據(jù)魯晶芯城消息，4月2日，魯晶半導體技術團隊與山東大學新一代半導體材料研究院雙方達成深化合作協(xié)議，計劃聯(lián)合申報國家級科研項目，共建實驗室，并推動技術標準制定。
source：魯晶芯城
據(jù)悉，魯晶半導體將依托山東大學新一代材料研究院平臺及人才資源，強化技術研發(fā)能力；山東大學借助企業(yè)產(chǎn)業(yè)資源與市場渠道，推動科研成果快速轉(zhuǎn)化。雙方將以此次合作為起點，構(gòu)建“基礎研究+技術攻關+產(chǎn)業(yè)落地”全鏈條創(chuàng)新體系，助力國產(chǎn)半導體自主可控。
在當天，雙方重點交流了超高壓5000V SiC肖特基二極管及大功率MOSFET器件的技術進展。魯晶半導體技術團隊分享了其在器件研發(fā)與制造中的階段性成果，山東大學專家則從學術角度剖析了高頻、高效、高溫性能優(yōu)化方案。雙方一致認為，SiC功率器件憑借其耐高壓、低損耗特性，將成為未來電力電子領域的核心技術方向，而魯晶半導體的產(chǎn)業(yè)化經(jīng)驗與山東大學的科研實力為合作提供了強有力支撐。
魯晶半導體技術團隊重點推介了SiC器件在新能源汽車、光伏儲能、充電樁等場景的應用潛力。山東大學專家則針對高功率密度、長壽命等需求提出優(yōu)化建議。雙方認為，SiC技術的規(guī)模化應用將顯著提升能源效率，降低碳排放，為“雙碳”目標提供關鍵技術支撐。（集邦化合物半導體整理）