大會(huì)背景
半導(dǎo)體材料作為現(xiàn)代電子信息產(chǎn)業(yè)的重要基石，已經(jīng)上升到大國(guó)科技競(jìng)爭(zhēng)的核心領(lǐng)域。隨著新能源、5G通訊、人工智能以及低空經(jīng)濟(jì)等先進(jìn)生產(chǎn)力的快速發(fā)展，對(duì)半導(dǎo)體材料的需求急劇增長(zhǎng)，然而硅基半導(dǎo)體材料正面臨著摩爾定律逼近物理極限的挑戰(zhàn)。為了應(yīng)對(duì)這一挑戰(zhàn)并繼續(xù)推動(dòng)信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)的創(chuàng)新與高速發(fā)展，全球科技界和產(chǎn)業(yè)界亟需打破傳統(tǒng)材料的限制，從材料或結(jié)構(gòu)角度出發(fā)，積極探索新一代半導(dǎo)體材料或運(yùn)用先進(jìn)封裝技術(shù)，以期開(kāi)創(chuàng)行業(yè)新篇章。
在此背景下，第2屆第三代半導(dǎo)體及先進(jìn)封裝技術(shù)創(chuàng)新大會(huì)暨先進(jìn)半導(dǎo)體展應(yīng)運(yùn)而生。大會(huì)以“‘芯’材料·新領(lǐng)航”為主題，聚焦于第三代半導(dǎo)體與先進(jìn)封裝技術(shù)的發(fā)展新機(jī)遇。通過(guò)集結(jié)全球智慧，共同研討并引領(lǐng)創(chuàng)新路徑，致力于從應(yīng)用需求出發(fā)，逆向推動(dòng)相關(guān)技術(shù)的研發(fā)。同時(shí)，通過(guò)產(chǎn)學(xué)研的緊密結(jié)合，推動(dòng)先進(jìn)電子產(chǎn)業(yè)的協(xié)同創(chuàng)新。此次大會(huì)能激發(fā)出更多的創(chuàng)新思維，加強(qiáng)行業(yè)間的合作，為電子信息產(chǎn)業(yè)的持續(xù)發(fā)展注入新的活力。
組織單位
大會(huì)主題
“芯”材料 新領(lǐng)航
主辦單位
中國(guó)生產(chǎn)力促進(jìn)中心協(xié)會(huì)新材料專(zhuān)業(yè)委員會(huì)
DT新材料
聯(lián)合主辦
深圳市寶安區(qū)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)
支持單位
第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟
粵港澳大灣區(qū)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟
橫琴粵澳深度合作區(qū)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)
香港科技大學(xué)深港協(xié)同創(chuàng)新研究院
香港城市大學(xué)深圳研究院
香港青年科學(xué)家協(xié)會(huì)
北京大學(xué)深圳系統(tǒng)芯片設(shè)計(jì)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室
協(xié)辦單位
深圳市半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展促進(jìn)會(huì)
深圳市集成電路行業(yè)協(xié)會(huì)
深圳先進(jìn)電子材料國(guó)際創(chuàng)新研究院
粵港澳大灣區(qū)先進(jìn)電子材料技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟
陜西省半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)
山東省半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)
承辦單位
深圳市德泰中研信息科技有限公司
支持媒體
