7月11日，銀河微電發(fā)布公告，將以3.1億元啟動(dòng)“高端集成電路分立器件產(chǎn)業(yè)化基地一期廠房建設(shè)項(xiàng)目”，項(xiàng)目選址江蘇常州市新北區(qū)薛家鎮(zhèn)，周期30個(gè)月。這筆資金主要用于購置土地和廠房土建，為后續(xù)引進(jìn)先進(jìn)設(shè)備、打造智能化生產(chǎn)線鋪路。
圖片來源：銀河微電公告截圖
公開資料顯示，銀河微電當(dāng)前主營小信號器件、功率器件、光電器件、電源管理IC以及第三代半導(dǎo)體器件（SiC、GaN），產(chǎn)品覆蓋汽車電子、工業(yè)控制、新能源和5G通信等場景。
業(yè)績穩(wěn)步增長，產(chǎn)能瓶頸凸顯
2025年一季度該公司實(shí)現(xiàn)營收2.18億元，同比增長12.11%。同期，歸母凈利潤610.02萬元，同比下降64.77%；扣除非經(jīng)常性損益的凈利潤96.11萬元，同比下降91.44%。利潤下滑主因在于市場競爭導(dǎo)致產(chǎn)品毛利率下降，以及為擴(kuò)大生產(chǎn)規(guī)模而新設(shè)控股子公司帶來的固定資產(chǎn)折舊和管理費(fèi)用增加。研發(fā)投入則同比增長24.64%，顯示公司持續(xù)在技術(shù)創(chuàng)新上投入。
此前該公司披露，2024年全年?duì)I收達(dá)9.09億元，同比增長30.75%；歸母凈利潤7187.42萬元，同比增長12.21%。然而，盡管訂單持續(xù)增長，受限于現(xiàn)有生產(chǎn)場地、設(shè)備及人力資源，公司產(chǎn)能已無法充分滿足市場需求。
第三代半導(dǎo)體技術(shù)突破，助力產(chǎn)能擴(kuò)張
據(jù)悉，銀河微電敢于大規(guī)模擴(kuò)產(chǎn)，源于其深厚的技術(shù)積累。公司不僅在傳統(tǒng)硅基平臺有所建樹，更成功建立了SiC MOSFET和GaN HEMT芯片設(shè)計(jì)能力，并已實(shí)現(xiàn)小批量出貨。
在SiC MOSFET方面，今年3月4日，銀河微電與復(fù)旦大學(xué)聯(lián)合發(fā)布了“新能源汽車用SiC MOSFET關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)階段成果”。其中，1200V車規(guī)級SiC芯片已完成三輪流片，并通過AEC-Q101可靠性驗(yàn)證，預(yù)計(jì)將在2025年第四季度導(dǎo)入一期基地的小批量生產(chǎn)線。
針對GaN HEMT，繼2023年11月與晶通半導(dǎo)體簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議后，2025年6月，公司已在6英寸產(chǎn)線上成功完成650V/900V HEMT工程批生產(chǎn)，DFN8×8和TOLL兩種封裝良率均達(dá)92%以上。銀河微電計(jì)劃將GaN器件優(yōu)先應(yīng)用于對效率和小型化要求極高的快充和服務(wù)器電源市場。
此外，今年5月，銀河微電還披露了12個(gè)已結(jié)題或在研項(xiàng)目。其中，多項(xiàng)與此次擴(kuò)產(chǎn)直接相關(guān)例如：
- 超低阻抗TO-247-4L SiC MOS封裝平臺已具備車規(guī)級量產(chǎn)能力；
- 6英寸平面芯片平臺已完成穩(wěn)壓二極管、高頻開關(guān)二極管全系列開發(fā)，可直接移植到新廠房；
- 同時(shí)，Clip Bond功率MOSFET和IPM智能功率模塊均已進(jìn)入量產(chǎn)階段，計(jì)劃在2025年內(nèi)同步遷入新基地以放大生產(chǎn)規(guī)模。
為提高資金使用效率，2025年7月12日，銀河微電董事會和監(jiān)事會審議通過了《關(guān)于使用部分暫時(shí)閑置可轉(zhuǎn)換公司債券募集資金進(jìn)行現(xiàn)金管理的議案》。同日，公司也公告了一項(xiàng)募投項(xiàng)目建設(shè)時(shí)間的調(diào)整。受土地獲取和施工進(jìn)度等因素影響，首次公開發(fā)行股票募投項(xiàng)目“車規(guī)級半導(dǎo)體器件產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目”的建設(shè)時(shí)間由原計(jì)劃的2025年7月調(diào)整至2026年7月。雖然單個(gè)項(xiàng)目建設(shè)周期有所延長，但整體擴(kuò)產(chǎn)戰(zhàn)略并未改變。
（集邦化合物半導(dǎo)體 竹子 整理）
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