近日，Nexperia（安世半導體）正式推出一系列性能高效、穩(wěn)定可靠的工業(yè)級1200 V碳化硅(SiC) MOSFET。該系列器件在溫度穩(wěn)定性方面表現(xiàn)出色，采用創(chuàng)新的表面貼裝 (SMD) 頂部散熱封裝技術X.PAK。X.PAK封裝外形緊湊，尺寸僅為14 mm ×18.5 mm，巧妙融合了SMD技術在封裝環(huán)節(jié)的便捷優(yōu)勢以及通孔技術的高效散熱能力，確保優(yōu)異的散熱效果。
此次新品發(fā)布精準滿足了眾多高功率（工業(yè)）應用領域?qū)Ψ至⑹絊iC MOSFET不斷增長的需求，該系列器件借助頂部散熱技術的優(yōu)勢，得以實現(xiàn)卓越的熱性能表現(xiàn)。這些器件在電池儲能系統(tǒng)(BESS)、光伏逆變器、電機驅(qū)動器以及不間斷電源(UPS)等工業(yè)應用場景中表現(xiàn)卓越。此外，在包括充電樁在內(nèi)的電動汽車充電基礎設施領域同樣能發(fā)揮出眾效能。
X.PAK封裝允許將散熱器直接連接至引線框架，進一步提升了Nexperia SiC MOSFET的散熱性能，實現(xiàn)從外殼頂部高效散熱。這一設計有效降低了通過PCB散熱所帶來的負面影響。同時，Nexperia的X.PAK封裝使表面貼裝組件具備低電感特性，并支持自動化電路板封裝流程。?新款X.PAK封裝器件具備Nexperia SiC MOSFET一貫的優(yōu)異品質(zhì)因數(shù)(FoM)。
其中，RDS(on)作為關鍵參數(shù)，對導通損耗影響顯著。然而，許多制造商往往僅關注該參數(shù)（常溫）的標稱值，卻忽略了一個事實，即隨著器件工作溫度的升高，標稱值可能會增加100%以上，從而造成相當大的導通損耗。與之不同，Nexperia SiC MOSFET展現(xiàn)出出色的溫度穩(wěn)定性，在25℃至175℃的工作溫度區(qū)間內(nèi)，RDS(on)的標稱值僅增加38%。（集邦化合物半導體整理）
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