文章分類： 碳化硅SiC

國(guó)家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心深圳綜合平臺(tái)展示自研產(chǎn)品

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 04 月 27 日 15:11 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
“深圳平湖實(shí)驗(yàn)室”官微消息，2025九峰山論壇(JFSC)暨化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)博覽會(huì)(CSE)期間，國(guó)家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心深圳綜合平臺(tái)對(duì)外全面展示科研平臺(tái)、設(shè)計(jì)仿真平臺(tái)、中試平臺(tái)、分析檢測(cè)中心能力，同時(shí)帶來(lái)了8吋 SiC激光剝離襯底及復(fù)合襯底、1200V SiC外延及厚膜外延...  [詳內(nèi)文]

格力造芯新篇章，家用空調(diào)搭載SiC芯片突破100萬(wàn)臺(tái)

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 04 月 27 日 14:59 |
| 分類: 企業(yè) , 碳化硅SiC
4月22日下午，格力電器召開(kāi)2025年第一次臨時(shí)股東大會(huì)，相比過(guò)往歷次股東大會(huì)都被安排在格力地產(chǎn)總部辦公樓，本次股東大會(huì)首次被安排在格力電器珠海碳化硅芯片工廠舉行。 據(jù)悉，該工廠自2024年投產(chǎn)以來(lái)，其碳化硅功率芯片在家用空調(diào)中的裝機(jī)量已經(jīng)突破100萬(wàn)臺(tái)。 SiC材料具有高耐壓、...  [詳內(nèi)文]

聞泰科技、三安光電財(cái)報(bào)出爐，聚焦SiC與GaN進(jìn)展

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 04 月 27 日 14:53 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
近日，聞泰科技與三安光電相繼發(fā)布最新財(cái)務(wù)報(bào)告，這兩家公司均在第三代半導(dǎo)體碳化硅和氮化鎵領(lǐng)域展現(xiàn)出積極的布局和顯著的進(jìn)展。聞泰科技憑借其在半導(dǎo)體和通信技術(shù)領(lǐng)域的多元化優(yōu)勢(shì)，在車規(guī)級(jí)碳化硅應(yīng)用和氮化鎵高效能領(lǐng)域取得突破；而三安光電則依托其在化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域的深厚積累，在碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈的...  [詳內(nèi)文]

南京年產(chǎn)250萬(wàn)件IGBT/SiC功率器件項(xiàng)目正式投產(chǎn)！

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 04 月 25 日 14:04 |
| 分類: 企業(yè) , 碳化硅SiC
4月23日，丹佛斯動(dòng)力系統(tǒng)官方宣布，他們的南京功率模塊園區(qū)正式啟用。 source：丹佛斯動(dòng)力系統(tǒng) 結(jié)合官方和南京經(jīng)濟(jì)技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)消息，丹佛斯南京園區(qū)設(shè)有兩家工廠，分別隸屬于賽米控丹佛斯和丹佛斯Editron事業(yè)部，分別投資了不同的項(xiàng)目。 其中，IGBT半導(dǎo)體模塊項(xiàng)目總投資約1億...  [詳內(nèi)文]

廣納四維、爍科晶體、國(guó)納智造聯(lián)手，加速碳化硅AR光波導(dǎo)量產(chǎn)

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 04 月 25 日 14:01 |
| 分類: 企業(yè) , 碳化硅SiC
近期，廣納四維、爍科晶體、國(guó)納智造達(dá)成戰(zhàn)略合作，聚焦碳化硅刻蝕衍射光波導(dǎo)的研發(fā)與量產(chǎn)，旨在推動(dòng)AR眼鏡核心光學(xué)器件的國(guó)產(chǎn)化，加速消費(fèi)級(jí)AR產(chǎn)品普及。 source：廣納院 本次合作的核心目標(biāo)是圍繞碳化硅基底刻蝕制備衍射光波導(dǎo)鏡片這一關(guān)鍵技術(shù)展開(kāi)深度協(xié)同創(chuàng)新，并加速其量產(chǎn)落地。此...  [詳內(nèi)文]

