近日，海目星激光旗下子公司海目芯微宣布成功研制出12英寸碳化硅（SiC）單晶晶錠，標志著公司在6英寸、8英寸及12英寸全尺寸長晶技術鏈上實現(xiàn)全面自主可控，進一步鞏固了國內(nèi)企業(yè)在大尺寸碳化硅材料領域的研發(fā)實力。
圖片來源：海目芯微官微
據(jù)了解，12英寸碳化硅晶體生長面臨熱梯度復雜、內(nèi)應力增加、缺陷控制難度大等核心技術瓶頸，對熱場設計、溫度控制及生長工藝的精準度要求極高。
海目芯微依托自主研發(fā)的電阻式長晶設備與持續(xù)迭代的工藝技術，通過創(chuàng)新性溫場設計與晶體完整性控制迭代，有效保障了大尺寸晶體的穩(wěn)定生長。本次制備的晶錠結(jié)晶質(zhì)量優(yōu)異、結(jié)構(gòu)完整，充分展現(xiàn)了公司在核心技術與工藝上的雙重突破。
海目芯微表示，將持續(xù)聚焦長晶、襯底加工等核心痛點，以技術創(chuàng)新構(gòu)建競爭力，推動大尺寸碳化硅材料產(chǎn)業(yè)化進程。
1、12英寸碳化硅“朋友圈”逐漸擴大
作為第三代半導體核心材料，碳化硅具備高禁帶寬度、高熱導率、高耐壓性等優(yōu)勢，在新能源汽車、光伏儲能、智能電網(wǎng)、AI基礎設施及AR/VR等領域需求旺盛。
而12英寸襯底相較于8英寸產(chǎn)品，單片晶圓芯片產(chǎn)出量可提升2.5倍，能顯著降低單位制造成本，是推動碳化硅產(chǎn)業(yè)規(guī)?；瘧玫年P鍵方向。
隨著大尺寸碳化硅技術價值凸顯，國內(nèi)已有多家企業(yè)實現(xiàn)12英寸碳化硅晶體或襯底技術突破。>>>點擊獲取更多內(nèi)容信息聚焦12英寸SiC，16家國內(nèi)廠商“群雄并起”
天岳先進2025年3月在亞洲化合物半導體大會上全球首發(fā)全系列12英寸碳化硅襯底，包括高純半絕緣型、導電P型及N型產(chǎn)品，其中高純半絕緣型與P型襯底為全球首展，目前已獲得全球頭部客戶訂單，技術覆蓋功率、射頻及光學等多場景需求。
爍科晶體則是在2024年12月全球首次實現(xiàn)300mm半絕緣SiC晶圓及12英寸N型碳化硅襯底研制，標志著在大直徑擴徑工藝與低缺陷生長技術上達到國際先進水平。
晶盛機電旗下子公司浙江晶瑞Super SiC于2025年5月實現(xiàn)12英寸導電型碳化硅單晶生長突破，首顆晶體直徑達309mm；2025年9月搭建的12英寸中試線正式通線，實現(xiàn)全流程覆蓋且核心設備100%國產(chǎn)化；2026年1月進一步突破襯底厚度均勻性（TTV）≤1μm的關鍵指標，攻克精密加工難題。
天成半導體于2025年10月依托自研設備研制出12英寸高純半絕緣碳化硅單晶材料，N型晶體有效厚度突破35mm，在晶體厚度控制上實現(xiàn)重要進展。
同光半導體展示12英寸導電型SiC晶錠（高度20+mm），處于研發(fā)驗證階段；其他企業(yè)例如合盛硅業(yè)、南砂晶圓、科友半導體等也相繼突破12英寸晶體生長或襯底制備技術，形成差異化競爭態(tài)勢。
外延與設備端同步突破。2025年12月，#瀚天天成 全球首發(fā)12英寸碳化硅外延晶片，外延層厚度不均勻性≤3%，摻雜濃度不均勻性≤8%，2mm×2mm芯片良率突破96%，滿足高端功率器件量產(chǎn)需求；#晶升股份 自主研發(fā)的12英寸碳化硅單晶爐完成小批量發(fā)貨，填補國產(chǎn)大尺寸長晶設備空白。
2、結(jié)語
國內(nèi)企業(yè)密集突破12英寸碳化硅晶體生長、襯底制備及外延工藝，實現(xiàn)從材料到設備的全鏈條自主可控，絕非單純的技術迭代，更是我國在第三代半導體領域打破海外壟斷、掌握產(chǎn)業(yè)話語權(quán)的關鍵跨越，對產(chǎn)業(yè)鏈升級、下游應用普及及國家戰(zhàn)略安全均具有深遠且多元的核心作用。
相信在2026年，我國12英寸碳化硅產(chǎn)業(yè)將迎來更多突破性進展，逐步推動我國在全球?qū)捊麕О雽w產(chǎn)業(yè)價值鏈中占據(jù)核心位置。
（集邦化合物半導體 金水 整理）
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