首爾半導(dǎo)體今日發(fā)布通告稱(chēng)， 該公司將拍賣(mài)其射頻(RF)半導(dǎo)體專(zhuān)利組合和高功率LED封裝專(zhuān)利組合。
在首次拍賣(mài)中，首爾半導(dǎo)體將為其功率放大器和氮化鎵(GaN) RF半導(dǎo)體相關(guān)的98項(xiàng)專(zhuān)利資產(chǎn)尋求最高競(jìng)標(biāo)者，包括55項(xiàng)美國(guó)專(zhuān)利。其中三項(xiàng)專(zhuān)利已授權(quán)給美國(guó)空軍與美國(guó)陸軍使用。
通告表示，此RF專(zhuān)利組合是Sensor Electronic Technology, Inc. (SETi)投入逾一億美元的研發(fā)成果。SETi于1999年在紐約倫斯勒理工學(xué)院(RPI)成立，在高功率RF和UV LED技術(shù)的GaN器件開(kāi)發(fā)領(lǐng)域處于領(lǐng)先地位。該公司于2015年被首爾半導(dǎo)體的子公司Seoul Viosys（首爾偉傲世）完全收購(gòu)。SETi現(xiàn)在專(zhuān)注于UV LED技術(shù)，所以現(xiàn)在準(zhǔn)備拍賣(mài)其GaN RF專(zhuān)利組合。
GaN具有比硅更寬的帶隙，這意味著它可以承受比硅更高的電壓，并且能夠讓電流在器件中更快地通過(guò)。GaN正成為移動(dòng)和衛(wèi)星通信、雷達(dá)、無(wú)線充電和自動(dòng)駕駛的首選技術(shù)。
隨著5G技術(shù)的到來(lái)，GaN RF市場(chǎng)正在快速發(fā)展。到2024年，GaN RF市場(chǎng)將增長(zhǎng)到20億美元(Yole Développement, 2019)，預(yù)計(jì)到2025年，全球射頻組件市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到450億美元（Market Research Report，2019年）。Sumitomo Chemical Co.、CREE Inc.和Qorvo, Inc.在GaN RF市場(chǎng)中占有很大份額。
在第二次拍賣(mài)中，首爾半導(dǎo)體將拍賣(mài)100多項(xiàng)專(zhuān)利，包括與大功率LED封裝和自適應(yīng)照明相關(guān)的美國(guó)、歐洲、中國(guó)、日本和韓國(guó)專(zhuān)利。大功率LED封裝廣泛應(yīng)用于智能手機(jī)和汽車(chē)應(yīng)用，自適應(yīng)照明應(yīng)用于智能手機(jī)相機(jī)鏡頭、閃光燈和汽車(chē)前燈。這些專(zhuān)利是大功率LED芯片的一些基本專(zhuān)利。大功率LED芯片可實(shí)現(xiàn)鏡頭和閃光燈的輕薄設(shè)計(jì)，從而滿(mǎn)足市場(chǎng)對(duì)于智能手機(jī)相機(jī)的各種功能需求。
首爾半導(dǎo)體創(chuàng)始人Chung Hoon Lee和SETi的首席執(zhí)行官Chae Hon Kim表示：“首爾半導(dǎo)體現(xiàn)在正為其中某些技術(shù)尋找潛在的購(gòu)買(mǎi)者或許可合作伙伴。我們認(rèn)為，這對(duì)于難以獲得關(guān)鍵專(zhuān)利的初創(chuàng)企業(yè)和中小型企業(yè)(SME)來(lái)說(shuō)，是一個(gè)擴(kuò)展業(yè)務(wù)的好機(jī)會(huì)。”
Lee和Kim補(bǔ)充道：“一些大公司通過(guò)挖員工或采用忽略知識(shí)產(chǎn)權(quán)的低成本產(chǎn)品等手段，非法獲取我們的商業(yè)秘密，對(duì)LED產(chǎn)業(yè)產(chǎn)生了負(fù)面影響。因此我們將向不直接競(jìng)爭(zhēng)的公司出售部分專(zhuān)利，并將拍賣(mài)所得的利潤(rùn)投入到未來(lái)的新技術(shù)開(kāi)發(fā)中。”
?據(jù)悉，拍賣(mài)過(guò)程由數(shù)字許可平臺(tái)GoodIP負(fù)責(zé)，該平臺(tái)專(zhuān)注于幫助技術(shù)公司和研究中心尋找其知識(shí)產(chǎn)權(quán)的許可合作伙伴。（來(lái)源：首爾半導(dǎo)體LED）
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