近日，2家碳化硅相關(guān)廠商士蘭微、晶盛機電公布了2024年上半年業(yè)績。其中。士蘭微2024年上半年IGBT和碳化硅（模塊、器件）營收已達到7.83億元，同比增長30%以上。
士蘭微上半年虧損收窄，IGBT和碳化硅營收增長
8月19日晚間，士蘭微公布了2024年半年度報告。2024年上半年，士蘭微實現(xiàn)營收52.74億元，同比增長17.83%，虧損同比收窄。
士蘭微報告期內(nèi)凈利潤出現(xiàn)虧損，主要原因有兩方面：一是公司持有的其他非流動金融資產(chǎn)中，昱能科技和安路科技的股票價格下跌，導致公允價值變動產(chǎn)生稅后凈損失達1.62億元；二是子公司士蘭明鎵的6英寸SiC功率器件芯片生產(chǎn)線仍處于產(chǎn)能爬坡期，產(chǎn)量較低，同時資產(chǎn)折舊等固定成本較高，進一步加劇了虧損。
盡管歸母凈利潤仍處于虧損，但士蘭微總體營收同比增長約18%。這一增長得益于公司持續(xù)加大模擬電路、IGBT器件、IPM智能功率模塊、PIM功率模塊、碳化硅功率模塊、超結(jié)MOSFET器件、MCU電路、化合物芯片和器件等產(chǎn)品在大型白電、通訊、工業(yè)、新能源、汽車等高門檻市場的推廣力度。
碳化硅業(yè)務(wù)方面，2024年上半年，士蘭微IGBT和碳化硅（模塊、器件）的營業(yè)收入已達到7.83億元，較去年同期增長30%以上。
產(chǎn)能方面，2024年上半年，士蘭微加快推進“士蘭明鎵SiC功率器件芯片生產(chǎn)線”項目的建設(shè)。截至目前士蘭明鎵已形成月產(chǎn)6000片6英寸碳化硅MOSFET芯片的生產(chǎn)能力，預(yù)計三季度末產(chǎn)能將達到9000片/月，預(yù)計2024年年底產(chǎn)能將達到12000片/月。
技術(shù)研發(fā)方面，上半年，基于士蘭微自主研發(fā)的Ⅱ代碳化硅MOSFET芯片生產(chǎn)的電動汽車主電機驅(qū)動模塊，已通過吉利、匯川等客戶驗證，并開始實現(xiàn)批量生產(chǎn)和交付。其已初步完成第Ⅲ代平面柵碳化硅MOSFET技術(shù)的開發(fā)，正在加快產(chǎn)能建設(shè)和升級，推動第Ⅲ代平面柵碳化硅MOSFET芯片導入量產(chǎn)。
晶盛機電上半年實現(xiàn)營收101.47億元，推進8英寸碳化硅襯底產(chǎn)能爬坡
8月20日晚間，晶盛機電公布了2024年半年度報告。2024年上半年，晶盛機電實現(xiàn)營收101.47億元，同比增長20.71%；歸母凈利潤20.96億元，同比減少4.97%。
晶盛機電業(yè)務(wù)涉及半導體、光伏設(shè)備領(lǐng)域以及半導體材料細分領(lǐng)域的藍寶石材料和碳化硅材料等。
半導體設(shè)備業(yè)務(wù)方面，晶盛機電所生產(chǎn)的設(shè)備主要用于半導體晶體的生長和加工，屬于硅片制造環(huán)節(jié)設(shè)備，同時在部分工藝環(huán)節(jié)布局至芯片制造和封裝制造端?；诋a(chǎn)業(yè)鏈延伸，晶盛機電在功率半導體領(lǐng)域開發(fā)了8-12英寸常壓硅外延設(shè)備，以及6-8英寸碳化硅長晶設(shè)備、切片設(shè)備、減薄設(shè)備、拋光設(shè)備、外延設(shè)備等，實現(xiàn)碳化硅外延設(shè)備的國產(chǎn)替代，并創(chuàng)新性推出雙片式碳化硅外延設(shè)備，大幅提升外延產(chǎn)能。
材料業(yè)務(wù)方面，晶盛機電在泛半導體領(lǐng)域積極布局新材料業(yè)務(wù)，逐步發(fā)展了高純石英坩堝、藍寶石材料、碳化硅材料、以及金剛線等具有廣闊應(yīng)用場景的材料業(yè)務(wù)。
報告期內(nèi)，受益于新能源車的持續(xù)發(fā)展，碳化硅材料需求快速增加，產(chǎn)業(yè)鏈產(chǎn)能逐步向8英寸轉(zhuǎn)移。公司緊抓行業(yè)發(fā)展趨勢，快速推進8英寸碳化硅襯底產(chǎn)能爬坡，同時積極拓展國內(nèi)外客戶，市場拓展成果顯著，產(chǎn)能和出貨量快速增加。
目前，晶盛機電掌握了6-8英寸碳化硅材料的生長及加工技術(shù)，并正在建設(shè)實施年產(chǎn)25萬片6英寸及5萬片8英寸碳化硅襯底的產(chǎn)業(yè)化項目，加速推進大尺寸碳化硅襯底材料的產(chǎn)業(yè)化進程。（集邦化合物半導體Zac、Mia整理）
更多SiC和GaN的市場資訊，請關(guān)注微信公眾賬號：集邦化合物半導體。