)，有助于公司大規(guī)模生產(chǎn)和實際應用世界級高質(zhì)量的8英寸SiC晶圓。
圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫
美國Guerrilla RF收購Gallium Semiconductor旗下GaN產(chǎn)品組合
4月29日，美國射頻公司Guerrilla RF（GUER）宣布公司最終完成了對Gallium Semiconductor旗下整個GaN功率放大器和前端模塊產(chǎn)品組合的收購。
自2024年4月26日起，GUER就開始著手收購Gallium Semiconductor之前發(fā)布的所有組件以及正在開發(fā)中的新核心器件。
此外，作為此次產(chǎn)品組合收購的一部分，所有相關的知識產(chǎn)權(quán)(IP)也已轉(zhuǎn)移至GUER。通過整合這些資產(chǎn)，公司預期這將顯著加強其開發(fā)和商業(yè)化針對無線基礎設施、軍事和衛(wèi)星通信應用的新型GaN器件系列的能力。
此外，Gallium Semiconductor設計中使用的GaN-on-SiC預計將在未來十年主導市場。GUER的首席執(zhí)行官兼創(chuàng)始人Ryan Pratt評論道：“隨著公司持續(xù)作為RFIC和MMIC供應商發(fā)展，將GaN技術(shù)整合到我們不斷擴大的產(chǎn)品組合中至關重要。在此次收購之前，GUER已經(jīng)在有機增長戰(zhàn)略中推進GaN器件開發(fā)。Gallium Semiconductor產(chǎn)品組合的收購顯著加快了這一戰(zhàn)略計劃。”
Gallium Semiconductor的首席執(zhí)行官Henk Thoonen表示：“將這些新產(chǎn)品融入Guerrilla RF的產(chǎn)品組合預計將快速且無阻礙。兩家公司在GaN和GaAs產(chǎn)品上擁有共同的代工廠合作伙伴，并針對類似的應用和市場進行細分處理。GUER將繼承一系列已發(fā)布和樣品產(chǎn)品，包括晶體管到完全集成的不對稱Doherty PAs。這些產(chǎn)品的最高額定功率范圍從5W到400W，補充了Guerrilla RF現(xiàn)有的InGaP HBT和GaAs pHEMT放大器產(chǎn)品組合，后者適用于2W及以下的功率水平?！?/p>
據(jù)了解，Guerrilla RF專注于開發(fā)和制造高性能單片微波集成電路(MMICs)，服務于多個市場細分的無線OEM 。Guerrilla RF現(xiàn)有產(chǎn)品線包括超低噪聲放大器、增益塊、驅(qū)動放大器、混頻器、射頻開關、數(shù)字步進衰減器(DSAs)和線性功率放大器(PAs) 。（文：集邦化合物半導體Morty整理）
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