國(guó)內(nèi)12英寸氮化鎵達(dá)成一起新合作

作者 | 發(fā)布日期 2025 年 10 月 21 日 14:06 | 分類(lèi) 氮化鎵GaN

10月20日,蘇州東微半導(dǎo)體股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“東微半導(dǎo)體”)官微消息,其與蘇州晶湛半導(dǎo)體有限公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“晶湛半導(dǎo)體”)雙方已達(dá)成戰(zhàn)略合作,共同推進(jìn)12英寸氮化鎵技術(shù)與產(chǎn)品的研發(fā)與應(yīng)用。

圖片來(lái)源:蘇州東微半導(dǎo)體股份有限公司

資料顯示,東微半導(dǎo)體成立于2008年,產(chǎn)品覆蓋高壓超級(jí)結(jié)MOSFET、中低壓屏蔽柵MOSFET、超級(jí)硅MOSFET、TGBT以及SiC MOSFET等,已廣泛應(yīng)用于新能源汽車(chē)充電樁、5G基站電源、數(shù)據(jù)中心和算力服務(wù)器電源等領(lǐng)域,與12英寸氮化鎵的潛力應(yīng)用市場(chǎng)重合。

晶湛半導(dǎo)體成立于2012年,致力于為電力電子以及微顯示等領(lǐng)域提供高品質(zhì)氮化鎵外延材料解決方案。2013年,晶湛在蘇州納米城建設(shè)了一條國(guó)際先進(jìn)的GaN外延材料生產(chǎn)線。2014年底,率先在全球發(fā)布商用8英寸硅基氮化鎵外延片產(chǎn)品,是國(guó)內(nèi)GaN材料研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化的頭部企業(yè),也是目前國(guó)際上可供應(yīng)300mm硅基氮化鎵外延產(chǎn)品的廠商。

當(dāng)前,氮化鎵作為第三代半導(dǎo)體核心材料,在新能源汽車(chē)、數(shù)據(jù)中心、人形機(jī)器人、光伏儲(chǔ)能等高端領(lǐng)域的需求呈爆發(fā)式增長(zhǎng),但12英寸硅基GaN功率器件的規(guī)?;瘧?yīng)用仍面臨技術(shù)瓶頸。受制于晶格失配與熱失配難題,大尺寸晶圓需通過(guò)復(fù)雜緩沖層設(shè)計(jì)平衡性能與良率,導(dǎo)致成本居高不下,全球僅有英飛凌等少數(shù)企業(yè)實(shí)現(xiàn)技術(shù)突破。

在此背景下,東微半導(dǎo)體與晶湛半導(dǎo)體采用主流的12英寸CMOS實(shí)驗(yàn)線研發(fā)12寸硅基氮化鎵HEMT晶體管,共同推進(jìn)12寸硅基氮化鎵功率器件的產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程。據(jù)東微半導(dǎo)體介紹,此項(xiàng)產(chǎn)業(yè)技術(shù)的成功開(kāi)發(fā),不僅可以大幅降低制造成本,而且可以利用12寸先進(jìn)的前后道工藝的技術(shù),充分挖掘氮化鎵材料在高能效、高功率密度方面的潛力,使這一技術(shù)為上述應(yīng)用領(lǐng)域提供更具成本效益和性能優(yōu)勢(shì)的解決方案。

此外,雙方合作項(xiàng)目將分階段推進(jìn)。初期目標(biāo):專(zhuān)注于基礎(chǔ)外延工藝和器件結(jié)構(gòu)工藝平臺(tái)的搭建與優(yōu)化;中期目標(biāo):在特定應(yīng)用領(lǐng)域推出原型產(chǎn)品;長(zhǎng)期目標(biāo):雙方希望建立起完整的12英寸氮化鎵技術(shù)生態(tài)系統(tǒng),包括材料、設(shè)計(jì)、制造、封測(cè)和應(yīng)用等全產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)。

氮化鎵產(chǎn)業(yè)協(xié)同加速

東微半導(dǎo)體與晶湛半導(dǎo)體的合作并非個(gè)例,近期國(guó)內(nèi)氮化鎵產(chǎn)業(yè)技術(shù)協(xié)同與跨域合作不斷。

2025年7月29日,英諾賽科與聯(lián)合汽車(chē)電子在聯(lián)合電子蘇州研發(fā)中心舉行了聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室揭幕儀式。

雙方將利用氮化鎵(GaN)技術(shù)在尺寸、重量和效率方面的優(yōu)勢(shì),開(kāi)發(fā)先進(jìn)的新能源汽車(chē)電力電子系統(tǒng)。聯(lián)合汽車(chē)電子是在汽車(chē)電子領(lǐng)域深耕多年,英諾賽科是氮化鎵工藝創(chuàng)新和功率器件制造領(lǐng)域的全球領(lǐng)導(dǎo)者,雙方合作中英諾賽科將發(fā)揮其在GaN領(lǐng)域的技術(shù)專(zhuān)長(zhǎng),聯(lián)合電子則憑借其在汽車(chē)電子系統(tǒng)方面的專(zhuān)業(yè)能力,共同致力于為新能源汽車(chē)打造更小巧、更輕便的電源和驅(qū)動(dòng)系統(tǒng),推動(dòng)新能源汽車(chē)電力電子系統(tǒng)的未來(lái)發(fā)展。

圖片來(lái)源:英諾賽科

2025年3月31日,意法半導(dǎo)體與英諾賽科共同宣布簽署了《氮化鎵技術(shù)開(kāi)發(fā)與制造協(xié)議》。

雙方將基于該協(xié)議充分發(fā)揮各自優(yōu)勢(shì),提升氮化鎵功率解決方案性能和供應(yīng)鏈韌性。根據(jù)協(xié)議,雙方將合作推進(jìn)氮化鎵功率技術(shù)的聯(lián)合開(kāi)發(fā)計(jì)劃,并在未來(lái)幾年內(nèi)共同推動(dòng)該技術(shù)在消費(fèi)電子、數(shù)據(jù)中心、汽車(chē)、工業(yè)電源系統(tǒng)等領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用。此外,英諾賽科可使用意法半導(dǎo)體在中國(guó)以外地區(qū)的前端制造產(chǎn)能生產(chǎn)其氮化鎵晶圓,而意法半導(dǎo)體也可利用英諾賽科在中國(guó)的前端制造產(chǎn)能生產(chǎn)其自有的氮化鎵晶圓。

2024年4 月18日,廣東芯賽威科技有限公司與能華科技發(fā)展有限公司成功簽署了戰(zhàn)略合作協(xié)議。

芯賽威是一家專(zhuān)注于模擬和傳感器SoC芯片的半導(dǎo)體供應(yīng)商,深耕電源管理芯片領(lǐng)域多年。能華科技是一家專(zhuān)注于第三代半導(dǎo)體GaN的高新技術(shù)企業(yè)。雙方的合作主要以電源驅(qū)動(dòng)芯片和氮化鎵(GaN)器件技術(shù)為基礎(chǔ),為客戶提供更加小型化、高功率密度、高性價(jià)比的新一代電源管理方案。

 

(集邦化合物半導(dǎo)體 金水 整理)

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