鎵仁半導(dǎo)體氧化鎵二期工廠正式啟用

作者 | 發(fā)布日期 2024 年 11 月 18 日 18:00 | 分類 企業(yè)

11月15日,據(jù)鎵仁半導(dǎo)體官微消息,鎵仁半導(dǎo)體氧化鎵二期工廠近日正式啟用。新工廠在晶體生長(zhǎng)、晶圓加工和外延生長(zhǎng)等關(guān)鍵環(huán)節(jié)引入了先進(jìn)的產(chǎn)業(yè)化設(shè)備,預(yù)計(jì)將顯著提升產(chǎn)能,以滿足全球市場(chǎng)對(duì)氧化鎵晶圓襯底和外延片的增長(zhǎng)需求。

鎵仁半導(dǎo)體新工廠啟用

source:鎵仁半導(dǎo)體

據(jù)介紹,在二期工廠中,鎵仁半導(dǎo)體自主研發(fā)并對(duì)外銷售的垂直布里奇曼法(VB法)氧化鎵專用長(zhǎng)晶爐已進(jìn)線,而且在現(xiàn)有基礎(chǔ)上對(duì)工藝進(jìn)行持續(xù)優(yōu)化。

鎵仁半導(dǎo)體技術(shù)總監(jiān)夏寧表示,垂直布里奇曼法是全球公認(rèn)的氧化鎵產(chǎn)業(yè)化的關(guān)鍵技術(shù),而鎵仁半導(dǎo)體是目前國(guó)內(nèi)唯一能提供此類設(shè)備的供應(yīng)商。

官網(wǎng)資料顯示,鎵仁半導(dǎo)體成立于2022年9月,目前坐落于杭州市蕭山區(qū)機(jī)器人小鎮(zhèn),是一家專注于寬禁帶半導(dǎo)體材料(氧化鎵等第四代半導(dǎo)體)研發(fā)、生產(chǎn)和銷售的科技型企業(yè)。

鎵仁半導(dǎo)體產(chǎn)品包括不同尺寸、晶向和電阻率的氧化鎵拋光片,可定制的氧化鎵籽晶等。產(chǎn)品主要應(yīng)用于面向國(guó)家電網(wǎng)、新能源汽車、軌道交通、5G通信等領(lǐng)域的電力電子器件。

業(yè)務(wù)進(jìn)展方面,9月20日,鎵仁半導(dǎo)體發(fā)布其首臺(tái)氧化鎵專用晶體生長(zhǎng)設(shè)備。該設(shè)備不僅滿足氧化鎵晶體生長(zhǎng)的各項(xiàng)需求,還集成了多項(xiàng)自主創(chuàng)新技術(shù)。

今年以來,鎵仁半導(dǎo)體持續(xù)在氧化鎵技術(shù)方面取得突破。4月,鎵仁半導(dǎo)體推出了2英寸晶圓級(jí)(010)氧化鎵半絕緣單晶襯底,并實(shí)現(xiàn)了2英寸(010)氧化鎵單晶襯底的自主量產(chǎn),打破了國(guó)際壟斷;7月,鎵仁半導(dǎo)體成功制備出了3英寸晶圓級(jí)(010)氧化鎵單晶襯底;9月上旬,鎵仁半導(dǎo)體宣布成功研制超薄6英寸氧化鎵襯底,襯底厚度小于200微米。(集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理)

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