8月12日，全球晶圓代工龍頭臺(tái)積電（TSMC）披露，董事會(huì)已決定在未來(lái)兩年內(nèi)逐步退出6英寸晶圓制造業(yè)務(wù)，并持續(xù)整并8英寸晶圓產(chǎn)能。此舉對(duì)第三代半導(dǎo)體的碳化硅和氮化鎵產(chǎn)生了不同程度的影響。
臺(tái)積電在聲明中指出，此項(xiàng)決定不會(huì)影響公司先前公布的財(cái)務(wù)目標(biāo)，即2025年美元營(yíng)收將增長(zhǎng)約30%的預(yù)期。同一天，臺(tái)積電董事會(huì)也核準(zhǔn)了超過(guò)206億美元的資本預(yù)算，用于建置先進(jìn)及成熟制程產(chǎn)能、廠房興建及廠務(wù)設(shè)施工程等，顯示其持續(xù)投資高階技術(shù)，并對(duì)成熟制程進(jìn)行策略調(diào)整的決心。
積電1.png)
圖片來(lái)源：臺(tái)積電
業(yè)務(wù)聚焦：退出6英寸，整并8英寸
在官方公告前，市場(chǎng)已流傳相關(guān)風(fēng)聲，有傳聞稱(chēng)臺(tái)積電將關(guān)閉在臺(tái)灣的最后一座6英寸晶圓廠，并通知相關(guān)電源IC設(shè)計(jì)公司，此舉最終得到了官方證實(shí)。
公開(kāi)資料顯示，臺(tái)積電的這座6英寸晶圓廠月產(chǎn)能約8.3萬(wàn)片，營(yíng)收占比不到0.5%，其戰(zhàn)略重要性已顯著降低。該廠主要采用0.45μm及以上 的成熟制程，生產(chǎn)傳感器、模擬電路和基礎(chǔ)功率器件等產(chǎn)品，廣泛應(yīng)用于物聯(lián)網(wǎng)、消費(fèi)電子和工業(yè)控制等領(lǐng)域。盡管這些產(chǎn)品在傳統(tǒng)且對(duì)成本敏感的市場(chǎng)中仍有穩(wěn)定需求，但其增長(zhǎng)潛力已遠(yuǎn)不如先進(jìn)制程。
臺(tái)積電的這一戰(zhàn)略調(diào)整對(duì)業(yè)界產(chǎn)生了多方面的影響。首先，對(duì)于依賴(lài)其6英寸產(chǎn)能的客戶而言，訂單轉(zhuǎn)移成為首要挑戰(zhàn)。臺(tái)積電已提供了多種解決方案：部分訂單可能轉(zhuǎn)移至其12英寸產(chǎn)線以利用規(guī)?；瘍?yōu)勢(shì)，而另一部分則可能交由其子公司世界先進(jìn)接手，該公司作為成熟制程領(lǐng)域的專(zhuān)家，能確?？蛻艄?yīng)的平穩(wěn)過(guò)渡。
其次，此舉是臺(tái)積電優(yōu)化產(chǎn)能、布局未來(lái)的一項(xiàng)重要舉措。退出6英寸制造業(yè)務(wù)后，其閑置的廠區(qū)土地和廠房有望被重新利用。有分析認(rèn)為，臺(tái)積電很可能會(huì)將該廠址改造為 先進(jìn)封裝廠，以支持其在CoWoS和SoIC等技術(shù)領(lǐng)域的擴(kuò)張。這將有助于臺(tái)積電滿足日益增長(zhǎng)的AI芯片對(duì)異質(zhì)整合（Heterogeneous Integration）的巨大需求。
此次調(diào)整背后有多重因素。一方面，6英寸晶圓制造業(yè)務(wù)的市場(chǎng)需求逐漸萎縮，而整合8英寸產(chǎn)能能夠顯著提升生產(chǎn)效率。另一方面，臺(tái)積電正在將資源向高利潤(rùn)領(lǐng)域傾斜，例如高性能計(jì)算和AI芯片的先進(jìn)制程與封裝業(yè)務(wù)。值得注意的是，這與此前臺(tái)積電計(jì)劃退出氮化鎵（GaN）業(yè)務(wù)的決策一脈相承，其原因都包括業(yè)務(wù)優(yōu)先級(jí)重構(gòu)、市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)惡化以及供應(yīng)鏈風(fēng)險(xiǎn)等因素。
圖片來(lái)源：拍信網(wǎng)
氮化鎵（GaN）：戰(zhàn)略性退出與產(chǎn)能騰挪
