今日，科友半導(dǎo)體宣布其6/8英寸碳化硅規(guī)?；a(chǎn)取得了重大技術(shù)突破。
公司自主研發(fā)出兩種不同加熱方式的PVT法晶體生長(zhǎng)爐，完成了國(guó)產(chǎn)自主1至4代感應(yīng)爐和1至3代電阻爐的研發(fā)，形成大尺寸低成本碳化硅產(chǎn)業(yè)化制備系列技術(shù)。
實(shí)現(xiàn)了6英寸碳化硅單晶襯底的規(guī)模生產(chǎn)和批量供貨，8英寸碳化硅單晶襯底的小批量生產(chǎn)及供貨，向碳化硅晶體生長(zhǎng)企業(yè)提供涵蓋設(shè)備、材料及技術(shù)服務(wù)等全產(chǎn)業(yè)鏈的解決方案。突破如下：
熱場(chǎng)及耗材國(guó)產(chǎn)化率達(dá)到95%以上；
長(zhǎng)晶良率達(dá)到80%以上，晶體厚度達(dá)到40mm以上；
打破傳統(tǒng)碳化硅粘接籽晶技術(shù)的限制；
突破了大尺寸8英寸碳化硅單晶制備的關(guān)鍵技術(shù)；
具備超強(qiáng)的兼容性；
已申請(qǐng)專利129項(xiàng)，目前授權(quán)專利61項(xiàng)。
Source：科友半導(dǎo)體
據(jù)了解，科友半導(dǎo)體第三代半導(dǎo)體產(chǎn)學(xué)研聚集區(qū)一期工程已投入生產(chǎn)，該項(xiàng)目總投資10億元，目前已安裝100臺(tái)長(zhǎng)晶爐，全部達(dá)產(chǎn)后可形成年產(chǎn)10萬(wàn)片6英寸碳化硅襯底的生產(chǎn)能力。二期工程將于近期開(kāi)工建設(shè)，建成后將實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)導(dǎo)電型碳化硅襯底15萬(wàn)片。
按照發(fā)展規(guī)劃，未來(lái)兩年科友半導(dǎo)體將實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)20~30萬(wàn)片碳化硅襯底的產(chǎn)能，成為全球碳化硅襯底重要供應(yīng)商之一。（文：集邦化合物半導(dǎo)體 Doris整理）
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