文章分類： 企業(yè)

半導體大廠談8英寸碳化硅發(fā)展

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 04 月 10 日 13:50 |
| 分類: 企業(yè) , 碳化硅SiC
過去一年，碳化硅在工藝技術和生產效率方面取得了重大進展，全球8英寸碳化硅晶圓已進入技術成熟與規(guī)模應用階段。 近期，意法半導體意法半導體中國區(qū)-功率分立和模擬產品器件部-市場及應用副總裁Francesco MUGGERI對外談及了8英寸碳化硅未來發(fā)展。 Francesco表示，邁向...  [詳內文]

強強聯(lián)合，納微與兆易創(chuàng)新達成戰(zhàn)略合作

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 04 月 09 日 16:11 | | 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN
4月8日，納微半導體與兆易創(chuàng)新科技集團股份有限公司正式達成戰(zhàn)略合作伙伴關系。 source：兆易創(chuàng)新 此次合作將納微半導體高頻、高速、高集成度的氮化鎵技術與兆易創(chuàng)新先進的高算力MCU產品進行優(yōu)勢整合，打造智能、高效、高功率密度的數(shù)字電源產品，并配合兆易創(chuàng)新的全產業(yè)鏈的管理能力與...  [詳內文]

全球外延晶片龍頭，申請赴港IPO

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 04 月 09 日 16:09 | | 分類: 企業(yè) , 碳化硅SiC
4月8日，瀚天天成電子科技（廈門）股份有限公司（以下簡稱“瀚天天成”）正式向港交所遞交上市申請，擬主板掛牌上市，中金公司擔任獨家保薦人。 招股書顯示，瀚天天成成立于2011年，在全球率先實現(xiàn)8英寸碳化硅外延晶片大批量外供，也是國內首家實現(xiàn)商業(yè)化3英寸、4英寸和6英寸碳化硅外延晶片...  [詳內文]

士蘭微SiC項目新進展，6/8英寸雙線作戰(zhàn)

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 04 月 09 日 16:04 |
| 分類: 企業(yè) , 碳化硅SiC
4月8日，士蘭微發(fā)布公告，披露了士蘭微碳化硅（SiC）項目的最新進展。在SiC芯片技術研發(fā)與量產方面均取得顯著成果，產能建設與技術突破齊頭并進。 source：士蘭微 “士蘭明鎵6英寸SiC功率器件芯片生產線”項目：產能釋放 截至目前，士蘭明鎵已形成月產9,000片6吋SiC ...  [詳內文]

比利時氮化鎵廠商BelGaN或將迎來神秘買家

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 04 月 08 日 17:27 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN
據報道，比利時氮化鎵（GaN）半導體制造商BelGaN近期成為收購目標，一位歐洲競標者計劃投資2億~2.5億歐元，并計劃轉型光芯片生產。 據知情人士透露，這次的神秘買家與之前參與競購的瑞典-芬蘭財團和比利時本土投資者不同，其提出了更具吸引力的報價。 BelGaN前身為1983年成...  [詳內文]

三家碳化硅相關公司高層發(fā)生變動！

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 04 月 08 日 17:25 |
| 分類: 企業(yè) , 碳化硅SiC
近期，三家碳化硅相關領域公司華潤微、氣派科技、華光新材迎來了一系列高層及核心技術人員的變動，其中華潤微總裁李虹離職，該公司表示離職不會對公司現(xiàn)有研發(fā)項目的進展產生任何影響。此外，三家公司均在碳化硅領域有最新進展。 01 華潤微：總裁李虹離職，碳化硅業(yè)務持續(xù)拓展 華潤微電子有限公司...  [詳內文]

中微公司第三代半導體設備項目簽約落戶南昌

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 04 月 08 日 17:22 | | 分類: 企業(yè)
據南昌發(fā)布消息，4月7日，中微半導體設備（上海）股份有限公司（以下簡稱“中微公司”）微觀加工設備研發(fā)中心項目簽約活動在南昌舉行。此次簽約標志著中微公司與南昌高新區(qū)的合作進入新階段，也意味著南昌在半導體產業(yè)尤其是第三代半導體領域的發(fā)展迎來新機遇。 據悉，中微公司此次簽約的微觀加工設...  [詳內文]

元腦服務器全面導入氮化鎵GaN鈦金電源

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 04 月 08 日 17:18 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN
近日，元腦服務器宣布全面導入氮化鎵GaN鈦金電源，提供1300W/1600W/2000W多種規(guī)格選擇。 元腦服務器介紹，在數(shù)據中心復雜的能源架構里，電源是將外部輸入電能精準分配給各類IT設備的核心環(huán)節(jié)。盡管HVDC高壓直流、固態(tài)變壓器（SST）等新型供電架構已通過減少配電層級損耗...  [詳內文]

魯晶半導體與山東大學深化碳化硅功率器件合作

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 04 月 08 日 17:17 |
| 分類: 企業(yè) , 碳化硅SiC
據魯晶芯城消息，4月2日，魯晶半導體技術團隊與山東大學新一代半導體材料研究院雙方達成深化合作協(xié)議，計劃聯(lián)合申報國家級科研項目，共建實驗室，并推動技術標準制定。 source：魯晶芯城 據悉，魯晶半導體將依托山東大學新一代材料研究院平臺及人才資源，強化技術研發(fā)能力；山東大學借助企...  [詳內文]