據“勢能資本”官微消息，芯辰半導體（蘇州）有限公司（下文簡稱“芯辰半導體”）外延設備已于近日投產，覆蓋砷化鎵（GaAs）及磷化銦（InP）光芯片四元化合物全材料體系。
據介紹，芯辰半導體目前已實現波長范圍760nm~1700nm外延片的量產，外延均勻性為激射中心波長外2nm之內。其中典型波長的激光芯片外延片，如808、850、905、940、1064、1550、1654nm，已在自主產線實現VCSEL或DFB芯片驗證。
source：芯辰半導體
此外，相關外延片已獲客戶長期合作訂單，其中砷化鎵外延片最大可支持6英寸晶圓、磷化銦外延片最大可支持4英寸晶圓，同時配套有相關晶圓質量檢測設備。公開資料顯示，芯辰半導體專注于生產VCSEL和EEL激光器芯片。
其產品廣泛應用于光通信、激光雷達、生物醫(yī)學和先進裝備等多個領域。公司采用IDM模式，致力于在太倉打造砷化鎵和磷化銦系光芯片自主制造基地。
今年9月初，芯辰半導體旗下砷化鎵、磷化銦高端光電子芯片IDM生產線完成試運行。該產線包含了從芯片設計、材料外延、光刻、刻蝕、鍍膜等芯片工藝到封裝測試的完整工藝研發(fā)平臺和產品生產線。同月，公司光芯片封測平臺建設完成并對外開放。
10月底，總投資達8億元的芯辰半導體項目一期在江蘇太倉實現了投產，預計達產后可實現年產8000萬顆光芯片、產值10億元。（集邦化合物半導體整理）
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