DT新材料、DT芯材、DT半導(dǎo)體、洞見(jiàn)熱管理、 Carbontech、《半導(dǎo)體芯科技》、《化合物半導(dǎo)體》、 芯師爺、21ic 電子網(wǎng)、芯榜、電子發(fā)燒友、夯邦、集邦化合物半導(dǎo)體
時(shí)間地點(diǎn)
2024年11月6—8日 深圳國(guó)際會(huì)展中心（寶安）
日程安排
大會(huì)議題
主論壇：“芯”材料 新領(lǐng)航
（1）宏觀政策解讀
（2）科技前沿新突破
（3）產(chǎn)業(yè)進(jìn)展與趨勢(shì)
（4）產(chǎn)業(yè)投資分析與方向
圓桌對(duì)話(huà)： AI和新能源風(fēng)口下的“芯”機(jī)遇與挑戰(zhàn)
「先進(jìn)封裝技術(shù)」分論壇：搶抓AI新機(jī)遇
（1）AI時(shí)代先進(jìn)封裝及Chiplet應(yīng)用專(zhuān)場(chǎng)
AI時(shí)代先進(jìn)封裝發(fā)展與產(chǎn)業(yè)趨勢(shì)解析
Chiplet高密度集成技術(shù)賦能AI算力提升
2.5D/3D封裝設(shè)計(jì)仿真驗(yàn)證
高精度裝備創(chuàng)新助推先進(jìn)封裝產(chǎn)業(yè)騰飛
先進(jìn)封裝精密檢測(cè)設(shè)備創(chuàng)新應(yīng)用
圓桌對(duì)話(huà)： Chiplet互聯(lián)接口標(biāo)準(zhǔn)化落地問(wèn)題探討
（2）先進(jìn)封裝互連技術(shù)專(zhuān)場(chǎng)
AI芯片互連技術(shù)創(chuàng)新及挑戰(zhàn)
3D 堆疊技術(shù)中硅通孔（TSV）刻蝕與填充
3D封裝晶圓減薄中如何解決翹曲、裂片問(wèn)題
先進(jìn)封裝互連低溫?zé)Y(jié)焊料的應(yīng)用
三維互連熱管理創(chuàng)新解決方案與材料選擇
多芯片高速互連接口設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)對(duì)策與EDA解決方案
（3）面板級(jí)封裝關(guān)鍵設(shè)備及材料機(jī)遇專(zhuān)場(chǎng)
板級(jí)封裝技術(shù)成本優(yōu)勢(shì)與發(fā)展前景
面板廠商設(shè)備升級(jí)切入板級(jí)封裝的機(jī)遇
板級(jí)封裝貼片機(jī)技術(shù)突破與市場(chǎng)機(jī)遇
探索TGV技術(shù)推動(dòng)PLP面板級(jí)封裝創(chuàng)新與發(fā)展
高端環(huán)氧樹(shù)脂技術(shù)創(chuàng)新與突破
圓桌論壇：板級(jí)封裝國(guó)產(chǎn)設(shè)備和材料新機(jī)遇
（4）TGV玻璃基板專(zhuān)場(chǎng)
先進(jìn)封裝特種平板玻璃材料創(chuàng)新與應(yīng)用
玻璃通孔（TGV）技術(shù)創(chuàng)新發(fā)展
玻璃通孔工藝挑戰(zhàn)和解決方案
玻璃基板電鍍重布線(xiàn)技術(shù)解析與探索
激光通孔技術(shù)加速TGV產(chǎn)業(yè)化落地
高密度玻璃載板：ROS技術(shù)的創(chuàng)新與應(yīng)用探索
「碳化硅半導(dǎo)體」分論壇：800伏快充卷動(dòng)碳化硅風(fēng)云
（1）800V高壓快充碳化硅市場(chǎng)與應(yīng)用專(zhuān)場(chǎng)
碳化硅功率器件在新能源車(chē)端的應(yīng)用
800V高壓電氣拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)
從高壓快充看碳化硅在電力設(shè)備中的運(yùn)用
車(chē)規(guī)級(jí)碳化硅芯片/器件制造技術(shù)突破及應(yīng)用進(jìn)展
碳化硅器件耐用性檢驗(yàn)——芯片研發(fā)環(huán)節(jié)高溫門(mén)極偏置測(cè)試
圓桌對(duì)話(huà)：800V高壓快充碳化硅市場(chǎng)機(jī)遇與挑戰(zhàn)！
（2）800V高壓快充碳化硅特色封裝及可靠性驗(yàn)證專(zhuān)場(chǎng)
