近日,東莞市中鎵半導(dǎo)體科技有限公司(以下簡(jiǎn)稱“中鎵半導(dǎo)體”)宣布取得重大技術(shù)突破,成功攻克6英寸及8英寸氮化鎵(GaN)單晶襯底的制備技術(shù)。
圖片來(lái)源:中鎵半導(dǎo)體
這一成果依托于#中鎵半導(dǎo)體 自主研發(fā)的超大型氫化物氣相外延設(shè)備(HVPE),不僅填補(bǔ)了國(guó)際上HVPE工藝在6英寸及...  [詳內(nèi)文]
中鎵半導(dǎo)體實(shí)現(xiàn)6/8英寸GaN襯底制備 |
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作者
KikiWang
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發(fā)布日期:
2025 年 09 月 18 日 14:26
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關(guān)鍵字:
氮化鎵
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