近日，麻省理工學院（MIT）的研究團隊取得了一項重大技術突破，開發(fā)出一種創(chuàng)新的制造工藝，能夠將高性能氮化鎵（GaN）晶體管與標準硅芯片進行三維集成。這一成果有望顯著提升高頻應用（如視頻通話和實時深度學習）的性能表現(xiàn)，為半導體技術的發(fā)展開辟新的道路。
圖片來源：麻省理工學院新聞
鑒于氮化鎵高昂的成本以及與硅基芯片的兼容性問題，MIT團隊提出了新制造方案，在氮化鎵晶圓表面密集制造微型晶體管，切割成僅240×410微米的獨立單元（稱“dielet”），再通過銅柱低溫鍵合技術，精準嵌入硅互補金屬氧化物半導體（CMOS）芯片。
這一新技術的關鍵在于“分而治之”的策略。研究團隊開發(fā)了專用工具，利用真空吸附和納米級定位技術，將dielet與硅基板的銅柱接口精確對齊，并在400攝氏度以下完成低溫鍵合。與傳統(tǒng)的金焊工藝相比，銅柱結合不僅成本更低，而且導電性更優(yōu)，同時完全兼容現(xiàn)有的半導體生產(chǎn)線。
在實驗中，團隊制作的功率放大器芯片（面積不足0.5平方毫米）在無線信號強度和能效方面均超越了傳統(tǒng)的硅基器件。這種混合芯片能夠顯著提升智能手機的通話質量、帶寬和續(xù)航能力，同時降低系統(tǒng)的發(fā)熱。這種將硅基數(shù)字芯片與氮化鎵優(yōu)勢相結合的混合芯片，有望在通信、數(shù)據(jù)中心及量子計算等領域引發(fā)一場技術革命。
IBM的科學家Atom Watanabe對這一成果給予了高度評價，認為它“重新定義了異質集成的邊界，為下一代系統(tǒng)的微型化和能效優(yōu)化樹立了新的標桿”。這一突破不僅展示了氮化鎵在高頻應用中的巨大潛力，也為未來半導體技術的發(fā)展提供了新的方向和思路。
（集邦化合物半導體整理）
更多SiC和GaN的市場資訊，請關注微信公眾賬號：集邦化合物半導體。