據人民網消息，近日，哈爾濱科友半導體產業(yè)裝備與技術研究院有限公司（以下簡稱“科友半導體”）開發(fā)的高性能碳化硅長晶裝備和高質量襯底產品實現規(guī)?；a。自主研發(fā)的第三代半導體碳化硅產品不僅具有晶體生長周期短、良率高等優(yōu)勢，而且將襯底成本降低一半以上。
科友半導體解決了大尺寸碳化硅單晶制備易開裂、缺陷密度高、生長速率慢等技術難題，突破了碳化硅襯底產業(yè)化系列關鍵技術，完成了6英寸設備研制、生產線搭建、單晶襯底材料制備等，并在此基礎上進一步實現了8英寸碳化硅單晶襯底制備。
目前，科友半導體第三代半導體產學研聚集區(qū)一期工程已投入生產，該項目總投資10億元，目前已安裝100臺長晶爐，全部達產后可形成年產10萬片6英寸碳化硅襯底的生產能力。二期工程將于近期開工建設，建成后將實現年產導電型碳化硅襯底15萬片。
圖片來源：拍信網正版圖庫
按照發(fā)展規(guī)劃，未來兩年科友半導體將實現年產20~30萬片碳化硅襯底的產能，成為全球碳化硅襯底重要供應商之一。
SiC襯底是制造SiC器件最基礎的材料，也是發(fā)展SiC的關鍵。目前，SiC因其優(yōu)異的性能，廣受電動汽車、可再生能源等領域的認可。
據TrendForce集邦咨詢化合物半導體研究處最新發(fā)布的《2023 SiC功率半導體市場分析報告-Part1》分析，2023年整體SiC功率元件市場規(guī)模達22.8億美元，年成長41.4%；至2026年SiC功率元件市場規(guī)?？赏_53.3億美元。（文：集邦化合物半導體 Amber整理）
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