近日，SiC功率半導(dǎo)體制造基地——武漢長飛先進半導(dǎo)體基地項目成功完成首榀桁架吊裝，標志著項目鋼結(jié)構(gòu)施工全面展開。該項目鋼結(jié)構(gòu)建設(shè)內(nèi)容包括鋼結(jié)構(gòu)大跨度桁架屋面2座、大跨度連廊5座、超長管廊1座，單榀桁架最重25噸，最大跨度33.7米。
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據(jù)悉，該項目位于湖北省武漢市，總建筑面積約25.15萬平米，建成后預(yù)計年產(chǎn)6英寸SiC MOSFET晶圓36萬片、功率器件模塊6100萬個，將覆蓋新能源汽車、光儲充、電力電網(wǎng)等領(lǐng)域。
作為該項目主導(dǎo)方，長飛先進去年5月明確提出“All in SiC-十年黃金賽道”的發(fā)展戰(zhàn)略，全面布局SiC產(chǎn)業(yè)。項目方面，長飛先進去年8月與武漢東湖高新區(qū)管委會正式簽署了第三代半導(dǎo)體功率器件研發(fā)生產(chǎn)基地項目合作協(xié)議。一個月后，長飛先進半導(dǎo)體武漢基地開工。該項目總投資預(yù)計200億元，一期投資100億元，可年產(chǎn)36萬片SiC MOSFET晶圓，包括外延、器件設(shè)計、晶圓制造、封裝等，一期項目預(yù)計2025年建設(shè)完成。
產(chǎn)品方面，長飛先進擁有完全自主知識產(chǎn)權(quán)的1200V Gen3 SiC MOSFET設(shè)計及工藝平臺，15mΩ產(chǎn)品比導(dǎo)通電阻（Ron，sp）已達3.4mΩ·cm2，躋身國際先進水平。此外，長飛先進基于該平臺的主驅(qū)SiC MOSFET晶圓產(chǎn)品良率達80%。
合作方面，據(jù)透露，長飛先進正在籌建SiC功率器件應(yīng)用實驗室，計劃與安徽省內(nèi)新能源產(chǎn)業(yè)深化合作，協(xié)同發(fā)展，合力打造SiC產(chǎn)業(yè)生態(tài)圈。
作為SiC功率半導(dǎo)體產(chǎn)品研發(fā)及制造廠商，長飛先進具備從外延生長、器件設(shè)計、晶圓制造到模塊封測的全流程生產(chǎn)能力和技術(shù)研發(fā)能力，可年產(chǎn)6萬片6英寸SiC MOSFET或SBD外延及晶圓、640萬只功率模塊、1800萬只功率單管，目前可提供650V到3300V SiC SBD、SiC MOSFET相關(guān)產(chǎn)品。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）
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