臺(tái)積電退出6英寸制造業(yè)務(wù)，與此前其在氮化鎵業(yè)務(wù)上的動(dòng)作緊密關(guān)聯(lián)。市場(chǎng)消息顯示，臺(tái)積電已計(jì)劃在未來(lái)兩年停止其晶圓五廠的GaN生產(chǎn)，并將其改造為先進(jìn)封裝產(chǎn)線。
這一決策背后有多重因素考量：臺(tái)積電的GaN業(yè)務(wù)主要在6英寸晶圓上進(jìn)行，營(yíng)收貢獻(xiàn)低，其戰(zhàn)略優(yōu)先級(jí)被大幅下調(diào)。相較于利潤(rùn)豐厚的先進(jìn)制程和供不應(yīng)求的先進(jìn)封裝業(yè)務(wù)，GaN的戰(zhàn)略重要性顯著降低。
此外，此舉也為臺(tái)積電的GaN客戶提供了平穩(wěn)的過(guò)渡方案。作為臺(tái)積電GaN業(yè)務(wù)的主要客戶，納微半導(dǎo)體（Navitas）已未雨綢繆，與力積電（PSMC）建立了戰(zhàn)略合作關(guān)系，確保8英寸硅基氮化鎵技術(shù)的生產(chǎn)。這為臺(tái)積電的退出提供了平穩(wěn)的外部解決方案，也使力積電成為該市場(chǎng)的主要受益者。
最關(guān)鍵的是，退出GaN業(yè)務(wù)使得臺(tái)積電能夠?qū)⒃A五廠的廠房和無(wú)塵室直接轉(zhuǎn)用于先進(jìn)封裝。在AI芯片需求爆發(fā)的當(dāng)下，臺(tái)積電的CoWoS產(chǎn)能持續(xù)供不應(yīng)求。通過(guò)快速將低效能產(chǎn)線轉(zhuǎn)為高價(jià)值的先進(jìn)封裝產(chǎn)線，臺(tái)積電能夠迅速擴(kuò)充產(chǎn)能，鞏固其在AI芯片代工市場(chǎng)的絕對(duì)優(yōu)勢(shì)。
碳化硅（SiC）：多維度布局與強(qiáng)化合作
臺(tái)積電目前在碳化硅領(lǐng)域已有一定的技術(shù)儲(chǔ)備和產(chǎn)業(yè)布局。公司董事長(zhǎng)劉德音曾透露，臺(tái)積電已經(jīng)開(kāi)發(fā)了多種與碳化硅相關(guān)的高壓產(chǎn)品。
雖然臺(tái)積電并未直接運(yùn)營(yíng)大規(guī)模的SiC產(chǎn)線，但它通過(guò)多元化的產(chǎn)業(yè)布局，強(qiáng)化了自身在這一領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)力。首先，臺(tái)積電在SiC領(lǐng)域的技術(shù)研發(fā)與工藝探索方面取得了顯著進(jìn)展，并正在探索將成熟工藝節(jié)點(diǎn)的產(chǎn)能升級(jí)為特殊工藝。此外，臺(tái)積電通過(guò)其子公司世界先進(jìn)（VIS）間接強(qiáng)化了SiC布局。
2024年，世界先進(jìn)與漢磊科技宣布計(jì)劃聯(lián)合建設(shè)一座8英寸晶圓廠，專(zhuān)門(mén)用于SiC芯片的生產(chǎn)。這種合作模式將漢磊科技在SiC領(lǐng)域的技術(shù)積累與臺(tái)積電在半導(dǎo)體制造方面的領(lǐng)先技術(shù)和產(chǎn)能管理能力相結(jié)合，實(shí)現(xiàn)了優(yōu)勢(shì)互補(bǔ)，共同加速8英寸SiC技術(shù)的開(kāi)發(fā)和量產(chǎn)。
值得注意的是，臺(tái)積電與世界先進(jìn)的SiC項(xiàng)目直接定位于8英寸晶圓，而非更傳統(tǒng)的6英寸。這表明臺(tái)積電看到了8英寸SiC晶圓在未來(lái)電動(dòng)汽車(chē)、工業(yè)電源等高增長(zhǎng)市場(chǎng)的巨大潛力，并選擇以更先進(jìn)、更具規(guī)模效益的技術(shù)平臺(tái)切入，而非停留在6英寸的存量市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)。
（集邦化合物半導(dǎo)體 竹子 整理）
更多SiC和GaN的市場(chǎng)資訊，請(qǐng)關(guān)注微信公眾賬號(hào)：集邦化合物半導(dǎo)體。