憑借高頻、高效、耐高壓等特性，氮化鎵在新一輪半導體革命浪潮中逐漸成為“寵兒”，吸引全球關注。我國氮化鎵技術研發(fā)與產業(yè)化方面加速突圍，近期國內氮化鎵相關項目傳出新進展。
“汶上縣投資促進服務中心”消息，7月28日，山東汶上縣舉行氮化鎵半導體智能制造項目暨芯片綜合配套項目簽約儀式。這是繼蘇立科技、華爾實金屬包裝、北駿專用車等項目簽約落地之后，汶上縣項目招引工作取得的又一重要突破，為汶上培育新質生產力、實現產業(yè)轉型升級注入了強勁動力。
圖片來源：汶上縣投資促進服務中心
儀式現場，縣委書記李強指出，氮化鎵作為第三代半導體核心材料，是未來電子信息產業(yè)的 “基石”，項目的簽約不僅填補了我縣半導體產業(yè)的空白，同時也將成為新一代信息技術產業(yè)裂變倍增的強勁引擎。希望雙方以此次簽約為契機，攜手并肩、精誠合作，共同推動項目早建成、早達產、早見效，為汶上經濟社會高質量發(fā)展作出新的更大貢獻。
投資方代表在致辭時表示，企業(yè)將充分發(fā)揮自身技術優(yōu)勢，把多年的技術積累與汶上扎實的產業(yè)基礎深度融合，全力打造具有核心競爭力的半導體產品，帶動上下游企業(yè)協(xié)同發(fā)展，形成產業(yè)集聚效應，用高質量的成果回報汶上的信任與支持。
（集邦化合物半導體整理）
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