碳化硅設(shè)備廠商睿勵科學儀器完成5億元融資

作者 | 發(fā)布日期 2024 年 11 月 06 日 18:00 | 分類 企業(yè)

近日,碳化硅設(shè)備細分領(lǐng)域融資風云再起,國內(nèi)又有一家碳化硅晶圓檢測設(shè)備企業(yè)完成新一輪融資。

11月4日,據(jù)“張通社”消息,睿勵科學儀器(上海)有限公司(以下簡稱:睿勵科學儀器)近日宣布完成近5億元戰(zhàn)略融資,本輪融資由金石投資和招商致遠聯(lián)合領(lǐng)投,河南資產(chǎn)、金信資本、鼎青投資等跟投,融資資金主要用于進一步提升先進半導體制程用的光學量檢測設(shè)備的國產(chǎn)替代能力,豐富產(chǎn)品種類,加大市場開拓力度能力。

睿勵科學儀器融資歷程

官網(wǎng)資料顯示,睿勵科學儀器是于2005年創(chuàng)建的合資公司,致力于研發(fā)、生產(chǎn)和銷售具有自主知識產(chǎn)權(quán)的集成電路生產(chǎn)制造工藝裝備產(chǎn)業(yè)中的工藝檢測設(shè)備。

睿勵科學儀器業(yè)務涵蓋碳化硅晶圓缺陷檢測

據(jù)悉,睿勵科學儀器主要聚焦于薄膜測量和尺寸光學檢測設(shè)備,以及硅片厚度及翹曲測量設(shè)備等。目前,睿勵科學儀器相關(guān)設(shè)備已成功進入三星和長江存儲生產(chǎn)線,新研制的缺陷檢測設(shè)備也已進入下游客戶廠家。

在光學膜厚量測設(shè)備方面,睿勵科學儀器相關(guān)產(chǎn)品適用于硅/碳化硅/氮化鎵等集成電路制造前后道生產(chǎn)線、3D NAND制造生產(chǎn)線、DRAM制造生產(chǎn)線,可量測介質(zhì)材料、半導體硅化物材料、超薄金屬材料半導體薄膜的厚度、折射率和吸收系數(shù),也可測量晶圓襯底應力。

在光學缺陷檢測設(shè)備領(lǐng)域,睿勵自主研發(fā)制造的WSD系列產(chǎn)品,是面向集成電路芯片前道工藝以及泛半導體前道工藝(碳化硅、OLED、Micro LED等)的高精度光學晶圓外觀缺陷檢測設(shè)備,最高檢測精度可達到100nm,兼容4-12英寸wafer,支持明場和暗場檢測。

從融資情況來看,自2005年成立以來,睿勵科學儀器已相繼完成11輪融資,其中包括5輪單筆融資金額在1億元及以上的戰(zhàn)略融資。

碳化硅量檢測設(shè)備企業(yè)頻傳融資喜訊

作為一家碳化硅設(shè)備相關(guān)廠商,睿勵科學儀器本次完成5億元戰(zhàn)略融資,與正在高速發(fā)展的碳化硅產(chǎn)業(yè)密切相關(guān)。在碳化硅產(chǎn)業(yè)增資擴產(chǎn)浪潮下,相關(guān)設(shè)備需求水漲船高,帶動企業(yè)頻頻獲得資本加持。

據(jù)集邦化合物半導體不完全統(tǒng)計,2024年以來,已有謙視智能、蓋澤科技、優(yōu)睿譜、驛天諾、矽視科技、國科測試6家碳化硅量檢測設(shè)備相關(guān)廠商完成新一輪融資。

碳化硅量檢測設(shè)備相關(guān)廠商融資

其中,謙視智能成立于2017年,專注于實現(xiàn)高端半導體量檢測設(shè)備的國產(chǎn)化,核心產(chǎn)品主要包括形貌檢測設(shè)備、碳化硅微管及位錯檢測設(shè)備、綜合缺陷檢測設(shè)備、膜厚及納微結(jié)構(gòu)測量儀等,業(yè)務覆蓋碳化硅基、砷化鎵基、硅基等多種應用領(lǐng)域。

蓋澤科技已完成12英寸大尺寸晶圓的Online晶圓量測技術(shù),覆蓋FTIR膜厚量測技術(shù)、元素濃度計量技術(shù)等,可應用于硅、碳化硅、氮化鎵、砷化鎵、磷化銦等材料晶圓的量檢需求,目前已向多家央企、國企、上市晶圓公司等知名半導體企業(yè)交付,并用于碳化硅、硅晶圓外延層的批量量測中。

隨著國內(nèi)半導體行業(yè)的快速發(fā)展,對前道量測設(shè)備的需求量持續(xù)走高,優(yōu)睿譜順勢進行了一系列產(chǎn)品布局。在碳化硅產(chǎn)業(yè)日益火熱的趨勢下,為滿足市場需求,優(yōu)睿譜近兩年推出的設(shè)備產(chǎn)品基本都適用于碳化硅領(lǐng)域,因此也得到了一部分訂單。

驛天諾專注于硅光&第三代半導體封測設(shè)備,是國內(nèi)較早開發(fā)硅光和第三代半導體自動化封測裝備的公司。驛天諾推出的產(chǎn)品之中,WAT高功率晶圓測試系統(tǒng)適用于碳化硅/氮化鎵高功率晶圓測試。

矽視科技成立于2021年6月,專注于半導體晶圓電子束量檢測設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)和服務,目前,矽視科技產(chǎn)品主要有兩種,分別為CDSEM關(guān)鍵尺寸量測設(shè)備、EBI電子束缺陷檢測設(shè)備。其中,CDSEM關(guān)鍵尺寸量測設(shè)備可以覆蓋28納米以上成熟工藝,滿足6/8/12英寸硅基、碳化硅、氮化鎵、藍寶石等基片的量測需求。

在第三代半導體領(lǐng)域,國科測試攻克了光學及電學測試方面多項技術(shù),實現(xiàn)了多項關(guān)鍵測試設(shè)備的國產(chǎn)化替代及產(chǎn)業(yè)化。

TrendForce集邦咨詢最新《2024全球SiC Power Device市場分析報告》顯示,碳化硅在汽車、可再生能源等功率密度和效率極其重要的應用市場中呈現(xiàn)加速滲透之勢,未來幾年整體市場需求將維持增長態(tài)勢,預估2028年全球碳化硅功率器件市場規(guī)模有望達到91.7億美金(約655億人民幣)。

全球碳化硅功率器件市場規(guī)模

在碳化硅市場快速增長趨勢下,包括碳化硅設(shè)備企業(yè)在內(nèi)的產(chǎn)業(yè)鏈上下游廠商有望傳出更多融資進展。(文:集邦化合物半導體Zac)

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