因具有超高解析度，高色彩飽和度，納秒級響應時間以及低功耗等優(yōu)點，Micro LED成為Apple、Sony、Facebook、Samsung、LG、OSRAM、Nichia等國際大廠爭相布局的新世代顯示技術。
作為全球硅襯底GaN基LED技術的領跑者，晶能光電最近也將目光投向了Micro LED。
Micro LED芯片路線的選擇，必須要考慮到成本、良率、以及和轉移/鍵合工藝的兼容。外延片尺寸越大，不但可以降低芯片成本，提高外延面積利用率，而且更容易兼容IC工藝以提升Micro LED生產效率和良率。
晶能光電副總裁付羿表示，目前只有硅襯底GaN基LED實現(xiàn)了8英寸量產，并且在單片MOCVD腔體中取得了8英寸外延片內波長離散度小于1nm的優(yōu)異均勻性，這對于Micro LED來說至關重要。商用的12英寸及以上的硅圓晶已經完全成熟，隨著高均勻度MOCVD外延大腔體的推出，硅襯底LED外延升級到更大圓晶尺寸不存在本質困難。
付羿介紹到，硅襯底GaN 基LED采用化學濕法去除襯底工藝以獲取LED薄膜芯片，這種濕法剝離避免了對LED外延層的損傷，對保證微小電流驅動的Micro LED的光效和良率非常關鍵。
作為比較，藍寶石襯底激光剝離對GaN外延層的損傷難以避免，并且可以預見，當藍寶石襯底能夠升級到更大尺寸后，激光剝離襯底良率的挑戰(zhàn)會越來越大。在薄膜芯片制程中，雖然SiC和GaN襯底LED不需要激光剝離，但由于這兩種襯底的價格極高（尤其是大尺寸襯底），將加大Micro LED與OLED的市場競爭難度。
他指出，目前Micro LED薄膜芯片的結構設計分為倒裝（同側雙電極）和垂直（上下電極）兩種。對于典型尺寸的Micro LED（芯片邊長不超過10μm），如果采用同側雙電極結構，和控制背板的一次鍵合就可以完成正負極連接，但在鍵合過程中容易出現(xiàn)正負電極短路，同時對鍵合精確度也有很大挑戰(zhàn)。與此相比，上下電極的薄膜垂直Micro LED更有助于鍵合良率，但需要增加一層共陰（或者共陽）的透明電極。
總之，無論后端工藝要求同側雙電極結構還是上下電極結構，大尺寸硅襯底LED薄膜芯片制程都能夠相應制備低成本、高良率的Micro LED芯片。
付羿認為，低成本、大尺寸、可無損剝離的硅襯底薄膜LED工藝將有力推動Micro LED的開發(fā)與產業(yè)化。
對于晶能光電加入Micro LED的研究陣營，易美芯光CTO劉國旭博士評論道：“硅襯底GaN基技術的特性是制造Micro LED芯片的天然選擇，晶能光電在硅襯底GaN基LED領域積累了十余年的技術和量產經驗，如能轉移至Micro LED，Micro LED的應用將會向前邁一大步。”
或許正如劉國旭所說：Micro LED或將是晶能光電的又一重大應用機會！
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