天岳先進x東芝電子元件,碳化硅強強合作

作者 | 發(fā)布日期 2025 年 08 月 25 日 13:38 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC

近期,東芝電子元件及存儲裝置株式會社(以下簡稱”東芝電子元件”)與山東天岳先進科技股份有限公司(以下簡稱”天岳先進”)就天岳先進開發(fā)制造的SiC功率半導體用襯底達成基本協(xié)議。

圖片來源:山東天岳先進科技股份有限公司

天岳先進表示,雙方將針對SiC功率半導體特性提升與品質(zhì)改善的技術協(xié)作,以及運用合作成果擴大高品質(zhì)穩(wěn)定襯底供應的商業(yè)合作。今后雙方將就共同推進或相互協(xié)作的具體事項展開詳細磋商。

據(jù)悉,東芝電子元 以鐵路用SiC功率半導體的開發(fā)、制造及供應實績?yōu)榛A,正加速推進服務器電源用、車載用等SiC器件開發(fā),未來將致力于進一步降低SiC功率半導體損耗,開發(fā)面向高效電力轉(zhuǎn)換應用的高可靠性、高效率產(chǎn)品。除自主研發(fā)外,與SiC襯底技術改良的緊密協(xié)作也至關重要。

天岳先進自2010年創(chuàng)立以來,始終專注于單晶SiC襯底的開發(fā)生產(chǎn),在SiC襯底開發(fā)及量產(chǎn)技術領域具有優(yōu)勢,該公司2024年率先發(fā)布全球首款12英寸SiC襯底,2025年實現(xiàn)n型、半絕緣型及p型全系產(chǎn)品12英寸襯底布局。

天岳先進指出,此次與東芝電子元件達成合作,天岳先進將把SiC功率半導體產(chǎn)品的需求,以及東芝對SiC襯底核心技術應用的期待,轉(zhuǎn)化為襯底品質(zhì)與可靠性的提升,助力SiC功率半導體市場發(fā)展。

 

(集邦化合物半導體整理)

更多SiC和GaN的市場資訊,請關注微信公眾賬號:集邦化合物半導體。