芯聯(lián)越州大舉擴(kuò)大碳化硅產(chǎn)能！

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 04 月 24 日 13:49 |
| 分類: 企業(yè) , 碳化硅SiC
4月23日，芯聯(lián)集成電路制造股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱“芯聯(lián)集成”）發(fā)布了《發(fā)行股份及支付現(xiàn)金購(gòu)買資產(chǎn)暨關(guān)聯(lián)交易報(bào)告書(shū)（草案）》。 source：集邦化合物半導(dǎo)體截圖 報(bào)告顯示，芯聯(lián)集成計(jì)劃通過(guò)發(fā)行股份及支付現(xiàn)金的方式，向包括紹興濱海新區(qū)芯興股權(quán)投資基金合伙企業(yè)（有限合伙）在內(nèi)的1...  [詳內(nèi)文]

濟(jì)南打造第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高地，加快推進(jìn)相關(guān)項(xiàng)目建設(shè)

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 04 月 23 日 16:10 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
近期，濟(jì)南發(fā)布《2025年國(guó)民經(jīng)濟(jì)和社會(huì)發(fā)展計(jì)劃》，提出要加快培育產(chǎn)業(yè)新動(dòng)能，打造第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高地，加快推進(jìn)山東中晶芯源碳化硅單晶和襯底項(xiàng)目、山東天岳碳化硅材料產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目建設(shè)，加大碳化硅上下游領(lǐng)域布局力度，爭(zhēng)取集成電路關(guān)鍵材料和第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目獲得國(guó)家支持。 近年濟(jì)南市依托政...  [詳內(nèi)文]

四款新品集體亮相，SiC與GaN齊發(fā)力

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 04 月 23 日 16:06 |
| 分類: 企業(yè) , 功率 , 氮化鎵GaN
近期，第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域動(dòng)作頻頻，碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）兩大技術(shù)路線均有新品亮相，如英飛凌、英諾賽科、華潤(rùn)微電子、派恩杰半導(dǎo)體不斷推出新產(chǎn)品，為功率器件市場(chǎng)注入新活力。 英飛凌推出全球首款集成肖特基二極管的工業(yè)用GaN晶體管產(chǎn)品系列 4月22日，英飛凌官微宣布推出Coo...  [詳內(nèi)文]

芯干線第三代半導(dǎo)體打入多個(gè)全球一線品牌供應(yīng)鏈

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 04 月 22 日 15:43 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
近期，南京芯干線科技透露，今年第一季度，公司以第三代半導(dǎo)體技術(shù)為核心驅(qū)動(dòng)力，在AI算力基礎(chǔ)設(shè)施、消費(fèi)電子快充、高端音響電源及商用儲(chǔ)能領(lǐng)域連破壁壘，成功打入多個(gè)全球一線品牌供應(yīng)鏈。 source：芯干線科技 AI算力基建領(lǐng)域，芯干線自主研發(fā)的 700V增強(qiáng)型氮化鎵（GaN）功率器...  [詳內(nèi)文]

兩家大廠推出第3代SiC MOSFET產(chǎn)品

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 04 月 22 日 15:34 |
| 分類: 企業(yè) , 碳化硅SiC
近日，清純半導(dǎo)體和VBsemi（微碧半導(dǎo)體）分別推出了其第三代碳化硅（SiC）MOSFET產(chǎn)品平臺(tái)，標(biāo)志著功率半導(dǎo)體技術(shù)在快充效率、高功率密度應(yīng)用等領(lǐng)域取得了重大突破。 01 清純半導(dǎo)體推出第3代SiC MOSFET產(chǎn)品平臺(tái) 4月21日，清純半導(dǎo)體官微宣布，推出第3代碳化硅（Si...  [詳內(nèi)文]