8月12日，全球晶圓代工龍頭臺積電（TSMC）披露，董事會已決定在未來兩年內(nèi)逐步退出6英寸晶圓制造業(yè)務，并持續(xù)整并8英寸晶圓產(chǎn)能。此舉對第三代半導體的碳化硅和氮化鎵產(chǎn)生了不同程度的影響。
臺積電在聲明中指出，此項決定不會影響公司先前公布的財務目標，即2025年美元營收將增長約30%的預期。同一天，臺積電董事會也核準了超過206億美元的資本預算，用于建置先進及成熟制程產(chǎn)能、廠房興建及廠務設施工程等，顯示其持續(xù)投資高階技術，并對成熟制程進行策略調(diào)整的決心。
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業(yè)務聚焦：退出6英寸，整并8英寸
在官方公告前，市場已流傳相關風聲，有傳聞稱臺積電將關閉在臺灣的最后一座6英寸晶圓廠，并通知相關電源IC設計公司，此舉最終得到了官方證實。
公開資料顯示，臺積電的這座6英寸晶圓廠月產(chǎn)能約8.3萬片，營收占比不到0.5%，其戰(zhàn)略重要性已顯著降低。該廠主要采用0.45μm及以上 的成熟制程，生產(chǎn)傳感器、模擬電路和基礎功率器件等產(chǎn)品，廣泛應用于物聯(lián)網(wǎng)、消費電子和工業(yè)控制等領域。盡管這些產(chǎn)品在傳統(tǒng)且對成本敏感的市場中仍有穩(wěn)定需求，但其增長潛力已遠不如先進制程。
臺積電的這一戰(zhàn)略調(diào)整對業(yè)界產(chǎn)生了多方面的影響。首先，對于依賴其6英寸產(chǎn)能的客戶而言，訂單轉移成為首要挑戰(zhàn)。臺積電已提供了多種解決方案：部分訂單可能轉移至其12英寸產(chǎn)線以利用規(guī)?；瘍?yōu)勢，而另一部分則可能交由其子公司世界先進接手，該公司作為成熟制程領域的專家，能確保客戶供應的平穩(wěn)過渡。
其次，此舉是臺積電優(yōu)化產(chǎn)能、布局未來的一項重要舉措。退出6英寸制造業(yè)務后，其閑置的廠區(qū)土地和廠房有望被重新利用。有分析認為，臺積電很可能會將該廠址改造為 先進封裝廠，以支持其在CoWoS和SoIC等技術領域的擴張。這將有助于臺積電滿足日益增長的AI芯片對異質整合（Heterogeneous Integration）的巨大需求。
此次調(diào)整背后有多重因素。一方面，6英寸晶圓制造業(yè)務的市場需求逐漸萎縮，而整合8英寸產(chǎn)能能夠顯著提升生產(chǎn)效率。另一方面，臺積電正在將資源向高利潤領域傾斜，例如高性能計算和AI芯片的先進制程與封裝業(yè)務。值得注意的是，這與此前臺積電計劃退出氮化鎵（GaN）業(yè)務的決策一脈相承，其原因都包括業(yè)務優(yōu)先級重構、市場競爭惡化以及供應鏈風險等因素。
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氮化鎵（GaN）：戰(zhàn)略性退出與產(chǎn)能騰挪
臺積電退出6英寸制造業(yè)務，與此前其在氮化鎵業(yè)務上的動作緊密關聯(lián)。市場消息顯示，臺積電已計劃在未來兩年停止其晶圓五廠的GaN生產(chǎn)，并將其改造為先進封裝產(chǎn)線。
這一決策背后有多重因素考量：臺積電的GaN業(yè)務主要在6英寸晶圓上進行，營收貢獻低，其戰(zhàn)略優(yōu)先級被大幅下調(diào)。相較于利潤豐厚的先進制程和供不應求的先進封裝業(yè)務，GaN的戰(zhàn)略重要性顯著降低。
此外，此舉也為臺積電的GaN客戶提供了平穩(wěn)的過渡方案。作為臺積電GaN業(yè)務的主要客戶，納微半導體（Navitas）已未雨綢繆，與力積電（PSMC）建立了戰(zhàn)略合作關系，確保8英寸硅基氮化鎵技術的生產(chǎn)。這為臺積電的退出提供了平穩(wěn)的外部解決方案，也使力積電成為該市場的主要受益者。
最關鍵的是，退出GaN業(yè)務使得臺積電能夠將原晶圓五廠的廠房和無塵室直接轉用于先進封裝。在AI芯片需求爆發(fā)的當下，臺積電的CoWoS產(chǎn)能持續(xù)供不應求。通過快速將低效能產(chǎn)線轉為高價值的先進封裝產(chǎn)線，臺積電能夠迅速擴充產(chǎn)能，鞏固其在AI芯片代工市場的絕對優(yōu)勢。
碳化硅（SiC）：多維度布局與強化合作
臺積電目前在碳化硅領域已有一定的技術儲備和產(chǎn)業(yè)布局。公司董事長劉德音曾透露，臺積電已經(jīng)開發(fā)了多種與碳化硅相關的高壓產(chǎn)品。
雖然臺積電并未直接運營大規(guī)模的SiC產(chǎn)線，但它通過多元化的產(chǎn)業(yè)布局，強化了自身在這一領域的競爭力。首先，臺積電在SiC領域的技術研發(fā)與工藝探索方面取得了顯著進展，并正在探索將成熟工藝節(jié)點的產(chǎn)能升級為特殊工藝。此外，臺積電通過其子公司世界先進（VIS）間接強化了SiC布局。
2024年，世界先進與漢磊科技宣布計劃聯(lián)合建設一座8英寸晶圓廠，專門用于SiC芯片的生產(chǎn)。這種合作模式將漢磊科技在SiC領域的技術積累與臺積電在半導體制造方面的領先技術和產(chǎn)能管理能力相結合，實現(xiàn)了優(yōu)勢互補，共同加速8英寸SiC技術的開發(fā)和量產(chǎn)。
值得注意的是，臺積電與世界先進的SiC項目直接定位于8英寸晶圓，而非更傳統(tǒng)的6英寸。這表明臺積電看到了8英寸SiC晶圓在未來電動汽車、工業(yè)電源等高增長市場的巨大潛力，并選擇以更先進、更具規(guī)模效益的技術平臺切入，而非停留在6英寸的存量市場競爭。
（集邦化合物半導體 竹子 整理）
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