碳化硅模塊封裝如何提升耐高溫能力——SiC特色封裝設(shè)計(jì)路線(xiàn)
車(chē)規(guī)級(jí)碳化硅封裝可靠性測(cè)試與驗(yàn)證
碳化硅功率模塊封裝用關(guān)鍵設(shè)備及核心技術(shù)
碳化硅功率器件封裝用高熱導(dǎo)率陶瓷基板
碳化硅功率器件封裝用低電阻率的金屬連接件、燒結(jié)銀/銅工藝
耐高壓封裝絕緣材料、熱管理材料突破
功率模塊設(shè)計(jì)與仿真流程
（3）碳化硅晶圓（襯底與外延片）專(zhuān)場(chǎng)
8 inch SiC外延片生長(zhǎng)技術(shù)及產(chǎn)業(yè)化進(jìn)展
大尺寸襯底制造難點(diǎn)及技術(shù)突破
碳化硅晶圓切割良率提升及翹曲防范——激光切割
8 inch碳化硅晶圓磨拋工藝方案
碳化硅垂直式6/8英寸兼容外延設(shè)備國(guó)產(chǎn)解決方案
CVD SiC陶瓷材料在半導(dǎo)體行業(yè)的應(yīng)用和發(fā)展
襯底片、外延片的精確測(cè)量方案
（4）碳化硅晶體生長(zhǎng)專(zhuān)場(chǎng)
8英寸碳化硅晶體生長(zhǎng)良率與速率控制
8英寸碳化硅晶體生長(zhǎng)位錯(cuò)控制
長(zhǎng)晶爐設(shè)計(jì)及關(guān)鍵參數(shù)控制
熱場(chǎng)設(shè)計(jì)、晶體制備工藝設(shè)計(jì)——控溫技術(shù)及設(shè)備
碳化硅晶體缺陷控制——快速退火爐及技術(shù)應(yīng)用
「氮化鎵半導(dǎo)體」分論壇：氮化鎵AI時(shí)代開(kāi)疆拓土
（1）氮化鎵功率器件設(shè)計(jì)與制造技術(shù)專(zhuān)場(chǎng)
高性能氮化鎵功率器件設(shè)計(jì)
高可靠性氮化鎵功率器件研究
氮化鎵功率器件制造關(guān)鍵挑戰(zhàn)和解決方案
氮化鎵功率器件創(chuàng)新封裝技術(shù)研究進(jìn)展
氮化鎵功率器件測(cè)試技術(shù)挑戰(zhàn)及實(shí)踐
（2）氮化鎵半導(dǎo)體材料與設(shè)備專(zhuān)場(chǎng)
氮化鎵單晶襯底生長(zhǎng)研究
氮化鎵晶體生長(zhǎng)HVPE爐研究進(jìn)展
功率器件用氮化鎵外延技術(shù)研究及展望
氮化鎵外延翹曲、裂紋挑戰(zhàn)與解決策略
氮化鎵外延MOCVD設(shè)備進(jìn)展和突破
（3）數(shù)據(jù)中心氮化鎵功率器件應(yīng)用專(zhuān)場(chǎng)
數(shù)據(jù)中心功率器件應(yīng)用趨勢(shì)與變化（需求）
數(shù)據(jù)中心開(kāi)關(guān)電源技術(shù)的挑戰(zhàn)
氮化鎵功率器件在數(shù)據(jù)中心電源的應(yīng)用實(shí)踐
數(shù)據(jù)中心氮化鎵功率器件創(chuàng)新方案
工業(yè)級(jí)氮化鎵功率器件可靠性驗(yàn)證
圓桌對(duì)話(huà)：數(shù)據(jù)中心氮化鎵方案創(chuàng)新與應(yīng)用發(fā)展的機(jī)遇與挑戰(zhàn)
（4）氮化鎵功率器件多元應(yīng)用發(fā)展專(zhuān)場(chǎng)
氮化鎵大規(guī)模應(yīng)用的關(guān)鍵因素
氮化鎵器件在車(chē)載OBC中的應(yīng)用及技術(shù)創(chuàng)新
應(yīng)用于光伏微逆變器的氮化鎵功率器件整體方案
高壓氮化鎵功率器件為應(yīng)用創(chuàng)造更多可能性
可靠性驗(yàn)證創(chuàng)新方案加速氮化鎵功率器件應(yīng)用
多物理場(chǎng)仿真在氮化鎵可靠性驗(yàn)證領(lǐng)域的應(yīng)用
圓桌對(duì)話(huà)：氮化鎵功率器件可靠性驗(yàn)證標(biāo)準(zhǔn)建設(shè)
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地 址：深圳市寶安區(qū)福永街道龍王古廟工業(yè)區(qū)深圳先進(jìn)電子材料國(guó)際創(chuàng)新研究院1棟1201
