文章分類： 碳化硅SiC

河北新增第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 05 月 22 日 17:26 |
| 分類: 碳化硅SiC
5月19日，河北同光半導(dǎo)體股份有限公司（以下簡稱：同光股份）官方消息顯示，保定第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院在保定市召開籌委會暨第一屆管理委員會第一次會議，會議的召開標(biāo)志著研究院正式成立。 據(jù)介紹，保定第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院是由保定市人民政府、中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所、同光股份三...  [詳內(nèi)文]

專攻第三代半導(dǎo)體等，長科新廠房正式啟用

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 05 月 22 日 11:26 |
| 分類: 碳化硅SiC
5月19日，導(dǎo)線架廠長科在高雄舉行新廠落成啟用典禮，長科指出，這是在臺灣地區(qū)最大的廠房，主攻第三代半導(dǎo)體和MiniLED所需導(dǎo)線架產(chǎn)品，提供未來3年主要成長動能。 長科下午通過新聞稿表示，2019年響應(yīng)回臺投資政策，擴大在臺灣地區(qū)生產(chǎn)規(guī)模，斥資新臺幣30億元用于高雄楠梓產(chǎn)業(yè)園區(qū)擴...  [詳內(nèi)文]

瑞薩電子計劃2025年量產(chǎn)SiC功率器件

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 05 月 19 日 17:52 |
| 分類: 碳化硅SiC
根據(jù)外媒報道，日本半導(dǎo)體巨頭瑞薩電子日前宣布，將于2025年開始生產(chǎn)使用碳化硅 (SiC)來降低損耗的下一代功率半導(dǎo)體產(chǎn)品。按照計劃，瑞薩電子擬在目前生產(chǎn)硅基功率半導(dǎo)體的群馬縣高崎工廠實現(xiàn)SiC功率器件的量產(chǎn)，但具體投資金額和生產(chǎn)規(guī)模尚未確定。 相較于傳統(tǒng)硅半導(dǎo)體，SiC等第三代...  [詳內(nèi)文]

獲2.2億融資，青禾晶元擬建鍵合集成襯底量產(chǎn)線

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 05 月 19 日 16:32 |
| 分類: 碳化硅SiC
近日，北京青禾晶元半導(dǎo)體科技有限責(zé)任公司（以下簡稱：青禾晶元）正式完成共計2.2億元的A++輪融資。 本輪融資投資方包括北京集成電路尖端芯片基金、陽光電源、智科產(chǎn)投、建信、沃賦資本、正為資本、海南瑞萊、俱成投資和天津天創(chuàng)，融資資金將用于建設(shè)鍵合集成襯底量產(chǎn)線，擴大生產(chǎn)規(guī)模，開展多...  [詳內(nèi)文]

納微半導(dǎo)體公布2023年第一季度財務(wù)業(yè)績

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 05 月 19 日 15:58 |
| 分類: 碳化硅SiC
1、收入較上年同比翻番，毛利率不斷提高 2、目標(biāo)市場全部實現(xiàn)強勁增長，本季度待出貨訂單增長50% 3、各項收購表現(xiàn)上佳，助力多樣化和協(xié)同增長 美國加利福尼亞州托倫斯，2023年5月15日訊——下一代功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者 – 納微半導(dǎo)體（納斯達克股票代碼：NVTS）今日公...  [詳內(nèi)文]

金剛石功率器件要來了！

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 05 月 18 日 18:28 |
| 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
外媒15日消息，日本精密零部件制造商Orbray與車載半導(dǎo)體研究公司Mirise Technologies（日本電裝與豐田合成于2020年聯(lián)合成立的合資公司）已經(jīng)達成戰(zhàn)略合作關(guān)系，將聯(lián)合開發(fā)垂直結(jié)構(gòu)金剛石功率器件。 據(jù)悉，合作項目為期3年，Orbray和Mirise將利用各自在...  [詳內(nèi)文]

合作遍地開花，安森美擴大SiC版圖

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 05 月 18 日 17:28 |
| 分類: 碳化硅SiC
作為知名的汽車半導(dǎo)體大廠，安森美最近動作頻頻，彰顯了其對SiC的信心和野心。 再砸20億美元，安森美擬拿下40%的市場 5月16日，安森美高管表示，公司正在考慮投資20億美元，用于提高碳化硅芯片的產(chǎn)能，目標(biāo)是到2027年占領(lǐng)全球碳化硅汽車芯片市場40%的份額。 安森美半導(dǎo)體目前在...  [詳內(nèi)文]

碳化硅市場競爭漸入白熱化，SK集團產(chǎn)能擴大近3倍

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 05 月 18 日 15:24 |
| 分類: 碳化硅SiC
當(dāng)前，憑借高電壓、大電流、高溫、高頻率、低損耗等獨特優(yōu)勢，碳化硅功率器件已經(jīng)成為新能源汽車、5G通訊、軌道交通、智能電網(wǎng)等市場新的增長點。 據(jù)TrendForce集邦咨詢旗下化合物半導(dǎo)體研究處預(yù)測，2023年整體SiC功率元件市場規(guī)模達22.8億美元，年成長41.4%。與此同時，...  [詳內(nèi)文]

直擊深圳國際半導(dǎo)體展：30+三代半廠商亮相！

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 05 月 18 日 11:36 |
| 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
5月16日，為期三天的SEMI-e第五屆深圳國際半導(dǎo)體技術(shù)暨應(yīng)用展覽會在深圳國際會展中心（寶安新館）盛大開幕。 本屆展會以“芯機會 智未來〞為主題，涵蓋6大特色展區(qū)，包括電子元器件、IC設(shè)計&芯片、晶圓制造及封裝、半導(dǎo)體設(shè)備、半導(dǎo)體材料、第三代半導(dǎo)體，為各領(lǐng)域的行業(yè)人士...  [詳內(nèi)文]

【會議預(yù)告】Wolfspeed：SiC器件賦能新能源領(lǐng)域應(yīng)用的創(chuàng)新和優(yōu)化

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 05 月 18 日 11:12 |
| 分類: 碳化硅SiC
隨著傳統(tǒng)硅材料制作的功率半導(dǎo)體器件，電能變換效率達到理論極限，以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體材料應(yīng)運而生。 其中，碳化硅用于制作功率器件，可顯著提高電能利用率，是功率半導(dǎo)體的一大重要發(fā)展方向。 碳化硅器件應(yīng)用場景明確。在新能源領(lǐng)域，碳化硅可以提升系統(tǒng)效率、提高功率密度并降低...  [詳內(nèi)文]