今年以來，國(guó)內(nèi)碳化硅相關(guān)廠商拓荊科技、盛美上海、新潔能、北方華創(chuàng)、揚(yáng)杰科技等相繼成立了多家新公司。而在近期，又有2家碳化硅相關(guān)廠商中車時(shí)代半導(dǎo)體、江豐電子分別成立了新公司。
其中，時(shí)代電氣旗下中車時(shí)代半導(dǎo)體于9月26日全資成立了合肥中車時(shí)代半導(dǎo)體有限公司，該公司法定代表人為羅海輝，注冊(cè)資本3.1億元，經(jīng)營(yíng)范圍含半導(dǎo)體分立器件制造、半導(dǎo)體分立器件銷售等。
目前，時(shí)代電氣碳化硅產(chǎn)品已完成第4代溝槽柵芯片開發(fā)，碳化硅產(chǎn)線改造完成，新能源車用碳化硅產(chǎn)品處于持續(xù)驗(yàn)證階段。
在碳化硅芯片技術(shù)方面，時(shí)代電氣突破了高可靠性低界面缺陷柵氧氮化、低損傷高深寬比溝槽刻蝕、亞微米精細(xì)光刻、高溫離子選區(qū)注入、高溫激活退火等關(guān)鍵工藝技術(shù)。
同時(shí)，時(shí)代電氣攻克了有源區(qū)柵氧電場(chǎng)屏蔽、JFET區(qū)摻雜、載流子擴(kuò)展以及高可靠性、高效率空間電場(chǎng)調(diào)制場(chǎng)環(huán)終端設(shè)計(jì)等功率芯片結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)技術(shù)。
此外，時(shí)代電氣掌握了具有核心自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的MOSFET芯片及SBD芯片的設(shè)計(jì)與制造技術(shù)，構(gòu)建了全套特色先進(jìn)碳化硅工藝技術(shù)的6英寸專業(yè)碳化硅芯片制造平臺(tái)，全電壓等級(jí)MOSFET及SBD芯片產(chǎn)品可應(yīng)用于新能源汽車、軌道交通、光伏、工業(yè)傳動(dòng)等多個(gè)領(lǐng)域。
江豐電子則于9月19日全資成立了寧波江豐同創(chuàng)電子材料有限公司，該公司法定代表人為姚力軍，注冊(cè)資本5000萬元，經(jīng)營(yíng)范圍含電子專用材料研發(fā)；電子專用材料制造；電子專用材料銷售；顯示器件制造；電子元器件制造；電力電子元器件銷售；光伏設(shè)備及元器件制造；光伏設(shè)備及元器件銷售；電子專用設(shè)備銷售；電子專用設(shè)備制造等。
江豐電子主要專注于超高純金屬濺射靶材、半導(dǎo)體精密零部件的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，其中，超高純?yōu)R射靶材包括鋁靶、鈦靶、鉭靶、銅靶以及各種超高純金屬合金靶材等，這些產(chǎn)品主要應(yīng)用于超大規(guī)模集成電路芯片、平板顯示器的物理氣相沉積（PVD）工藝，用于制備電子薄膜材料。
半導(dǎo)體精密零部件包括金屬、陶瓷、樹脂等多種材料經(jīng)復(fù)雜工藝加工而成的精密零部件，主要用于半導(dǎo)體芯片以及平板顯示器生產(chǎn)線的機(jī)臺(tái)，覆蓋了包括PVD、CVD、刻蝕、離子注入以及產(chǎn)業(yè)機(jī)器人等應(yīng)用領(lǐng)域。
目前，江豐電子已經(jīng)在化合物半導(dǎo)體材料領(lǐng)域取得一定進(jìn)展，其控股子公司寧波江豐同芯已搭建完成國(guó)內(nèi)首條具備世界先進(jìn)水平、自主化設(shè)計(jì)的化合物半導(dǎo)體功率器件模組核心材料制造生產(chǎn)線，掌握了覆銅陶瓷基板DBC及AMB生產(chǎn)工藝，主要產(chǎn)品高端覆銅陶瓷基板已初步獲得市場(chǎng)認(rèn)可。其控股子公司晶豐芯馳正在全面布局碳化硅外延領(lǐng)域，碳化硅外延片產(chǎn)品已經(jīng)得到多家客戶認(rèn)可。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）
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