“芯能半導(dǎo)體”官微消息，近期芯能發(fā)布新一代高效、高功率密度、高可靠性的電力電子核心功率轉(zhuǎn)換解決方案。基于先進(jìn)的寬禁帶半導(dǎo)體材料——碳化硅 (SiC)，集成SiC MOSFET并內(nèi)置優(yōu)化的驅(qū)動(dòng)與過流保護(hù)電路，功率在300W以下支持無散熱器應(yīng)用。
體.png)
圖片來源：芯能半導(dǎo)體
相比傳統(tǒng)硅基IGBT IPM，碳化硅IPM系統(tǒng)效率可提升2%至5%甚至更高，尤其在部分負(fù)載和開關(guān)頻率提升時(shí)優(yōu)勢(shì)更明顯。同時(shí)，碳化硅IPM能大幅降低能源損耗，減少散熱需求，直接降低系統(tǒng)運(yùn)行成本和溫升。此外，SiC器件支持?jǐn)?shù)倍于硅基器件的開關(guān)頻率 (可達(dá)100kHz甚至更高)。
芯能半導(dǎo)體介紹，上述方案集成了半橋驅(qū)動(dòng)芯片、高性能SiC-MOSFET，適用于正弦波或梯形波調(diào)制應(yīng)用，內(nèi)部集成自舉二極管，雙通道欠壓保護(hù)，所有通道延遲時(shí)間匹配，兼容3.3V邏輯電平輸入，輸入信號(hào)互鎖保護(hù)，防止橋臂直通，內(nèi)部集成過流保護(hù)和過溫保護(hù)功能，集成溫度監(jiān)控與輸出功能，并具備上電及斷電使能功能。
系統(tǒng)測(cè)試顯示，無散熱系統(tǒng)，將IPM模塊頂部/底部粘上熱電偶探頭；IPM樣品頂部溫度通過熱電偶探頭使用溫度記錄儀器監(jiān)控實(shí)時(shí)溫度；在環(huán)境溫度35℃，控制載波頻率16KHz，母線電壓310V；持續(xù)運(yùn)行負(fù)載電流0.6A、0.8A、1.5A、2.0A（峰峰電流）采集整機(jī)恒定溫度。
電流0.8A下，同類產(chǎn)品優(yōu)化40度，不同封裝優(yōu)化50度，并且無散熱器電流能達(dá)到2A。功率在300W以下支持無散熱器應(yīng)用。安裝散熱片的情況下，功率可以支持到1000瓦。
（集邦化合物半導(dǎo)體整理）
更多SiC和GaN的市場(chǎng)資訊，請(qǐng)關(guān)注微信公眾賬號(hào)：集邦化合物半導(dǎo)體。