據電科裝備微信公眾號消息，近日，電科裝備北京爍科中科信舉行了國產離子注入機批產中心啟動儀式。
source：電科裝備
據介紹，批產中心建筑面積達7581平方米，設有40個模組集成工位和11個調試工位，以及模塊裝配、運動檢測和物料中轉等多個獨立空間，可滿足各類精密制造與高效組裝需求，確保產品質量與交付速度雙重提升。
按照離子注入機生產周期衡量，該中心具備年產100臺套的生產、調試能力，整合長沙子公司產能，綜合交付能力提升至150臺。電科裝備表示，國產離子注入機的批量生產能力直接影響我國半導體產業(yè)鏈的自主可控水平。
此次批產中心的啟用將大幅提升國產離子注入機的市場供應能力，確保我國電子信息產業(yè)鏈安全和供應鏈穩(wěn)定。值得一提的是，除了離子注入機，中電科近期還在碳化硅立式氧化爐方面取得了新進展。2025年1月9日，中國電科48所宣布其立式氧化爐完成批量交付。
據介紹，立式氧化爐是6-8英寸碳化硅功率器件及硅基集成電路制造關鍵工藝設備，主要用于高溫氧化及退火工藝。據悉，氧化退火對于碳化硅功率器件制造至關重要。
氧化退火處理能夠優(yōu)化碳化硅表面的氧化層結構，形成均勻、高質量的SiO柵氧化層。這有助于提升器件的擊穿電壓、降低漏電流和噪聲，從而提高器件的性能和可靠性。
通過氧化退火，可以填補晶格缺陷，降低殘余應力，提高氧化物和晶體的結合質量，改善電學性能?，這對于提高碳化硅功率器件的整體性能和穩(wěn)定性具有重要意義。
在高溫下，碳化硅晶體中的原子會發(fā)生移動，減少晶格缺陷，從而提高其熱穩(wěn)定性和熱傳導性能。氧化退火還能減少氧化物含量，進一步增強其耐熱性能。集邦化合物半導體整理
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