2026年1月16日，天域半導(dǎo)體與青禾晶元半導(dǎo)體科技集團(tuán)（下文簡(jiǎn)稱“青禾晶元”）正式締結(jié)了戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系。
圖片來源：天域半導(dǎo)體
基于此次合作，雙方將整合各自優(yōu)勢(shì)資源——天域半導(dǎo)體在碳化硅材料領(lǐng)域的深厚積累，以及青禾晶元在鍵合設(shè)備定制與優(yōu)化方面的專長，攜手推進(jìn)鍵合材料（涵蓋鍵合碳化硅（bonded SiC）、絕緣體上硅（SOI）、絕緣體上壓電基板（POI）以及超大尺寸（12英寸及以上）SiC復(fù)合散熱基板等）的工藝研發(fā)與技術(shù)革新。
根據(jù)合作協(xié)議，天域半導(dǎo)體將負(fù)責(zé)bonded SiC、SOI、POI、12英寸SiC復(fù)合散熱基板及中介層等鍵合材料的工藝開發(fā)及規(guī)模化生產(chǎn)導(dǎo)入工作。青禾晶元?jiǎng)t承諾為天域半導(dǎo)體提供離子注入、晶圓級(jí)鍵合、精密拋光、晶體修復(fù)及剝離等關(guān)鍵設(shè)備，并給予相應(yīng)的技術(shù)支持。此次攜手，旨在充分發(fā)揮雙方在各自領(lǐng)域的專長，助力天域半導(dǎo)體在鍵合材料領(lǐng)域的技術(shù)實(shí)力再上新臺(tái)階，從而穩(wěn)固并擴(kuò)大其市場(chǎng)版圖。
此次合作，不僅是技術(shù)層面的深度融合，更是天域半導(dǎo)體順應(yīng)產(chǎn)業(yè)發(fā)展潮流，進(jìn)行的一次前瞻性戰(zhàn)略布局。近年來，全球半導(dǎo)體行業(yè)的競(jìng)爭(zhēng)焦點(diǎn)正逐步從傳統(tǒng)硅材料向碳化硅、氮化鎵等第三代半導(dǎo)體材料轉(zhuǎn)移。新能源汽車、光伏發(fā)電、5G通信等產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展，對(duì)高性能功率器件的需求日益增長，而這些器件的核心材料正是碳化硅及其復(fù)合基板。天域半導(dǎo)體與青禾晶元的合作，正是對(duì)這一行業(yè)趨勢(shì)的精準(zhǔn)把握。
鍵合技術(shù)，作為一種將不同材料緊密結(jié)合的工藝，正成為推動(dòng)新一代芯片性能躍升的關(guān)鍵因素。以SOI（絕緣體上硅）為例，其獨(dú)特的“三明治”結(jié)構(gòu)能有效減少漏電流和寄生電容，使芯片運(yùn)行更快、更節(jié)能、更抗輻射，廣泛應(yīng)用于人工智能、5G通信、汽車電子及航空航天等領(lǐng)域。而POI（絕緣體上壓電基板）則在聲學(xué)和光學(xué)器件中發(fā)揮著重要作用，如噪聲監(jiān)測(cè)、TWS耳機(jī)主動(dòng)降噪、醫(yī)學(xué)成像及高分辨率顯示等。
至于Bonded SiC（鍵合碳化硅），其優(yōu)勢(shì)尤為突出：一方面，它能顯著提高高質(zhì)量碳化硅單晶的利用率，一片標(biāo)準(zhǔn)厚度的單晶拋光片可制造出50片以上的鍵合拋光片；另一方面，它能降低功率器件的導(dǎo)通電阻，優(yōu)化電學(xué)性能。更值得一提的是，鍵合技術(shù)有望成為解決AI芯片散熱難題的關(guān)鍵工藝，臺(tái)積電、英偉達(dá)等行業(yè)巨頭已在此領(lǐng)域展開探索，未來或?qū)⒋呱f片級(jí)的市場(chǎng)需求。天域半導(dǎo)體已在金剛石、GaN、AlN等前沿材料上實(shí)現(xiàn)了鍵合晶片的制備，進(jìn)一步拓寬了技術(shù)應(yīng)用的邊界。
展望未來，天域半導(dǎo)體將繼續(xù)以技術(shù)創(chuàng)新和產(chǎn)業(yè)升級(jí)為核心驅(qū)動(dòng)力，在保持碳化硅外延片領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)的同時(shí)，積極探索更廣泛的材料應(yīng)用與解決方案。隨著與青禾晶元合作的不斷深入，天域半導(dǎo)體有望在先進(jìn)鍵合材料領(lǐng)域構(gòu)建起新的技術(shù)壁壘，推動(dòng)整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈的升級(jí)發(fā)展，為中國半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)的崛起貢獻(xiàn)重要力量。
（集邦化合物半導(dǎo)體整理）
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