華為加持!國內SiC廠商沖擊港股IPO

作者 | 發(fā)布日期 2026 年 02 月 09 日 15:18 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC

2026年2月6日,中國證監(jiān)會官網(wǎng)正式發(fā)布《瀚天天成電子科技(廈門)股份有限公司境外發(fā)行上市及境內未上市股份“全流通”備案通知書》,標志著瀚天天成赴港上市已完成境內監(jiān)管層面關鍵前置程序,即將進入港交所聆訊與掛牌流程。

圖片來源:中國證監(jiān)會官網(wǎng)截圖

瀚天天成成立于2011年,由趙建輝博士創(chuàng)立,專注于碳化硅(SiC)外延晶片的研發(fā)、生產與銷售,是國內首家實現(xiàn)全尺寸(3/4/6/8英寸)碳化硅外延片商業(yè)化供應的企業(yè),也是全球率先實現(xiàn)8英寸碳化硅外延片大批量外供的廠商之一。

公司產品覆蓋6英寸、8英寸等主流規(guī)格外延片,廣泛應用于新能源汽車、光伏儲能、工業(yè)電源、軌道交通等戰(zhàn)略性新興領域,可滿足車規(guī)級、工業(yè)級等不同場景的高端應用需求。

根據(jù)證監(jiān)會備案通知書內容,瀚天天成擬發(fā)行不超過3767.89萬股境外上市普通股,同時,公司39名股東擬將所持合計9743.16萬股境內未上市股份轉為境外上市股份,在香港聯(lián)合交易所上市流通。

股東結構上,創(chuàng)始人趙建輝直接持股28.85%,為控股股東;華為旗下哈勃科技以4.03%持股位列第五大股東,與華潤微電子(2.69%)、廈門國資等形成戰(zhàn)略股東陣營。

圖片來源:企查查截圖

近年來,瀚天天成持續(xù)推進產能擴張與技術攻堅,近期動作頻頻,為赴港上市奠定堅實基礎。

2025年4月,公司首次向港交所遞交上市申請,開啟境外上市征程;同年10月,公司二次遞表港交所,進一步完善上市申報材料,聚焦產能擴張與技術研發(fā)等核心募資方向。

2025年12月,瀚天天成全球首發(fā)12英寸碳化硅外延晶片,該產品外延層厚度不均勻性≤3%,摻雜濃度不均勻性≤8%,2mm×2mm芯片良率更是突破96%,滿足高端功率器件的量產需求。

1、IPO熱潮涌動,資本聚焦核心環(huán)節(jié)

瀚天天成推進赴港上市,正是當前碳化硅外延乃至第三代半導體產業(yè)IPO熱潮的一個縮影。

隨著全球新能源汽車、光伏儲能等下游市場的爆發(fā)式增長,碳化硅作為第三代半導體核心材料,市場需求持續(xù)攀升,相關企業(yè)迎來上市窗口期。

2025年12月5日,國內碳化硅外延龍頭企業(yè)天域半導體正式登陸港股,以58港元/股的價格發(fā)行3007.05萬股新股,募資17.44億港元,主要用于產能擴張、研發(fā)投入及全球市場拓展。

除瀚天天成、天域半導體外,國內多家碳化硅及第三代半導體相關企業(yè)也在加速推進IPO進程,覆蓋襯底、器件、外延等全產業(yè)鏈環(huán)節(jié)。

廣東中圖半導體科技股份有限公司已于2025年12月31日遞交招股書申報稿,聚焦第三代半導體外延片等核心產品,推進IPO審核進程;#銳石創(chuàng)芯(重慶)科技股份有限公司也于2025年12月30日提交科創(chuàng)板IPO申報材料,深耕碳化硅功率器件領域,加速推進上市籌備。

港股市場上,芯邁半導體、曦華科技等第三代半導體相關企業(yè)已遞交上市申請,處于聆訊籌備階段,其中芯邁半導體聚焦碳化硅器件封裝測試環(huán)節(jié),與上下游龍頭企業(yè)形成緊密協(xié)同。

此外,天岳先進、露笑科技等碳化硅襯底龍頭企業(yè)已實現(xiàn)A股上市,通過資本市場募資持續(xù)擴大產能、攻堅核心技術。

籌備階段的企業(yè)中,#基本半導體 也在推進IPO輔導備案,基本半導體專注于碳化硅功率器件研發(fā)生產,進一步豐富了行業(yè)IPO矩陣。

2、赴港上市,恰逢其時

縱觀行業(yè),全球碳化硅外延片行業(yè)將呈現(xiàn)“大尺寸化、國產化、協(xié)同化、高端化”的發(fā)展趨勢。

大尺寸化將成為行業(yè)技術升級的核心方向。隨著下游器件企業(yè)對芯片集成度、成本控制的要求不斷提升,8英寸、12英寸等大尺寸外延片將逐步替代6英寸產品,成為市場主流。

目前,瀚天天成、天域半導體等國內龍頭已實現(xiàn)8英寸外延片批量供應,12英寸外延片的研發(fā)也在加速推進,未來大尺寸外延片的產能占比將持續(xù)提升,技術壁壘將成為企業(yè)競爭的核心要素。

同時,大尺寸外延片的普及,將進一步降低碳化硅器件的單位成本,推動其在更多下游領域的應用普及。

作為全球碳化硅外延行業(yè)的龍頭企業(yè),瀚天天成若成功赴港上市,公司將獲得充足的募資支持,加速8英寸產能擴張與12英寸技術研發(fā)。同時,公司的技術突破與產能擴張,將帶動國內碳化硅外延環(huán)節(jié)的技術進步與產能提升,助力國產替代加速推進。

(集邦化合物半導體 金水 整理)

更多SiC和GaN的市場資訊,請關注微信公眾賬號:集邦化合物半導體。