近日，天成半導(dǎo)體官微宣布，依托自主研發(fā)的12英寸碳化硅長(zhǎng)晶設(shè)備成功研制出12英寸高純半絕緣碳化硅單晶材料，12英寸N型碳化硅單晶材料晶體?有效厚度突破35mm厚。
據(jù)悉，天成半導(dǎo)體現(xiàn)已掌握12英寸高純半絕緣和N型單晶生長(zhǎng)雙成熟工藝，且自研的長(zhǎng)晶設(shè)備可產(chǎn)出直徑達(dá)到350mm的單晶材料。
圖片來(lái)源：天成半導(dǎo)體
資料顯示，天成半導(dǎo)體成立于2021年8月，是一家專注于第三代半導(dǎo)體碳化硅襯底材料研發(fā)、生產(chǎn)及晶體生長(zhǎng)裝備制造的高新技術(shù)企業(yè)。
近年來(lái)，天成半導(dǎo)體在碳化硅領(lǐng)域取得了諸多重要進(jìn)展，率先研發(fā)出可量產(chǎn)的8-12英寸導(dǎo)電型和半絕緣型碳化硅單晶材料。
2022年實(shí)現(xiàn)了6英寸導(dǎo)電型和半絕緣型碳化硅晶錠的小批量生產(chǎn)；2023年6月實(shí)現(xiàn)8寸SiC單晶技術(shù)研發(fā)突破，開發(fā)出了直徑為202mm的8寸SiC單晶；2024年實(shí)現(xiàn)了8英寸SiC單晶批量生產(chǎn)，產(chǎn)品厚度均勻性誤差小于2微米。
今年7月，天成半導(dǎo)體宣布成功研制出12英寸（300mm）N型碳化硅單晶材料，攻克了大尺寸擴(kuò)徑工藝和低缺陷N型單晶材料的生長(zhǎng)工藝，其創(chuàng)新采用的電阻爐工藝使晶體生長(zhǎng)速度突破0.4mm/h的行業(yè)瓶頸，微管密度降至0.5個(gè)/cm2以下，良率達(dá)到65%。
截至目前，天成半導(dǎo)體已形成了碳化硅單晶爐制造、碳化硅粉料制備、6-12英寸碳化硅單晶材料生長(zhǎng)、生產(chǎn)耗材加工等完整的生產(chǎn)線。實(shí)現(xiàn)了從碳化硅長(zhǎng)晶設(shè)備制造、粉料、籽晶、熱場(chǎng)設(shè)計(jì)到晶體加工等全流程工藝完全自主可控。
圖片來(lái)源：天成半導(dǎo)體
國(guó)內(nèi)12英寸SiC領(lǐng)域近期多點(diǎn)突破
碳化硅憑借耐高溫、耐高壓、高頻、低損耗及光學(xué)特性等獨(dú)特優(yōu)勢(shì)，應(yīng)用邊界不斷拓展，延伸至新能源全產(chǎn)業(yè)鏈、5G通信、AR/VR、航空航天與核能等新領(lǐng)域。
隨著國(guó)內(nèi)企業(yè)在6英寸、8英寸量產(chǎn)技術(shù)成熟，12英寸材料研制突破持續(xù)涌現(xiàn)。8月底，連科半導(dǎo)體采用中宜創(chuàng)芯7N高純碳化硅粉體，依托自主研發(fā)的12英寸碳化硅長(zhǎng)晶爐及熱場(chǎng)，成功生長(zhǎng)出304mm高品質(zhì)碳化硅晶錠；9月8日，科友半導(dǎo)體同步宣布制備出12英寸碳化硅晶錠，成為國(guó)內(nèi)少數(shù)同時(shí)掌握長(zhǎng)晶設(shè)備與工藝全套核心技術(shù)的企業(yè)，而晶飛半導(dǎo)體當(dāng)天則實(shí)現(xiàn)自主研發(fā)激光剝離設(shè)備對(duì)12英寸碳化硅晶圓的剝離，為產(chǎn)業(yè)降本增效提供新路徑。
9月10日，環(huán)球晶開發(fā)出12英寸方形碳化硅晶圓，并突破非激光切割技術(shù)，解決了方形晶圓適配設(shè)備的行業(yè)難題；9月26日，晶盛機(jī)電子公司浙江晶瑞首條12英寸碳化硅襯底加工中試線通線，實(shí)現(xiàn)從長(zhǎng)晶到檢測(cè)的全流程設(shè)備100%國(guó)產(chǎn)化，其自研的高精度減薄機(jī)、雙面研磨機(jī)等核心裝備性能領(lǐng)先，可使襯底量產(chǎn)后成本降至原來(lái)的60%。在市場(chǎng)化推進(jìn)方面，天岳先進(jìn)已發(fā)布全系列12英寸產(chǎn)品矩陣，斬獲全球頭部客戶多個(gè)訂單，上海臨港基地二期擴(kuò)產(chǎn)將重點(diǎn)布局該品類。
這些突破與天成半導(dǎo)體的技術(shù)進(jìn)展形成協(xié)同效應(yīng)，碳化硅不僅成為打破國(guó)外技術(shù)壟斷的 “突破口”，更帶動(dòng)了上游長(zhǎng)晶爐設(shè)備、下游器件設(shè)計(jì)與封裝測(cè)試等配套產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，形成從材料到應(yīng)用的完整產(chǎn)業(yè)鏈生態(tài)，為我國(guó)在新能源、高端制造等戰(zhàn)略領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)力提升奠定了材料基礎(chǔ)。
（集邦化合物半導(dǎo)體 金水 整理）
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