近日，安森美（onsemi）正式宣布，已與全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造商格芯（GlobalFoundries，GF）簽署合作協(xié)定。雙方將基于格芯先進(jìn)的200毫米（8英寸）增強型硅基氮化鎵（eMode GaN-on-silicon）制程技術(shù)，共同開發(fā)下一代氮化鎵功率元件。
圖片來源：安森美公告截圖
安森美攜手格芯研發(fā)下一代氮化鎵技術(shù)
此次合作首波將推出650V高壓元件，預(yù)計于2026年上半年提供樣品，展現(xiàn)雙方在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域的強大研發(fā)動能。
在應(yīng)用布局方面，這項合作開發(fā)的650V GaN產(chǎn)品展現(xiàn)了極廣的市場覆蓋度。在AI資料中心領(lǐng)域，該元件將成為高密度服務(wù)器電源及DC-DC 轉(zhuǎn)換器的核心；在電動汽車市場，則可優(yōu)化車載充電機（OBC）與動力轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的效能。此外，該技術(shù)亦將延伸至能源基礎(chǔ)設(shè)施，包括微型光伏逆變器與儲能系統(tǒng)，并在工業(yè)與航空航天領(lǐng)域為精密電機驅(qū)動器提供卓越的熱管理解決方案。
隨著生成式AI的爆發(fā)式成長，全球資料中心對電力密度的需求急劇攀升，傳統(tǒng)硅基功率元件已面臨效率提升的瓶頸。安森美透過此次合作，將其業(yè)界領(lǐng)先的硅基驅(qū)動器、控制器與強化散熱封裝技術(shù)，與格芯的650V GaN技術(shù)平臺結(jié)合。
GaN元件具備極高的開關(guān)頻率與雙向?qū)ㄌ匦?，能有效減少零組件數(shù)量并縮小系統(tǒng)尺寸。安森美企業(yè)戰(zhàn)略高級副總裁Dinesh Ramanathan指出，這些創(chuàng)新將助力客戶在AI服務(wù)器與航天應(yīng)用等嚴(yán)苛場景下，構(gòu)建體積更小、能效更高的功率系統(tǒng)。
安森美SiC/GaN產(chǎn)能擴張與IDM供應(yīng)鏈策略
觀察兩家巨頭的近期動態(tài)，安森美汽車方案事業(yè)部負(fù)責(zé)人在12月11日的發(fā)言中披露，公司正推進(jìn)SiC襯底與器件端的全面擴產(chǎn)，并已與頭部車企簽訂長期供貨協(xié)議（LTSA），2025年SiC器件營收占比目標(biāo)提升至12%—15%，這一增長主要來自800V平臺主驅(qū)與車載高壓系統(tǒng)的需求拉動。
技術(shù)層面，安森美基于M3e EliteSiC?技術(shù)的最新功率模塊可實現(xiàn)低于4nH的雜散電感，配合技術(shù)優(yōu)化實現(xiàn)1.4mΩ的內(nèi)阻，導(dǎo)通損耗較前幾代產(chǎn)品降低30%，關(guān)斷損耗最多可降低50%，性能優(yōu)勢顯著。
在GaN領(lǐng)域，公司正加速車載OBC與數(shù)據(jù)中心電源應(yīng)用的落地，結(jié)合垂直GaN（vGaN）技術(shù)與封裝優(yōu)勢，提供700V/1200V高壓器件樣品，有效解決高頻開關(guān)與能效瓶頸。
安森美 強調(diào)，SiC與GaN的產(chǎn)能規(guī)劃將與EliteSiC生態(tài)系統(tǒng)深度綁定，通過IDM模式保障從襯底到器件的全鏈可控，實現(xiàn)高可靠交付與成本優(yōu)化的同步推進(jìn)。
近期安森美剛宣布與汽車大廠佛維亞海拉（FORVIA HELLA）擴大技術(shù)結(jié)盟，并獲得董事會批準(zhǔn)60億美元的新股票回購計劃，展現(xiàn)對 AI 驅(qū)動營收成長的強烈信心。
透過此項合作，安森美進(jìn)一步鞏固了其涵蓋低壓、中壓至超高壓垂直GaN的全譜系技術(shù)領(lǐng)先地位。隨著樣品計劃于2026年上半年釋出，雙方將加速推動高效能功率元件的量產(chǎn)規(guī)模，為全球潔凈能源與智慧運算市場提供更強大的技術(shù)支撐。
格芯承接臺積電GaN工藝與硅光子純代工轉(zhuǎn)型
格芯則持續(xù)強化全球供應(yīng)鏈韌性，除了近期宣布投入11億歐元擴建德國德勒斯登晶圓廠，亦積極在美國本土布局先進(jìn)制程。格芯首席商務(wù)官Mike Hogan表示，透過與安森美的策略合作，雙方將在AI與電氣化浪潮中，共同建構(gòu)更具韌性且高效的半導(dǎo)體供應(yīng)鏈。
另外，值得注意的是，格芯近期在氮化鎵（GaN）領(lǐng)域展現(xiàn)了強大的領(lǐng)跑野心，透過戰(zhàn)略收購與技術(shù)授權(quán)快速擴張版圖。今年11月，格芯正式宣布獲得#臺積電 650V與80V的氮化鎵技術(shù)授權(quán)，此舉別具戰(zhàn)略意義。由于臺積電預(yù)計將在2027年淡出GaN代工市場，格芯藉此直接承接了領(lǐng)先的工藝規(guī)程，并計劃在美國佛蒙特州廠區(qū)進(jìn)行量產(chǎn)，目標(biāo)是成為美國本土最大的GaN生產(chǎn)基地。
與此同時，格芯也與GaN龍頭#納微半導(dǎo)體（Navitas）達(dá)成深度結(jié)盟，雙方將針對AI資料中心與電網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施，共同開發(fā)更高功率密度的解決方案。
圖片來源：格芯新聞稿截圖
在硅光子技術(shù)方面，格芯正全力轉(zhuǎn)型為全球最大的硅光子純代工廠，劍指AI資料中心的核心需求。透過收購新加坡先進(jìn)微鑄造（AMF），格芯顯著增強了光通信芯片的制造能力，這類芯片對于AI服務(wù)器之間的高速數(shù)據(jù)傳輸至關(guān)重要。此外，透過與新加坡科技研究局的合作協(xié)定，格芯正致力于開發(fā)超高速光傳輸技術(shù)，利用光學(xué)互聯(lián)解決目前AI算力集群中電信號傳輸造成的發(fā)熱與延遲問題，從根本上降低AI運算的能耗瓶頸。
（集邦化合物半導(dǎo)體 竹子 整理）
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