據(jù)濱海發(fā)布消息，8月1日，伯芯微電子（天津）有限公司（簡(jiǎn)稱“伯芯微電子”）在天津經(jīng)開區(qū)微電子創(chuàng)新產(chǎn)業(yè)園正式投產(chǎn)。
圖片來源：濱海發(fā)布
根據(jù)預(yù)測(cè)，該項(xiàng)目達(dá)產(chǎn)后，預(yù)計(jì)月封裝芯片產(chǎn)能在2億顆以上，年收入將達(dá)到2億元以上。
公開資料顯示，伯芯微電子成立于2022年，由中科院微電子研究所注冊(cè)成立，是一家專注于半導(dǎo)體集成電路封裝測(cè)試的企業(yè)，主要開展DFN（雙扁平無引腳封裝）和QFN（方形扁平無引腳封裝）兩大類形式的封裝，封裝產(chǎn)品主要是電源保護(hù)類芯片。
除現(xiàn)有產(chǎn)品產(chǎn)能提升外，伯芯微電子還將增加Flip chip（倒裝芯片）工藝先進(jìn)封裝樣品線、功率SiC（碳化硅）、GaN（氮化鎵）芯片封裝以及RF射頻模塊、音頻功放IC模塊等產(chǎn)品線，逐步從小型化封裝擴(kuò)展到高級(jí)封裝。
SiC和GaN作為第三代半導(dǎo)體材料，憑借耐高溫、高頻、高效等特性，廣泛應(yīng)用于新能源汽車、儲(chǔ)能、光伏逆變器、5G基站等高壓高頻場(chǎng)景。例如，在新能源汽車領(lǐng)域，碳化硅功率器件可提升逆變器效率，降低整車能耗與重量，增加續(xù)航里程；氮化鎵器件則在5G基站射頻電路中展現(xiàn)出高功率密度、高效率等性能，有效縮小基站體積與成本。
但相比傳統(tǒng)硅功率器件封裝，SiC和GaN具有的優(yōu)點(diǎn)也對(duì)器件的物理保護(hù)、散熱、電氣連接等提出了更嚴(yán)苛的要求，必須通過專門的封裝設(shè)計(jì)解決。既要解決高頻高壓下的電氣性能瓶頸，也要應(yīng)對(duì)高功率密度帶來的散熱和可靠性挑戰(zhàn)，技術(shù)要求更高。
作為芯片實(shí)現(xiàn)價(jià)值的“最后一公里”，半導(dǎo)體封裝測(cè)試環(huán)節(jié)是產(chǎn)業(yè)鏈不可或缺的重要一環(huán)。此次伯芯微電子落戶天津經(jīng)開區(qū)，將為區(qū)域半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈補(bǔ)上關(guān)鍵一環(huán)，進(jìn)一步完善主題園區(qū)產(chǎn)業(yè)生態(tài)，提升產(chǎn)業(yè)整體競(jìng)爭(zhēng)力。
（集邦化合物半導(dǎo)體整理）
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